公开(公告)号：CN118485111A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410618901.0

申请日：2024-05-17

申请人： 中国人民解放军国防科技大学

发明人： 王义楠 ,  陈长林 ,  吴家栋 ,  卢伦 ,  李清江 ,  李智炜 ,  宋兵 ,  徐晖 ,  刁节涛 ,  于红旗 ,  刘海军 ,  刘森 ,  王玺 ,  王伟 ,  曹荣荣 ,  孙毅 ,  李楠 ,  步凯 ,  孙振源

IPC分类号： G06N3/0464 ,  G06N3/049 ,  G06N3/063

摘要： 本申请涉及脉冲神经网络的卷积资源调度装置、方法和设备，通过针对残差SNN网络中的脉冲残差模块之一核心模块，在FPGA芯片上进行硬件实现并加速，配合片外的DDR内存设计了新的脉冲神经网络的卷积资源调度装置整体实现方案，结合SNN多时间步计算的特点，设计了一次性缓存单个时间步图像，按通道分批复用计算资源来完成宽通道卷积计算的技术手段，来克服SNN网络算法中卷积通道数过大的问题，减少了从DDR读取权重的次数并确保脉冲残差模块中流水计算畅通，使得残差SNN网络中的脉冲残差模块的数据计算速度得到显著提升，而功耗大幅降低，大幅提高了数据处理加速性能。

公开(公告)号：CN117250777A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311216246.8

申请日：2023-09-20

申请人： 中国人民解放军国防科技大学

发明人： 孙振源 ,  宋兵 ,  李清江 ,  郝欣萌 ,  徐晖 ,  刘森 ,  王伟 ,  刘海军 ,  曹荣荣 ,  王义楠 ,  陈长林 ,  李智炜 ,  刁节涛 ,  王玺 ,  于红旗 ,  王琴 ,  步凯 ,  李楠

IPC分类号： G02F1/01

摘要： 本发明提出一种微环相变突触器件及其三维空间光调制方法、装置，微环相变突触器件包括衬底、直波导和环形波导，所述环形波导位于直波导的一侧，所述环形波导与直波导之间具有耦合距离，在所述环形波导的至少一处覆盖有相变层，所述相变层的相变材料为Ge2Sb2Te5。通过三维空间光调制微环相变突触器件其相变材料的晶化状态，实现通过光纤直接从顶部照射相变材料的方式对器件进行加热调制，使微环相变突触器件的状态实现切换。与电调相比，本发明大大优化了测试结构。与波导光调制方法相比，利用三维空间光调制方法对相变材料进行调制大大简化了调制光路，减小了调制难度，并能够实现多态，达到了光突触的多值要求。

公开(公告)号：CN117042461A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311055510.4

申请日：2023-08-21

申请人： 中国人民解放军国防科技大学

发明人： 刘森 ,  余世豪 ,  李清江 ,  宋兵 ,  王琴 ,  孙振源 ,  曹荣荣 ,  王义楠 ,  刘海军 ,  陈长林 ,  王伟 ,  李智炜 ,  步凯 ,  李楠 ,  王玺 ,  于红旗 ,  刁节涛 ,  徐晖

IPC分类号： H10B53/30 ,  H10B53/40

摘要： 本发明涉及一种铁电晶体管单元和制备方法，通过利用硅基MOSFET元件，以及在第一方向上顺序堆叠的底部电极、介电层和顶部电极设计所需单元结构，在介电层中，采用金属氧化物材料层这一普通介电层来分隔两铪基铁电材料层，以便在退火时在第一介电层和第三介电层中形成更小的晶粒，减小退火后铁电相的尺寸；同时，设计第二介电层的热膨胀系数要小于第一介电层和第三介电层，这样的热膨胀系数的调控，可以在退火的过程中形成层内的应力，以便在第一介电层和第三介电层中形成更多的铁电相晶粒，从而维持或者提升器件整体的剩余极化量，从而有效满足的多值非易失存储和存算一体技术的需求。

公开(公告)号：CN116347001A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310319111.8

