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公开(公告)号：CN103116144B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201310023657.5
申请日：2013-01-22
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 一种采用磁变轨结构的Z向磁场传感器，包括基底、两对输入输出电极、两对GMR敏感元件和GMR参考元件、以及呈对称布置的磁力线聚集器，两对输入输出电极镀于基底的表面，每对GMR敏感元件和GMR参考元件与一对输入输出电极构成惠斯通电桥；基底上设有两个对称的第一凹坑和第二凹坑，惠斯通电桥位于第一凹坑和第二凹坑之间，第一凹坑和第二凹坑内部平面、斜面以及凹坑边沿上均镀有软磁薄膜以形成依次布置的凹坑内聚集器、斜面聚集器、凹坑边沿聚集器，第一凹坑和第二凹坑之间的中间区域设有中心聚集器，进而形成磁力线聚集器。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、具有高分辨力等优点。
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公开(公告)号：CN105572610A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510977114.6
申请日：2015-12-23
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
CPC分类号： G01R33/093 , H01F5/003 , H01F41/042 , H01F41/127 , H01L43/02 , H01L43/12
摘要： 本发明公开了一种MEMS多层线圈及其制备方法，该MEMS多层线圈包括底层线圈和顶层线圈，所述底层线圈的上侧、所述顶层线圈的下侧均设有磁性调控层。制备方法包括以下步骤：S1：在玻璃基底上溅射沉积底层线圈金属层，刻蚀出底层线圈后去胶；S2：溅射沉积底绝缘层；S3：溅射沉积磁性层，刻蚀出磁性调控层，并形成用于形成导电通道的过孔后去胶；S4：溅射沉积顶绝缘层；S5：刻蚀出导电通道的导电通孔后去胶；S6：溅射沉积顶层线圈金属层，用刻蚀出顶层线圈后去胶。本发明的MEMS多层线圈能够实现平面内的高精度磁场调控且具有结构简单紧凑、体积小等优点；制备方法工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN103792501B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410029280.9
申请日：2014-01-22
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种桥接式石墨烯基磁传感器，包括第一桥墩组件、第二桥墩组件及架设于第一桥墩组件和第二桥墩组件上的桥梁石墨烯层，第一桥墩组件由第一桥墩石墨烯层、自由铁磁层和公共电极由上至下依次排列而成，第二桥墩组件由第二桥墩石墨烯层、固定铁磁层和偏置电极由上至下依次排列而成；桥梁石墨烯层的上方设有绝缘层，绝缘层的上方设置操控电极。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、具有高分辨力等优点。
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公开(公告)号：CN103323795B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310247033.1
申请日：2013-06-21
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 一种一体式三轴磁传感器，包括磁测量单元、软磁块、玻璃板和基座，所述磁测量单元为四个且呈十字型状对称布置在玻璃板上，所述玻璃板安装在基座的上方，所述基座的表面设有一个凹槽，所述软磁块放置于凹槽内且软磁块位于四个磁测量单元的中心处。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、分辨率高等优点。
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公开(公告)号：CN103323796A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310247035.0
申请日：2013-06-21
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器，包括两个磁力线聚集器、用来构成惠斯通测量电桥的四个MTJ磁敏感元件、四个电极及基底，两个磁力线聚集器呈对称状布置，两个所述MTJ磁敏感元件位于两个磁力线聚集器之间的间隙处，另外两个所述MTJ磁敏感元件分别位于两个磁力线聚集器的底部，每个所述MTJ磁敏感元件均包括由下至上依次堆叠排列的基底、底电极层、第一缓冲层、自由铁磁层、石墨烯势垒层、被钉扎铁磁层、钉扎层、第二缓冲层及顶电极层。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、具有高分辨力等优点。
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公开(公告)号：CN106646278A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611128681.5
