支持差分放大和单端放大两种功能的灵敏放大电路

    公开(公告)号:CN111710351B

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202010417531.6

    申请日:2020-05-18

    IPC分类号: G11C7/06 G11C7/08 G11C11/41

    摘要: 本发明公开了一种支持差分放大和单端放大两种功能的灵敏放大电路,包括预充电路、电压型灵敏放大器、基准电压电路、差分结构下拉网络对和单端下拉网络,当执行差分放大时,预充电路、基准电压电路和单端下拉网络闭关,第一个差分下拉网络和第二个差分下拉网络打开,两个差分输入信号的电压差被电压型灵敏放大器放大输出,当执行单端放大模式时,预充电路、第一个差分下拉网络和第二个差分下拉网络关闭,基准电压电路和单端下拉网络打开,单端输入信号与基准电压的电压差被电压型灵敏放大器放大后输出;优点是可以在差分放大功能和单端放大功能之间进行切换,使多端口存储器通过一个灵敏放大电路交叉实现差分放大和单端放大,成本低,电路面积小。

    一种后量子安全的签密算法

    公开(公告)号:CN111817853A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201910907793.8

    申请日:2019-09-24

    IPC分类号: H04L9/32

    摘要: 本发明公开了一种后量子安全的签密算法,包括以下步骤:A、系统设置Setup(1n);B、密钥生成算法KeyGen(1n,PP);C、签密算法Signcrypt(msg∈{0,1}l,sks,pkr);D、解签密算法Unsigncrypt(C,skr,pks),本发明构造通用单向哈希函数,将中的元素映射为Rq中的向量。本发明引入封装的思想,结合划分partitioning技术、盆景树技术和调和技术实现CCA2安全性,利用变色龙哈希函数封闭猜测confined guessing技术实现EUF-ACMA安全性。

    提升SRAM芯片写能力的差分电源电路

    公开(公告)号:CN111710355B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202010433785.7

    申请日:2020-05-21

    摘要: 本发明公开了一种提升SRAM芯片写能力的差分电源电路,包括一个反相器和两个差分虚拟电源产生电路,两个差分虚拟电源产生电路镜像对称,将两个差分虚拟电源产生电路分别称为第一个差分虚拟电源产生电路和第二个差分虚拟电源产生电路,第一个差分虚拟电源产生电路包括第一个或非门、第一个PMOS管、第一个NMOS管、第二个NMOS管和第一个虚拟电源线,第二个差分虚拟电源产生电路包括第二个或非门、第二个PMOS管、第三个NMOS管、第四个NMOS管和第二个虚拟电源线;优点是具有较强的写驱动能力,应用于SRAM芯片时,不会导致SRAM芯片的面积和功耗大幅增加,且不会影响SRAM芯片的保持能力,提高SRAM芯片性能。

    一种后量子安全的签密算法

    公开(公告)号:CN111817853B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN201910907793.8

    申请日:2019-09-24

    IPC分类号: H04L9/32

    摘要: 本申请公开了一种后量子安全的签密算法,包括以下步骤:A、系统设置Setup(1n);B、密钥生成算法KeyGen(1n,PP);C、签密算法Signcrypt(msg∈{0,1}l,sks,pkr);D、解签密算法Unsigncrypt(C,skr,pks),本发明构造通用单向哈希函数,将中的元素映射为Rq中的向量。本发明引入封装的思想,结合划分partitioning技术、盆景树技术和调和技术实现CCA2安全性,利用变色龙哈希函数封闭猜测confined guessing技术实现EUF‑ACMA安全性。

    一种抗单粒子翻转的锁存器及数据触发器

    公开(公告)号:CN111211769B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202010016900.0

    申请日:2020-01-08

    IPC分类号: H03K19/003 H03K19/017

    摘要: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的锁存器和数据触发器,锁存器包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一传输门、第二传输门、第一正反馈环、第二正反馈环和第一双输入反相器,第一正反馈环包括第一存储节点、第二存储节点、第一三输入反相器和第一时控反相器,第二正反馈环包括第三存储节点、第四存储节点、第二三输入反相器和第二时控反相器,数据触发器包括主锁存器和从锁存器;优点是任何一个存储节点发生单粒子翻转事件时,待事件结束后可以恢复原来存储的数据,并且任何两个不同电势的存储节点发生单粒子翻转事件时,同样也可以恢复原来存储的数据,且时序开销较小。

    提升SRAM芯片写能力的差分电源电路

    公开(公告)号:CN111710355A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010433785.7

    申请日:2020-05-21

    摘要: 本发明公开了一种提升SRAM芯片写能力的差分电源电路,包括一个反相器和两个差分虚拟电源产生电路,两个差分虚拟电源产生电路镜像对称,将两个差分虚拟电源产生电路分别称为第一个差分虚拟电源产生电路和第二个差分虚拟电源产生电路,第一个差分虚拟电源产生电路包括第一个或非门、第一个PMOS管、第一个NMOS管、第二个NMOS管和第一个虚拟电源线,第二个差分虚拟电源产生电路包括第二个或非门、第二个PMOS管、第三个NMOS管、第四个NMOS管和第二个虚拟电源线;优点是具有较强的写驱动能力,应用于SRAM芯片时,不会导致SRAM芯片的面积和功耗大幅增加,且不会影响SRAM芯片的保持能力,提高SRAM芯片性能。

    一种抗单粒子翻转的锁存器及数据触发器

    公开(公告)号:CN111211769A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN202010016900.0

    申请日:2020-01-08

    IPC分类号: H03K19/003 H03K19/017

    摘要: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的锁存器和数据触发器,锁存器包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一传输门、第二传输门、第一正反馈环、第二正反馈环和第一双输入反相器,第一正反馈环包括第一存储节点、第二存储节点、第一三输入反相器和第一时控反相器,第二正反馈环包括第三存储节点、第四存储节点、第二三输入反相器和第二时控反相器,数据触发器包括主锁存器和从锁存器;优点是任何一个存储节点发生单粒子翻转事件时,待事件结束后可以恢复原来存储的数据,并且任何两个不同电势的存储节点发生单粒子翻转事件时,同样也可以恢复原来存储的数据,且时序开销较小。

    支持差分放大和单端放大两种功能的灵敏放大电路

    公开(公告)号:CN111710351A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010417531.6

    申请日:2020-05-18

    IPC分类号: G11C7/06 G11C7/08 G11C11/41

    摘要: 本发明公开了一种支持差分放大和单端放大两种功能的灵敏放大电路,包括预充电路、电压型灵敏放大器、基准电压电路、差分结构下拉网络对和单端下拉网络,当执行差分放大时,预充电路、基准电压电路和单端下拉网络闭关,第一个差分下拉网络和第二个差分下拉网络打开,两个差分输入信号的电压差被电压型灵敏放大器放大输出,当执行单端放大模式时,预充电路、第一个差分下拉网络和第二个差分下拉网络关闭,基准电压电路和单端下拉网络打开,单端输入信号与基准电压的电压差被电压型灵敏放大器放大后输出;优点是可以在差分放大功能和单端放大功能之间进行切换,使多端口存储器通过一个灵敏放大电路交叉实现差分放大和单端放大,成本低,电路面积小。