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公开(公告)号：CN106713202A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510792752.0
申请日：2015-11-18
IPC: H04L27/26
CPC classification number: Y02D50/10 , H04L27/2657 , H04L27/2614 , H04L27/2662
Abstract: 本发明涉及可见光通信技术领域，提出了一种基于零自相关码对的可见光通信系统定时同步与频偏估计算法，包括以下步骤：S1、在数据发送端将设定参数映射成零自相关码对，将得到的零自相关码对按照设定的结构组合成同步符号，选择截断算法或者u律压扩，降低同步符号的峰均功率比，发射机发射压缩后的同步符号数据；S2、对接收得到的原始数据使用新型定时度量方法计算，与动态阈值相比，得到定时时刻并计算小数频偏值；S3、对接收数据进行小数频偏补偿，对补偿后的数据使用整数频偏估计算法计算，得到整数频偏值。本发明与基于零自相关码的同步算法相比，具有更高的定时成功率以及更低频偏估计误差，并且本发明的同步符号峰均功率比更低，可以适用于对峰均功率比要求高的场合。
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公开(公告)号：CN119703096A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510105472.1
申请日：2025-01-23
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种片状钼粉的制备方法，该方法是将硅油作为主助磨剂与辅助助磨剂一同加入到球状钼粉中，混合后形成悬浮液，再经过间歇式球磨及后处理，即得径厚比大于100的片状钼粉。该制备方法通过采用硅油为主助磨剂对钼粉进行表面包覆和改性，并通过控制球磨处理的参数实现了片状钼粉的高效制备，具有可操作性强、成片率高等优点，所制备的片状钼粉表面光滑，具有粒径分布均匀、比表面积高、径厚比大等优势。
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公开(公告)号：CN112281017B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202011180834.7
申请日：2020-10-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种Au‑20Sn箔材的制备方法，该方法尤其适合双脆性相材料的制备。本发明提供的Au‑20Sn箔材中Au的质量分数为80％±0.3％；本发明的制备方法为：将按设计组分配取的原料经熔炼浇筑、挤压、热轧得到产品。本发明采用浇铸的方式使AuSn相中产生纳米尺寸亚组织，随后通过挤压的方式细化Au5Sn相晶粒，产生纳米尺寸AuSn亚晶粒网状分布，分割等轴Au5Sn晶粒的特殊微观组织，使该合金在一定的温度范围内具有良好的变形性能。本发明通过熔铸‑挤压‑轧制等常规方法的组合应用，解决已有的Au‑20Sn共晶箔材制备的工艺复杂、费用昂贵和生产效率低的问题，工艺简单且成本低，适合大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN113695594A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110998348.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种选区激光熔化铝合金的评价方法，包括以下步骤：S1、根据所设计合金配置原料，制成合金坯锭；S2、对合金坯锭进行预处理和加工，制成合金样块；S3、采用高能激光束对合金样块表面进行第一次激光表面扫描处理，在合金样块表面形成第一激光熔化层；待第一次激光表面扫描处理后的合金样块完全冷却后，再次采用高能激光束对第一激光熔化层的区域进行第二次激光表面扫描处理，形成第二激光熔化层；S4、将S3步骤的合金样块进行感应快速加热处理和淬冷处理；S5、对S4步骤的合金样块的第二激光熔化层进行表面形貌观察及组织性能表征与测试，判断所述合金样块是否适用于选区激光熔化成型技术。
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公开(公告)号：CN112281017A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011180834.7