申请日：2016-12-09
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
CPC分类号： G01R33/0011 , G01R33/0029 , G01R33/098
摘要： 本发明公开了一种利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件，包括绝缘基底和磁力线聚集器，所述磁力线聚集器的底面上绕设有底层线圈，所述磁力线聚集器的顶面上绕设有顶层线圈，所述底层线圈和顶层线圈一起形成绕设于磁力线聚集器上的电流线圈，所述磁力线聚集器呈回形结构且由两个采用高导磁材料生长在绝缘基底上形成的高导磁部件呈轴对称布置构成，两个高导磁部件之间设有间隙，所述绝缘基底上位于所述间隙内设有磁场敏感元件，所述绝缘基底上位于磁场敏感元件的上方设有微压电桥调制组件。本发明能够实现亚纳伏级别的低噪声放大，具有磁场聚集放大效果好、抗外磁场干扰性能好、体积小、电‑磁信号转化效率高的优点。
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公开(公告)号：CN103323796B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310247035.0
申请日：2013-06-21
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种以石墨烯作为势垒层的MTJ磁场传感器，包括两个磁力线聚集器、用来构成惠斯通测量电桥的四个MTJ磁敏感元件、四个电极及基底，两个磁力线聚集器呈对称状布置，两个所述MTJ磁敏感元件位于两个磁力线聚集器之间的间隙处，另外两个所述MTJ磁敏感元件分别位于两个磁力线聚集器的底部，每个所述MTJ磁敏感元件均包括由下至上依次堆叠排列的基底、底电极层、第一缓冲层、自由铁磁层、石墨烯势垒层、被钉扎铁磁层、钉扎层、第二缓冲层及顶电极层。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、具有高分辨力等优点。
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公开(公告)号：CN106646278B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201611128681.5
申请日：2016-12-09
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
摘要： 本发明公开了一种利用高分辨力磁场探测的低噪声MEMS前置放大器件，包括绝缘基底和磁力线聚集器，所述磁力线聚集器的底面上绕设有底层线圈，所述磁力线聚集器的顶面上绕设有顶层线圈，所述底层线圈和顶层线圈一起形成绕设于磁力线聚集器上的电流线圈，所述磁力线聚集器呈回形结构且由两个采用高导磁材料生长在绝缘基底上形成的高导磁部件呈轴对称布置构成，两个高导磁部件之间设有间隙，所述绝缘基底上位于所述间隙内设有磁场敏感元件，所述绝缘基底上位于磁场敏感元件的上方设有微压电桥调制组件。本发明能够实现亚纳伏级别的低噪声放大，具有磁场聚集放大效果好、抗外磁场干扰性能好、体积小、电‑磁信号转化效率高的优点。
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公开(公告)号：CN105572610B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510977114.6
申请日：2015-12-23
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
摘要： 本发明公开了一种MEMS多层线圈及其制备方法，该MEMS多层线圈包括底层线圈和顶层线圈，所述底层线圈的上侧、所述顶层线圈的下侧均设有磁性调控层。制备方法包括以下步骤：S1：在玻璃基底上溅射沉积底层线圈金属层，刻蚀出底层线圈后去胶；S2：溅射沉积底绝缘层；S3：溅射沉积磁性层，刻蚀出磁性调控层，并形成用于形成导电通道的过孔后去胶；S4：溅射沉积顶绝缘层；S5：刻蚀出导电通道的导电通孔后去胶；S6：溅射沉积顶层线圈金属层，用刻蚀出顶层线圈后去胶。本发明的MEMS多层线圈能够实现平面内的高精度磁场调控且具有结构简单紧凑、体积小等优点；制备方法工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN103792501A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410029280.9
申请日：2014-01-22
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： G01R33/09
摘要： 本发明公开了一种桥接式石墨烯基磁传感器，包括第一桥墩组件、第二桥墩组件及架设于第一桥墩组件和第二桥墩组件上的桥梁石墨烯层，第一桥墩组件由第一桥墩石墨烯层、自由铁磁层和公共电极由上至下依次排列而成，第二桥墩组件由第二桥墩石墨烯层、固定铁磁层和偏置电极由上至下依次排列而成；桥梁石墨烯层的上方设有绝缘层，绝缘层的上方设置操控电极。本发明具有结构简单紧凑、体积小、成本低廉、制作方便、具有高分辨率等优点。
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