一种纳米晶NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN114672778A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202210337478.8

    申请日:2022-03-31

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/16 C22C30/00

    摘要: 本发明公开了一种纳米晶NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层及其制备方法,Ti的原子百分数为2.6‑20.7at.%,其余为等原子比的NbMoTaW。在单面抛光的单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备NbMoTaWTi难熔高熵合金涂层,其中NbMoTaW合金靶采用直流电源,Ti靶采用射频电源;Ti含量的变化通过调控Ti靶的沉积功率来实现,不易造成靶材元素的团聚和反溅射现象,保证涂层微观组织均匀。沉积结束后样品在高真空沉积室中充分冷却至室温后取出,所得涂层样品成分均匀、组织致密。合金化Ti元素的添加,在保持良好力学性能的前提下,有效改善了NbMoTaW难熔高熵合金涂层的耐液态铅铋合金溶液腐蚀性能。

    一种纳米晶TaNbTi中熵合金涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN114592170A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210336453.6

    申请日:2022-03-31

    IPC分类号: C23C14/18 C23C14/35

    摘要: 本发明公开了一种纳米晶TaNbTi中熵合金涂层及其制备方法,其组成元素Ta、Nb、Ti为等原子比。在单面抛光的单晶硅基体上采用直流磁控溅射的方法制备TaNbTi难熔中熵合金涂层,靶材为TaNbTi单一合金靶,采用直流电源,功率为200W,工作气压设定值为0.3Pa,沉积温度为室温,基盘转速为15r/min。本发明通过直流磁控溅射技术制备的TaNbTi难熔中熵合金涂层,微观组织致密均匀,缺陷少,内部合金元素分布均匀,截面晶粒为柱状纳米晶。本发明的TaNbTi难熔中熵合金涂层具有优异的力学性能和抗氧化性能。

    陶瓷氧化物涂层及其制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116254494A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310002913.6

    申请日:2023-01-03

    摘要: 本发明的实施例涉及液态金属工艺领域,具体涉及一种陶瓷氧化物涂层及其制备方法,该陶瓷氧化物涂层表面为凹凸结构,陶瓷氧化物涂层被配置为覆盖于基体结构表面,覆盖有陶瓷氧化物涂层的基体结构适用于容纳液态金属。本发明提供的陶瓷氧化物涂层,改善液态金属在高温条件下因在材料表面迅速浸润而导致的表面沾污难以清除等问题。并且本发明提供的涂层可以在大多数金属基体上实现,在制备了该涂层的引流材料上,可以实现在150℃‑400℃温度范围内引流装置不会发生表面沾污现象,解决了液态金属引流装置的清洁问题和液态金属在引流过程中发生的粘连浪费问题,给实际应用带来极大方便。

    一种氧化锆陶瓷金属化金基浆料、金属化层、制备方法

    公开(公告)号:CN113754471B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202111142912.9

    申请日:2021-09-28

    IPC分类号: C04B41/88

    摘要: 本申请实施例公开了一种氧化锆陶瓷金属化金基浆料、金属化层、制备方法,涉及钎焊的预处理材料领域,具有一定的抗辐照功能,可以满足在具有抗辐照剂量的情况下作为氧化锆陶瓷素坯表面的金属化层和其他塑性金属钎焊。该氧化锆陶瓷金属化金基浆料、金属化层、制备方法包括有以下质量分数的组成成分:0~20%的无机氧化物、15~30%的有机溶剂、5~30%其它的有机添加剂、5~30%的超细钯粉,余量为超细金粉。本申请的氧化锆陶瓷金属化金基浆料用于实现氧化锆陶瓷金基金属化。

    一种氧含量调节回路及反应系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114898903A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210434000.7

    申请日:2022-04-24

    摘要: 本申请实施例公开了一种氧含量调节回路及反应系统,涉及核工程及核技术领域,可以对反应堆内铅铋冷却剂的溶解氧含量的调节和控制,保障反应堆的安全运行,且氧含量调节回路中的各个部分可以模块化安装、具有多用多备,高效安装的特点。该氧含量调节回路包括循环回路、氧含量控制单元和回路驱动件,其中,循环回路,用于与反应堆内的铅铋冷却剂连通;氧含量控制单元设置在循环回路内与循环回路连通,用于调节铅铋冷却剂中的氧含量;回路驱动件设置在循环回路上,用于驱动反应堆内的铅铋冷却剂在循环回路中流动。该氧含量调节回路用于对反应堆内的溶解氧含量进行调节。

    用于铅铋冷却反应堆的钋去除系统和方法

    公开(公告)号:CN114887445A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210293734.8

    申请日:2022-03-24

    IPC分类号: B01D53/04 B01D53/82 G21F9/02

    摘要: 本发明的实施例公开了一种用于铅铋冷却反应堆的钋去除系统和方法。其中,所述钋去除系统与所述铅铋冷却反应堆的反应堆容器连接,用于去除所述反应堆容器中覆盖气体中的钋气溶胶。所述钋去除系统包括:吸附装置,所述吸附装置内安装有吸附模块,所述吸附模块用于吸附所述覆盖气体中的钋;气体循环管路,设置于所述吸附装置与所述反应堆容器之间,所述气体循环管路上设置有循环泵,所述循环泵用于将所述反应堆容器内的覆盖气体输送至所述吸附装置并将吸附净化后的覆盖气体输送回所述反应堆容器;钋监测装置,设置于所述气体循环管路上,用于监测所述覆盖气体中的钋含量。

    一种氧含量调节模块及反应系统

    公开(公告)号:CN114864120A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210453884.0

    申请日:2022-04-24

    IPC分类号: G21C19/31

    摘要: 本申请实施例公开了一种氧含量调节模块及反应系统,涉及核工程及核技术领域,该氧含量调节模块可以安装在铅铋合金回路试验装置上,非能动的开展铅铋合金回路试验装置中铅铋合金的溶解氧含量的控制和调节,具有安全、可靠和稳定的特性。该氧含量控制模块包括支路管道用于与铅铋合金回路主管道连通,支路管道上设置有低压部和高压部,铅铋合金回路主管道内的铅铋合金至少有一部分从支路管道的高压部流向低压部,支路管道的低压部的直径小于高压部的直径;氧控管道的一端与支路管道的高压部连通,氧控管道的另一端与支路管道的低压部连通,氧控管道内设有氧控反应件。该氧含量调节模块调节铅铋合金回路试验装置中铅铋合金的溶解氧含量。