公开(公告)号：CN116959967A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310787715.5

申请日：2023-06-29

申请人： 中国原子能科学研究院

发明人： 刘翠翠 ,  郭刚 ,  史慧琳 ,  张付强 ,  刘建成

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L29/872

摘要： 本发明涉及一种改善碳化硅肖特基二极管抗单粒子效应能力的方法，属于半导体材料技术领域，该方法包括：S1、将待辐照SiC JBS器件分组，将同型号器件固定在多自由度样品运动控制平台上；S2、对样品辐照靶室抽真空；S3、改变加速器质子束流参数，开展不同辐照条件下的验证实验，确定改善SiC JBS器件抗单粒子效应能力的最优参数；S4、重复步骤S1‑S3，获得改善不同型号器件抗单粒子效应能力的最优参数；S5、针对某个型号器件，设置与之匹配的最优加速器质子束流参数，开展批量化辐照；S6、辐照结束后对器件进行室温退火，最后进行电学性能测试和抗单粒子效应能力验证。本发明提供的方法能够快速批量完成SiC JBS半封装器件、裸片以及晶圆的抗单粒子效应能力改善。

公开(公告)号：CN118946081A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410831506.0

申请日：2024-06-25

申请人： 中国原子能科学研究院

发明人： 张峥 ,  郭刚 ,  陈启明 ,  刘建成 ,  孙浩瀚 ,  韩金华 ,  张艳文 ,  张付强 ,  殷倩 ,  赵树勇 ,  隋丽 ,  刘翠翠 ,  马旭 ,  李理

IPC分类号： H05K7/20 ,  G21K5/00

摘要： 本发明涉及一种用于真空辐射环境下的电子元器件散热方法及系统，所述系统基于重离子辐照真空靶室，包括一用于容纳电子元器件的热交换平台；一与热交换平台相连接的输送管道；一冷却剂储存箱；一温度传感器；一PID温控仪；通过控制冷却剂流速，进而控制电子元器件的温度，通过输送管道将冷却剂储存箱中的低温冷却剂输送到热交换平台，通过热交换平台将电子元器件产生的热量传递至低温冷却剂，通过输送管道将吸收热量后的冷却剂输送到真空室外，冷却剂吸收到的热量被释放到大气环境。采用本发明中公开的方法，能够将电子元器件降至预设温度，获得不同温度下电子元器件的单粒子效应截面，为研究电子元器件单粒子效应的物理机制奠定基础。

公开(公告)号：CN118914789A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410826287.7

申请日：2024-06-25

申请人： 中国原子能科学研究院

发明人： 张峥 ,  郭刚 ,  陈启明 ,  孙浩瀚 ,  刘建成 ,  韩金华 ,  张艳文 ,  张付强 ,  殷倩 ,  隋丽 ,  赵树勇 ,  刘翠翠 ,  马旭 ,  李理

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及一种高压功率器件单粒子效应批量化测试方法及系统，包括测试板、计算机、样品架、粒子注量测量模块以及束流开关模块；测试板上设置单粒子效应测试电路，单粒子效应测试电路用于对待测器件施加偏置电压并对栅极电流和漏极电流进行实时监测记录，计算机内置控制软件，用于记录单粒子效应数据、控制样品板移动、记录辐照粒子数以及控制束流开关模块；样品架用于将待测器件移动到束流线中心；粒子注量测量模块用于检测辐照到器件表面上的粒子数，束流开关模块用于控制粒子束流的通断。采用本发明中公开的方法，能够快速准确地实现器件单粒子效应截面数据的自动化测量，为器件在轨故障率预估和航天器电子元器件选型奠定基础。

公开(公告)号：CN118052115A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410016897.0

申请日：2024-01-04

申请人： 中国原子能科学研究院

发明人： 韩金华 ,  郭刚 ,  殷倩 ,  刘翠翠

IPC分类号： G06F30/25 ,  G01T3/00 ,  G01T1/00 ,  G01R31/00 ,  G06F111/08

摘要： 本发明涉及一种核反应在半导体材料中引发的非电离能损的计算方法，该方法在采用蒙特卡罗程序模拟辐射粒子与半导体材料的核反应时，通过设置核反应截面的偏倚倍数b，使核反应截面增大为实际的b倍，保证在极薄的半导体材料靶中获得足够的核反应事件数，这会使计算得到的非电离能损更为精确。本发明可在较短模拟时间内获得足够的核反应事件数目，这样就可以更为高效地获得更为精确的质子在半导体材料中发生核反应引发的非电离能损。该方法不仅可以用于质子在半导体材料中通过核反应引发的非电离能损的模拟计算，对于中子、α粒子或重离子等在半导体材料中通过核反应引发的非电离能损的模拟计算也同样适用。

公开(公告)号：CN116190229A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310108186.1

申请日：2023-02-01

申请人： 中国原子能科学研究院

发明人： 张峥 ,  郭刚 ,  陈启明 ,  赵树勇 ,  刘翠翠 ,  孙浩瀚 ,  刘建成

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/263

摘要： 本发明涉及一种改善氮化镓高电子迁移率晶体管性能的方法，属于第三代半导体材料技术领域，该方法包括以下步骤：S1、准备多个待辐照实验的GaN HEMT并分组；S2、将GaN HEMT固定在中能质子辐照终端的样品平台上；S3、对各组GaN HEMT依次开展辐照实验，对每组仅改变一个辐照参数；然后对辐照后的GaN HEMT进行电学性能综合测试，从而获得中能质子辐照参数与GaN HEMT电学参数间的相互依赖关系，根据所述关系确定改善GaN HEMT电学性能的最佳中能质子辐照参数组；S4、以最佳中能质子辐照参数组为固定参数，进行GaN HEMT的大批量辐照；S5、利用功率器件专用测试设备进行性能测试，筛选出性能得到改善且一致性满足要求的器件。本发明提供的方法能够获得综合性能更加突出的GaN HEMT器件。