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公开(公告)号：CN104950269B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510442179.0
申请日：2015-07-24
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： G01R33/12
摘要： 本发明属于物理及半导体测量技术领域，具体为二维磁场探针台测量系统。测量系统包括基座、二维磁场电磁铁、置于电磁铁磁极中央并固定于基座上的载物台卡盘、探针平台和显微测量装置，探针平台中间开口，沿开口环绕放置有若干直流、高频探针座和探针，探针通过开口接触载物台卡盘上的样品；多种直流及高频仪器，连接探针测量磁场环境下的样品；本发明为集成化智能化的二维磁场探针台测量系统，可实现二维磁场探针测量功能；可放置更多的探针座和探针，从而实现磁场环境下更为复杂的测量；本发明机械振动小、灵活性好、性价比高，应用场景广泛。
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公开(公告)号：CN114006242A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111293806.0
申请日：2021-11-03
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种偏振可调控的反射式太赫兹发生器，将多层膜结构的自旋太赫兹源与由金属线栅和金属底层构成的金属微阵列结构集成在同一衬底中，通过自旋太赫兹源可以辐射出线偏振太赫兹波，通过外加磁场可以对辐射出的线偏振太赫兹波的偏振方向进行调控。该线偏振太赫兹波与反射型的金属微阵列结构相互作用，最终反射出不同偏振态的太赫兹波。具体的，当外加磁场方向与金属线栅平行或者垂直时，辐射的太赫兹波为线偏振；外加磁场方向与金属线栅成45°夹角时，辐射的太赫兹波为圆偏振光；外加磁场方向与金属线栅成其他角度时，辐射的太赫兹波为椭圆偏振。通过调整外加磁场的方向，可以简便调节太赫兹波的偏振模式。
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公开(公告)号：CN108963724A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810861154.8
申请日：2018-08-01
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01S1/02
CPC分类号： H01S1/02
摘要： 本发明提供了一种介质‑金属光子晶体、其制备方法和太赫兹脉冲发生器，所述介质‑金属光子晶体具有下式所示的多层复合结构：[介质层/金属层]n/绝缘衬底；其中，n为1～10之间的整数；所述金属层为磁性纳米薄膜和非磁性纳米薄膜交替复合形成的多层结构。与现有技术相比，本发明提供的介质‑金属光子晶体采用特定结构，一方面能够更大程度上吸收激光能量，激发每个金属层产生太赫兹脉冲，另一方面能够使每个金属层产生的太赫兹波相干叠加，从而使太赫兹强度获得极大增强；应用于太赫兹脉冲发生器能够最大限度的利用飞秒激光能量，从而极大地提升太赫兹强度，且频谱宽、偏振可调。
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公开(公告)号：CN108023263A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711155444.2
申请日：2017-11-20
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01S1/02
摘要： 本发明公开了一种磁场和电压调控的太赫兹脉冲发生器，其具体结构包括：铁磁纳米层/LaAlO3纳米层/SrTiO3衬底/底电极，LaAlO3纳米层和SrTiO3衬底的界面形成有二维电子气；通过飞秒激光脉冲泵浦铁磁纳米层，激发超快自旋流从铁磁纳米层注入二维电子气中，二维电子气中的反Edelstein效应使超快自旋流转换为皮秒量级的瞬时电荷流，从而向两侧辐射出太赫兹脉冲；外加磁场施加于铁磁纳米层面内，改变外加磁场方向可调控太赫兹脉冲的偏振方向；在铁磁纳米层和底电极之间施加电压，可调控太赫兹脉冲的偏振、强度和频谱宽度；因此本发明可在单一器件上实现不同偏振、强度、频谱宽度等的太赫兹脉冲产生。
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公开(公告)号：CN104950269A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510442179.0
申请日：2015-07-24
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： G01R33/12
摘要： 本发明属于物理及半导体测量技术领域，具体为二维磁场探针台测量系统。测量系统包括基座、二维磁场电磁铁、置于电磁铁磁极中央并固定于基座上的载物台卡盘、探针平台和显微测量装置，探针平台中间开口，沿开口环绕放置有若干直流、高频探针座和探针，探针通过开口接触载物台卡盘上的样品；多种直流及高频仪器，连接探针测量磁场环境下的样品；本发明为集成化智能化的二维磁场探针台测量系统，可实现二维磁场探针测量功能；可放置更多的探针座和探针，从而实现磁场环境下更为复杂的测量；本发明机械振动小、灵活性好、性价比高，应用场景广泛。