申请日：2023-03-28

申请人： 中国人民解放军国防科技大学

发明人： 王伟 ,  李清江 ,  徐晖 ,  孙毅 ,  刁节涛 ,  刘海军 ,  王义楠 ,  于红旗 ,  王玺 ,  李楠 ,  步凯 ,  陈长林 ,  刘森 ,  宋兵 ,  李智炜 ,  王琴 ,  曹荣荣

IPC分类号： H04N5/14 ,  H04N25/70

摘要： 本发明实施例公开了一种基于忆阻器阵列的图像处理电路、方法及电子设备，包括：光传感器单元、转换单元、忆阻器单元阵列、第一开关单元以及第二开关单元；所述图像处理电路工作时，所述光传感器单元检测光学图像，并将检测到的光学数据输入至所述转换单元；所述转换单元将所述光学数据转换为电学数据，并向所述忆阻器单元阵列输出所述电学数据，以控制忆阻器单元阵列中各忆阻器单元的调制状态；所述第一开关单元和所述第二开关单元根据预设曝光模式以及所述光学图像的像素数据开通预设数量的开关，以使所述忆阻器单元阵列对所述光学图像进行预设图像处理。本发明将忆阻器阵列与光传感器相结合，能够实现大规模、低时延、低功耗的图像处理。

公开(公告)号：CN116185338A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310437683.6

申请日：2023-04-23

申请人： 中国人民解放军国防科技大学

发明人： 李清江 ,  王伟 ,  王义楠 ,  傅星智 ,  徐晖 ,  刁节涛 ,  刘海军 ,  于红旗 ,  李楠 ,  陈长林 ,  刘森 ,  宋兵 ,  李智炜 ,  曹荣荣 ,  王玺 ,  步凯 ,  王琴

IPC分类号： G06F7/523

摘要： 本申请涉及一种基于忆阻器的乘法器，包括1T1R阵列、乘数状态判断电路、N个开关模块和N个外围电路，在电路结构上基于已有的N bit加法器电路，增设了乘数状态判断电路计算中间变量，并在1T1R阵列中设计了第三1T1R子阵列，第三1T1R子阵列中包括4N个1T1R单元以及相邻两个1T1R单元之间的MOS管，构成移位操作电路，从而构建出N bit乘法器电路。设计的乘法器采用了组合式1T1R阵列，主体保留了1T1R阵列结构特点，集成难度远远低于分离式1T1R阵列或MAD结构等，达到了低时延、小面积且易于集成的技术效果。

公开(公告)号：CN115983338A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211616744.7

申请日：2022-12-15

申请人： 中国人民解放军国防科技大学

发明人： 陈长林 ,  于红旗 ,  刘海军 ,  刘彪 ,  李清江 ,  王义楠 ,  王伟 ,  刘森 ,  李智炜 ,  宋兵 ,  步凯 ,  王琴 ,  曹荣荣 ,  王玺 ,  李楠 ,  徐晖 ,  刁节涛

IPC分类号： G06N3/0464 ,  G06N3/048 ,  G06N3/063 ,  G06N3/08 ,  G06F7/523

摘要： 本申请实施例提供了一种稀疏卷积神经网络的数据处理单元，涉及数据处理领域。包括权重存储模块、激活缓存模块、权重解码模块、激活解码模块、权重加载队列、激活加载队列和运算与输出缓存模块；权重存储模块和激活缓存模块用于暂存数据，权重解码模块和激活解码模块用于对稀疏编码的数据进行解码；权重加载队列和激活加载队列用于将数据加载入运算与输出缓存模块；运算与输出缓存模块用于对权重和激活数据进行乘累加运算并将乘累加运算结果暂存在输出缓存中。本申请实施例可以并行读取多个激活数据和卷积权重，极大地提高了加载速度；大部分时钟周期内乘法器都能得到有效应用；卷积结果缓存寻址逻辑简单，避免了寻址拥塞问题。

公开(公告)号：CN111582461B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202010438307.5

申请日：2020-05-21

申请人： 中国人民解放军国防科技大学

发明人： 李智炜 ,  李清江 ,  徐晖 ,  李纪伟 ,  李楠 ,  刁节涛 ,  陈长林 ,  宋兵 ,  刘森 ,  王义楠 ,  王伟 ,  于红旗 ,  刘海军 ,  步凯 ,  王玺

