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公开(公告)号：CN118946081A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410831506.0
申请日：2024-06-25
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明涉及一种用于真空辐射环境下的电子元器件散热方法及系统，所述系统基于重离子辐照真空靶室，包括一用于容纳电子元器件的热交换平台；一与热交换平台相连接的输送管道；一冷却剂储存箱；一温度传感器；一PID温控仪；通过控制冷却剂流速，进而控制电子元器件的温度，通过输送管道将冷却剂储存箱中的低温冷却剂输送到热交换平台，通过热交换平台将电子元器件产生的热量传递至低温冷却剂，通过输送管道将吸收热量后的冷却剂输送到真空室外，冷却剂吸收到的热量被释放到大气环境。采用本发明中公开的方法，能够将电子元器件降至预设温度，获得不同温度下电子元器件的单粒子效应截面，为研究电子元器件单粒子效应的物理机制奠定基础。
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公开(公告)号：CN118914789A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410826287.7
申请日：2024-06-25
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种高压功率器件单粒子效应批量化测试方法及系统，包括测试板、计算机、样品架、粒子注量测量模块以及束流开关模块；测试板上设置单粒子效应测试电路，单粒子效应测试电路用于对待测器件施加偏置电压并对栅极电流和漏极电流进行实时监测记录，计算机内置控制软件，用于记录单粒子效应数据、控制样品板移动、记录辐照粒子数以及控制束流开关模块；样品架用于将待测器件移动到束流线中心；粒子注量测量模块用于检测辐照到器件表面上的粒子数，束流开关模块用于控制粒子束流的通断。采用本发明中公开的方法，能够快速准确地实现器件单粒子效应截面数据的自动化测量，为器件在轨故障率预估和航天器电子元器件选型奠定基础。
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公开(公告)号：CN116190229A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310108186.1
申请日：2023-02-01
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/263
摘要： 本发明涉及一种改善氮化镓高电子迁移率晶体管性能的方法，属于第三代半导体材料技术领域，该方法包括以下步骤：S1、准备多个待辐照实验的GaN HEMT并分组；S2、将GaN HEMT固定在中能质子辐照终端的样品平台上；S3、对各组GaN HEMT依次开展辐照实验，对每组仅改变一个辐照参数；然后对辐照后的GaN HEMT进行电学性能综合测试，从而获得中能质子辐照参数与GaN HEMT电学参数间的相互依赖关系，根据所述关系确定改善GaN HEMT电学性能的最佳中能质子辐照参数组；S4、以最佳中能质子辐照参数组为固定参数，进行GaN HEMT的大批量辐照；S5、利用功率器件专用测试设备进行性能测试，筛选出性能得到改善且一致性满足要求的器件。本发明提供的方法能够获得综合性能更加突出的GaN HEMT器件。
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公开(公告)号：CN115903963A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211285739.2
申请日：2022-10-20
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： G05D23/30
摘要： 本发明公开了一种应用于重离子微束辐照装置的温度控制系统及方法，包括无氧铜底座、电阻加热器、温度计、PID温控仪；无氧铜底座位于重离子微束辐照装置靶室内；设有液氮腔；在底座上设置电阻加热器及温度计，通过与PID温控仪连接监测底座上的温度，控制电阻加热器的输出加热功率，控制加热温度，结合液氮降温实现无氧铜底座上的温度精确控制；本发明在结构复杂，布局紧凑的重离子微束辐照装置靶室内有效的实现了对温度的精确控制，可实现有效模拟在100K～450K内太空高低温环境，为单粒子效应的温度效应研究提供重要技术支撑。
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公开(公告)号：CN116400396A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310201064.7
申请日：2023-03-02
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明涉及一种基于重离子回旋加速器的单粒子效应模拟辐照装置，属于抗辐射加固技术领域，该装置包括混合束切换模块、束流线扩束模块、诊断靶室和辐照靶室，诊断靶室内设有束流在线监督模块，辐照靶室内设有束流测量模块，它们之间均通过管道连接；混合束切换模块用于快速提供单离子束流，经束流线扩束模块扩束后得到大面积均匀化的单离子束流，扩束后的单离子束流辐照到辐照靶室内的待测器件上；辐照过程中，通过束流在线监督模块对单离子束流的注量/注量率及束斑均匀性进行监督，通过束流测量模块对束流能量和注量率进行测量。使用本发明提供的装置能够解决大面积均匀束斑的生成、引出到辐照靶室进行辐照、快速换样等问题。
