一种针对FPGA内部RAM的单粒子翻转检测方法

    公开(公告)号:CN116153380A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202211546628.2

    申请日:2022-12-05

    Abstract: 本发明公开了一种针对FPGA内部RAM的单粒子翻转检测方法,涉及芯片单粒子效应试验技术领域,包括待测试FPGA芯片,实验环境中,中子源持续不断的发出高能中子,待测试FPGA芯片放置在靠近中子源处,承受高能中子的辐射;然后,待测试FPGA芯片中运行测试程序来捕获因高能中子而引起的单粒子翻转现象,然后交换机放置在实验环境中远离中子源辐射的位置并做好屏蔽措施。该针对FPGA内部RAM的单粒子翻转检测方法,针对FPGA内部RAM的单粒子翻转检测,可以直接使用已有的带FPGA芯片的单板进行中子辐射实验,无需重新设计、生产专用的测试单板,降低了实验的硬件成本。

    一种可纠错且防数据丢失的FLASH冗余文件系统

    公开(公告)号:CN115658379A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211388327.1

    申请日:2022-11-08

    Abstract: 本发明涉及一种可纠错且防数据丢失的FLASH冗余文件系统,输入FLASH模块,所述输入FLASH模块用于接收CPU发送的FLASH控制命令,并进行加载FLASH业务插件;数据保存模块,所述数据保存模块用于对数据进行区分以及命令数据的保存核对;读取模块,所述读取模块用于读取FLASH文件,并对FLASH文件进行解析;执行模块,所述执行模块用于对FLASH控制命令进行执行;数据纠错模块,用于对读取模块中读取的FLASH文件进行数据纠错。本发明的有益效果是:该一种可纠错且防数据丢失的FLASH冗余文件系统在运行的过程中可以防止FLASH文件的丢失,使FLASH冗余文件系统运行的更加稳定,在运行数据发生错误的时候,该系统可以进行及时的纠错。

Patent Agency Ranking