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公开(公告)号:CN117042461A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202311055510.4
申请日:2023-08-21
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
发明人: 刘森 , 余世豪 , 李清江 , 宋兵 , 王琴 , 孙振源 , 曹荣荣 , 王义楠 , 刘海军 , 陈长林 , 王伟 , 李智炜 , 步凯 , 李楠 , 王玺 , 于红旗 , 刁节涛 , 徐晖
摘要: 本发明涉及一种铁电晶体管单元和制备方法,通过利用硅基MOSFET元件,以及在第一方向上顺序堆叠的底部电极、介电层和顶部电极设计所需单元结构,在介电层中,采用金属氧化物材料层这一普通介电层来分隔两铪基铁电材料层,以便在退火时在第一介电层和第三介电层中形成更小的晶粒,减小退火后铁电相的尺寸;同时,设计第二介电层的热膨胀系数要小于第一介电层和第三介电层,这样的热膨胀系数的调控,可以在退火的过程中形成层内的应力,以便在第一介电层和第三介电层中形成更多的铁电相晶粒,从而维持或者提升器件整体的剩余极化量,从而有效满足的多值非易失存储和存算一体技术的需求。
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公开(公告)号:CN117042462A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202311056579.9
申请日:2023-08-21
申请人: 中国人民解放军国防科技大学
发明人: 刘森 , 余世豪 , 李清江 , 宋兵 , 王琴 , 孙振源 , 曹荣荣 , 王义楠 , 刘海军 , 陈长林 , 王伟 , 李智炜 , 步凯 , 李楠 , 王玺 , 于红旗 , 刁节涛 , 徐晖
摘要: 本发明涉及一种铁电随机存储器单元和非易失存储器,该单元通过利用硅基MOSFET元件,以及在第一方向上顺序堆叠的底部电极、介电层和顶部电极设计所需单元结构,在介电层中,采用金属氧化物材料层这一普通介电层来分隔两铪基铁电材料层,如此,通过插入普通介电层来分隔两铪基铁电材料层,使得退火后铁电相的尺寸得以更有效的减小同时,结合热膨胀系数的调控使得器件整体的铁电相晶粒数量提升,从而有效提高器件的多值调控能力并且能够容易地控制器件中介电层的精细结构,利用铁电电容中的极化状态来实现信息的多值存储,有效满足多值非易失存储和存算一体技术的需求。
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