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公开(公告)号：CN115798777A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211285747.7
申请日：2022-10-20
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明涉及一种用于芯片总剂量效应模拟的伽马辐照试验装置，包括样品安装子装置和屏蔽子装置，样品安装子装置用于安装实验样品，屏蔽子装置设置于样品安装子装置的前侧，以降低升降源过程中钴源对样品的辐照剂量；通过采用高Z材料的快门和准直器进行辐射屏蔽，能够避免大幅降低辐射场的均匀性，同时有效降低升源和降源过程中的累积剂量在总辐照剂量中的占比，从而提高辐照到芯片样品上的伽马剂量的测量准确性。采用本发明中公开的装置，在满足辐照到芯片样品上伽马不均匀性小于10％的基础上，降低升源和降源过程中的累积剂量在总辐照剂量中的占比，以提高辐照到芯片样品上的伽马剂量的测量准确性，为芯片总剂量效应试验评估奠定可靠基础。
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公开(公告)号：CN115762845A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211444319.4
申请日：2022-11-18
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： G21K5/04
摘要： 本发明涉及一种紧凑型多功能靶室装置，包括靶室主体，所述靶室主体上设有用于抽真空的泵口，在靶室主体内沿束流入射方向的最前方设有束斑观测系统，所述束斑观测系统后方设置束流监测系统，所述束流监测系统的后方设置小样品快速换样系统，所述小样品快速换样系统的后方设置束流诊断系统，所述束流诊断系统的后方设置高低温控制系统。本发明可以用一个靶室准确方便的对离子束流进行诊断，进行样品辐照，对样品进行温度控制等操作，操作简便，节约了大量制作成本，实现了功能多样化。
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公开(公告)号：CN116643305A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310345690.3
申请日：2023-04-03
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于离子束流测量技术领域，具体涉及一种适用于大范围重离子束流的测量监督装置，包括一端设有入射口(6)的辐照靶室(1)，所述辐照靶室(1)内设有样品移动平台(2)，所述样品移动平台(2)上设有测量探测器，所述测量探测器用于测量从所述入射口(6)中进入的重离子束流的注量率，所述入射口(6)上设有准直器。本发明能够在器件辐照前准确测量不同高度位置处注量率，保障辐照数据的准确性；还能够在器件辐照过程中准确监督辐照到器件表面的总注量且不影响器件辐照实验研究，为星载电子学元器件的抗辐射研究提供基础数据。
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公开(公告)号：CN116080939A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310125923.9
申请日：2023-02-01
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： B64G7/00
摘要： 本发明涉及一种月球辐射环境模拟装置及试验方法，属于探月工程技术领域，该装置包括离子束流发射系统、束流控制系统、束流品质测量系统、束流监督系统、温度控制系统、样品板运动控制系统、束流管道和真空辐照靶室，待辐照器件放置在温度控制系统的温度试验箱内，温度试验箱底部固定在多自由度样品平台上，它们整体处在真空辐照靶室中，离子束流发射系统发射的离子束流进入束流管道中传输，经束流控制系统的参数调节后辐照到器件上；试验过程中通过束流品质测量系统保证束流品质，通过束流监督系统监测离子注量，保证辐照到器件上的离子注量达到相应的规定值。本发明提供的装置及方法能够同时模拟月球表面的辐射环境和极端温度环境。
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公开(公告)号：CN115795799A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211353633.1
申请日：2022-11-01
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： G06F30/20 , G01R31/00 , G06F111/10
摘要： 本发明涉及一种太阳质子能谱调制器设计方法，包括步骤：计算地球同步轨道太阳质子能谱的积分总面积；将地球同步轨道太阳质子能谱划分为多个能谱区间，并求解每个区间质子能量的平均值；根据每个区间质子能量平均值，计算每一段能谱区间在整个地球同步轨道太阳质子能谱中的占比；选择材料总厚度，并依次按照每一段能谱区间对应平均能量所需将能材料的厚度及对应面积的占比，以预设形状对材料总厚度进行削减，形成降能片；对降能片进行支撑，并使降能片可按设定速度沿几何中心旋转。本发明还提供一种太阳质子能谱调制器设计系统，采用本发明所述的太阳质子能谱调制器设计方法及系统可获得能够比拟空间太阳质子能谱的辐射环境。
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