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公开(公告)号：CN116165163A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111405388.X
申请日：2021-11-24
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： G01N21/3586 , G01N21/01
摘要： 本发明公开了一种太赫兹时域光谱测试设备，包括：用于输出飞秒激光的激光器；设置在激光器的输出光路上，用于将飞秒激光分成探测激光、第一泵浦激光和第二泵浦激光的分光元件；设于磁场中，用于接收第一泵浦激光和第二泵浦激光分别从前后两个表面照射，并产生第一太赫兹脉冲和第二太赫兹脉冲的自旋太赫兹源；其中，第一太赫兹脉冲和第二太赫兹脉冲用于合光入射至待测样品；用于对探测激光与经过待测样品后的第一太赫兹脉冲、第二太赫兹脉冲合光后的光波信号进行探测，以获得待测样品的特性信息的太赫兹脉冲探测器。本申请中从两个表面对自旋太赫兹源进行泵浦激光照射激发，提升太赫兹脉冲强度，进而提高太赫兹时域光谱测试的准确性和实用性。
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公开(公告)号：CN118089932A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410393613.X
申请日：2024-04-02
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： G01J1/42
摘要： 本发明公开了一种超宽带太赫兹脉冲探测器及探测系统，本发明属于太赫兹光谱探测技术领域，本发明提出的太赫兹脉冲探测器采用具有强自旋霍尔效应和/或强轨道霍尔效应的单层金属薄膜，当太赫兹脉冲照射到探测器上时，其在金属薄膜中诱导出太赫兹脉冲电流，由于金属薄膜的自旋霍尔效应和/或轨道霍尔效应会在金属薄膜表面积累瞬态的自旋和/或轨道角动量，引起探测光偏振发生改变，探测光偏振变化与太赫兹脉冲瞬时对应，从而可通过检测探测光偏振变化来探测得到对应的太赫兹信号。因探测光偏振变化随太赫兹脉冲瞬时响应，且探测器薄膜结构无声子吸收，从而能够实现超宽带太赫兹脉冲探测。
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公开(公告)号：CN112909711A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110308838.7
申请日：2021-03-23
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种偏振可调控的太赫兹发生器，将多层膜结构的自旋太赫兹源与偏转多层膜集成在同一衬底中，在偏转多层膜中设置两层轴线呈45°夹角的线栅可以形成一针对太赫兹波的四分之一波片。通过将自旋太赫兹源与太赫兹四分之一波片集成在同一衬底，通过外加磁场的旋转可以改变自旋太赫兹源产生的线偏振太赫兹波的偏振方向，而不同偏振方向的太赫兹波在经过太赫兹四分之一波片时，可以产生包括线偏振太赫兹波、左旋圆偏振及椭圆偏振太赫兹波、右旋圆偏振及椭圆偏振太赫兹波的多种偏振模式，从而可以实现简便的调节太赫兹波的偏振模式，在单一器件上只通过旋转磁场实现多种偏振模式的太赫兹波产生。
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公开(公告)号：CN106449442B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201610961010.0
申请日：2016-11-04
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法基于倒装焊技术，通过芯片或互连载片倒装焊接的方式，配合相应的MEMS微加工工艺技术实现高频固态集成放大器模块波导封装的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，无引脚结构，具有低寄生效应、小键合尺寸及相干参数可控性良好的优点，可用于高频段/太赫兹频段固态集成放大器模块波导封装的低损耗金属互连。
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公开(公告)号：CN108963724B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201810861154.8
申请日：2018-08-01
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： C23C14/18
摘要： 本发明提供了一种介质‑金属光子晶体、其制备方法和太赫兹脉冲发生器，所述介质‑金属光子晶体具有下式所示的多层复合结构：[介质层/金属层]n/绝缘衬底；其中，n为1～10之间的整数；所述金属层为磁性纳米薄膜和非磁性纳米薄膜交替复合形成的多层结构。与现有技术相比，本发明提供的介质‑金属光子晶体采用特定结构，一方面能够更大程度上吸收激光能量，激发每个金属层产生太赫兹脉冲，另一方面能够使每个金属层产生的太赫兹波相干叠加，从而使太赫兹强度获得极大增强；应用于太赫兹脉冲发生器能够最大限度的利用飞秒激光能量，从而极大地提升太赫兹强度，且频谱宽、偏振可调。
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