一种针对FPGA内部RAM的单粒子翻转检测方法

    公开(公告)号:CN116153380A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202211546628.2

    申请日:2022-12-05

    IPC分类号: G11C29/56 G11C29/42 G11C29/44

    摘要: 本发明公开了一种针对FPGA内部RAM的单粒子翻转检测方法,涉及芯片单粒子效应试验技术领域,包括待测试FPGA芯片,实验环境中,中子源持续不断的发出高能中子,待测试FPGA芯片放置在靠近中子源处,承受高能中子的辐射;然后,待测试FPGA芯片中运行测试程序来捕获因高能中子而引起的单粒子翻转现象,然后交换机放置在实验环境中远离中子源辐射的位置并做好屏蔽措施。该针对FPGA内部RAM的单粒子翻转检测方法,针对FPGA内部RAM的单粒子翻转检测,可以直接使用已有的带FPGA芯片的单板进行中子辐射实验,无需重新设计、生产专用的测试单板,降低了实验的硬件成本。