IPC分类号： G06N3/049 ,  G06N3/063

摘要： 本发明实施例公开了一种神经网络训练方法、装置、终端设备和可读存储介质，应用于忆阻器脉冲神经网络，忆阻器脉冲神经网络中每一突触仅包含一个忆阻器，该方法包括：根据预设的区域划分规则将待输入至输入神经元的数据样本单元划分为LC个子区域；将第lc个子区域内的每一个最小单元对应输入至一个输入神经元；根据第lc个子区域对应的输入神经元以及与对应的输入神经元连接的隐层神经元，构造第lc个局部连接子网络；将LC个局部连接子网络中所有隐层神经元的输出与各个输出神经元连接；将第lc个局部连接子网络作为最小训练单元进行训练。本方案避免构造复杂的硬件连接网络，解决硬件实现上存在功效低、资源开销大和电路实现复杂等问题。

公开(公告)号：CN111582460B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202010438305.6

申请日：2020-05-21

申请人： 中国人民解放军国防科技大学

发明人： 李楠 ,  李清江 ,  刘森 ,  李纪伟 ,  徐晖 ,  刁节涛 ,  陈长林 ,  宋兵 ,  王义楠 ,  刘海军 ,  于红旗 ,  李智炜 ,  王伟 ,  王玺 ,  步凯

IPC分类号： G06N3/049 ,  G06N3/063

摘要： 本发明实施例公开了一种隐层神经元自适应激活方法、装置和终端设备，应用于忆阻器脉冲神经网络，所述忆阻器脉冲神经网络中每一突触仅包含一个忆阻器，该方法包括：根据同一层中各个隐层神经元的输入电流计算平均输入电流；将所述平均输入电流注入到所述各个隐层神经元；根据预设的放电顺序规则控制相应的输入电流大于所述平均输入电流的隐层神经元依次放电；根据各个放电的隐层神经元的放电次序，确定所述各个放电的隐层神经元的激活值；利用所述激活值对应激活所述各个放电的隐层神经元。本方案所提供的隐层神经元自适应激活技术，实现了隐层神经元之间的侧向抑制；并且每一突触可以仅包含一个忆阻器，避免构造复杂的硬件连接网络。

公开(公告)号：CN110113049B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201910291499.9

申请日：2019-04-12

申请人： 中国人民解放军国防科技大学

发明人： 王义楠 ,  李楠 ,  刘翔宇 ,  李清江 ,  李智炜 ,  刘桂青 ,  刘海军 ,  于红旗 ,  王玺 ,  步凯 ,  刁节涛 ,  徐晖

IPC分类号： H03M1/10 ,  H03M1/06

摘要： 本发明涉及一种双通道TIADC非线性失配自适应估计方法，该方法适用于各种带宽的信号。利用被校准的信号构造伪校准失真，将其与被校准的信号做时延为零的互相关，当互相关为零时，失配系数就被正确地估计出来。本方法尤其适合于窄带信号，并没有显著增加滤波器设计的复杂度。

公开(公告)号：CN113131939A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110435435.9

申请日：2021-04-22

申请人： 中国人民解放军国防科技大学

发明人： 陈长林 ,  王义楠 ,  李清江 ,  王伟 ,  刘森 ,  李智炜 ,  刘海军 ,  宋兵 ,  步凯 ,  王琴 ,  曹荣荣 ,  于红旗 ,  王玺 ,  李楠 ,  徐晖 ,  刁节涛

IPC分类号： H03M1/34

摘要： 本申请提供了一种电流读出电路及忆阻器阵列列电流读出电路，其中，电流读出电路包括：偏置电路、深度负反馈电路、电流衰减电路和积分点火电路；电流衰减电路分别与偏置电路、深度负反馈电路、积分点火电路连接；深度负反馈电路还与偏置电路连接，并均连接忆阻器阵列电路的列线输出端；偏置电路用于为深度负反馈电路提供合适的偏置；深度负反馈电路用于将忆阻器阵列电路的列线电压进行箝位；电流衰减电路用于将忆阻器阵列电路的列线电流进行预设比例衰减，并将衰减后的电流输入积分点火电路，以使积分点火电路输出数字脉冲信号。本申请能够实现忆阻器阵列电路列电流的高效准确读取，提高基于忆阻器阵列实现乘累加运算的计算准确度。