申请日：2020-10-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种Au‑20Sn箔材的制备方法，该方法尤其适合双脆性相材料的制备。本发明提供的Au‑20Sn箔材中Au的质量分数为80％±0.3％；本发明的制备方法为：将按设计组分配取的原料经熔炼浇筑、挤压、热轧得到产品。本发明采用浇铸的方式使AuSn相中产生纳米尺寸亚组织，随后通过挤压的方式细化Au5Sn相晶粒，产生纳米尺寸AuSn亚晶粒网状分布，分割等轴Au5Sn晶粒的特殊微观组织，使该合金在一定的温度范围内具有良好的变形性能。本发明通过熔铸‑挤压‑轧制等常规方法的组合应用，解决已有的Au‑20Sn共晶箔材制备的工艺复杂、费用昂贵和生产效率低的问题，工艺简单且成本低，适合大规模工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109604591B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910096899.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明一种高硅铝合金壳体的近终成形模具及其近终成形方法。包括，长侧压板、短侧压板，所述长侧压板和短侧压板拼装成一模框，模框具有一上下开口的模腔；上压块和下压块，上压块和下压块能在模腔内往复移动；所述下压块顶面设置有一凸台，组合模具由钢套固定。本发明的一种高硅铝合金壳体的近终成形方法：气雾化制粉获得铝硅原材料，石墨模具经过表面涂覆、干燥、组合，再将原材料平铺在模具中，进行压力烧结，脱模得到铝硅壳体材料。本发明通过模具设计结合压力烧结，直接制得高硅铝合金电子封装壳体，提高了生产效率和原材料利用率，制备过程可控性、稳定性好，具有极高的工业应用价值，并可以推广至其他金属材料的制造。
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公开(公告)号：CN109759596B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910106761.8
申请日：2019-02-02
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供一种异质梯度材料及其制备方法，该方法将铝基复合材料制成板坯，然后将铝基复合材料板坯与铝硅合金粉末按顺序铺设起来，最后在进行压力烧结使铝基合金复合材料和铝硅合金紧密结合得到异质梯度复合材料。通过预先制备铝基复合材料板坯，而不需要经过冷压成型，可以获得较高的体积分数，减小热膨胀系数，易于控制铝基复合材料层的厚度和形状，并确保工艺的可重复性；铝硅合金的烧结性能良好，采用粉末直接铺设进行压力烧结可以减少成形工序，降低成本，从而更好地满足使用需求并保证工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN108746637B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201810668511.9
申请日：2018-06-26
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种铝硅/铝碳化硅梯度复合材料及其制备方法。本发明所述的铝硅/铝碳化硅梯度复合材料是由至少一铝硅合金层与至少一铝碳化硅复合材料层构成的梯度复合材料；其中，按重量百分比计，所述铝硅合金层含有硅22～50％，余量为铝；按体积百分比计，所述铝碳化硅复合材料层含有碳化硅40～65％，余量为铝或铝合金。本发明的铝硅/铝碳化硅梯度复合材料具有热导率高、机械强度高、密度小、性能可调控、容易加工、成本低廉的优点，具备良好综合性能，能够满足电子封装的各项指标要求，尤其适用于作为电子封装材料。
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公开(公告)号：CN109811164B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910154978.6
申请日：2019-03-01
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供一种增材制造铝合金的制备方法，包括以下步骤：(1)气雾化制粉：将铝合金原料一起熔炼成熔体后，采用高压惰性气体将熔体破碎成细小液滴，凝固冷却后形成粉末；(2)采用选区激光熔化技术将上述粉末制成块状的坯料；(3)冷变形加工：在室温下将步骤(2)的坯料进行塑性加工得到变形坯料；(4)对变形坯料进行热处理得到铝合金。本发明在选区激光熔化技术的基础上增加变形加工处理，可将选区激光熔化过程中残留的孔隙去除，提高铝合金的致密度和组织均匀性，从而提高铝合金的综合力学性能；而且在室温下进行轧制、挤压和锻造，坯料中细小的组织将不会发生粗化。
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公开(公告)号：CN109706353B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910148586.9
申请日：2019-02-28
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种铝硅梯度材料的选区激光熔化成形方法，包括如下步骤：S1：设计铝硅合金层状梯度材料的成分组成和形状，以硅为22～70％、余量为铝的重量百分配比来配制不同硅含量的原料；S2：将原料熔炼，得到不同硅含量的铝硅合金熔体；S3：分别将步骤S2得到的铝硅合金熔体采用气体雾化制备成不同硅含量的硅铝合金粉末；S4：采用选区激光熔化技术，将步骤S3得到的不同硅含量的硅铝合金粉末制备成设计形状的铝硅梯度材料；S5：对步骤S4得到的铝硅梯度材料进行热处理。本发明还涉及所述方法制得的铝硅梯度材料。本发明所述的方法具有可设计性高、工序简化、材料利用率高、加工精度高等优点，本发明所述的梯度材料的可设计性强，适用于电子封装壳体。
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