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公开(公告)号：CN104766833A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510170825.2
申请日：2015-04-10
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/02 , H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种LTCC基板正反面布置电路的微波电路三维封装结构，包LTCC基板、支撑铝板和铝腔体，支撑铝板上表面粘接在LTCC基板下表面上，支撑铝板下表面粘接在铝腔体的腔体内，所述支撑铝板为中间镂空的铝框。本发明组装工艺简单，而且对位精度要求低，机械强度高，封装体积小。
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公开(公告)号：CN110931452B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201911055588.X
申请日：2019-10-31
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种射频直流旋转对称正反复用型菊花链结构，包括作为上板的基板A和作为下载板的基板B，两个基板通过BGA垂直互连；基板A、B均包括奇数层金属层，基板之间信号连接为：射频通道和直流通道分别相间布局，与各自的对比通道之间成180°旋转对称，每个通道均由多段互连结构构成，基板A、B通过BGA倒装互连后，通道上串连多个BGA，形成完整菊花链传输结构，基于TDR、VNA等检测手段，可实现对BGA垂直互连可靠性分析；射频通道走线采用类同轴带状线结构，射频通道之间为直流通道，直流通道采用折线型布局方式，因此保证了射频通道侧面参考地连接的完整性，避免通道间的强相互干扰，保证了射频通道的高频传输性能。
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公开(公告)号：CN110931452A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911055588.X
申请日：2019-10-31
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种射频直流旋转对称正反复用型菊花链结构，包括作为上板的基板A和作为下载板的基板B，两个基板通过BGA垂直互连；基板A、B均包括奇数层金属层，基板之间信号连接为：射频通道和直流通道分别相间布局，与各自的对比通道之间成180°旋转对称，每个通道均由多段互连结构，基板A、B通过BGA倒装互连后，通道上串连多个BGA，形成完整菊花链传输结构，基于TDR、VNA等检测手段，可实现对BGA垂直互连可靠性分析；射频通道走线采用类同轴带状线结构，射频通道之间为直流通道，直流通道采用折线型布局方式，因此保证了射频通道侧面参考地连接的完整性，避免通道间的强相互干扰，保证了射频通道的高频传输性能。
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公开(公告)号：CN104950269A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510442179.0
申请日：2015-07-24
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： G01R33/12
摘要： 本发明属于物理及半导体测量技术领域，具体为二维磁场探针台测量系统。测量系统包括基座、二维磁场电磁铁、置于电磁铁磁极中央并固定于基座上的载物台卡盘、探针平台和显微测量装置，探针平台中间开口，沿开口环绕放置有若干直流、高频探针座和探针，探针通过开口接触载物台卡盘上的样品；多种直流及高频仪器，连接探针测量磁场环境下的样品；本发明为集成化智能化的二维磁场探针台测量系统，可实现二维磁场探针测量功能；可放置更多的探针座和探针，从而实现磁场环境下更为复杂的测量；本发明机械振动小、灵活性好、性价比高，应用场景广泛。
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公开(公告)号：CN104950269B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510442179.0
申请日：2015-07-24
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： G01R33/12
摘要： 本发明属于物理及半导体测量技术领域，具体为二维磁场探针台测量系统。测量系统包括基座、二维磁场电磁铁、置于电磁铁磁极中央并固定于基座上的载物台卡盘、探针平台和显微测量装置，探针平台中间开口，沿开口环绕放置有若干直流、高频探针座和探针，探针通过开口接触载物台卡盘上的样品；多种直流及高频仪器，连接探针测量磁场环境下的样品；本发明为集成化智能化的二维磁场探针台测量系统，可实现二维磁场探针测量功能；可放置更多的探针座和探针，从而实现磁场环境下更为复杂的测量；本发明机械振动小、灵活性好、性价比高，应用场景广泛。
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公开(公告)号：CN104766834B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510170823.3
申请日：2015-04-10
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC分类号： H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种LTCC基板堆叠的微波电路三维封装结构，包括上层LTCC基板、下层LTCC基板和中层铝板，中层铝板为中间镂空的铝框，所述上层LTCC基板粘接在中层铝板的上表面上，所述下层LTCC基板粘接在中层铝板的下表面上，所述上层LTCC基板和下层LTCC基板通过金丝或金带连接。本发明组装工艺简单，而且对位精度要求低，机械强度高。
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公开(公告)号：CN104766833B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510170825.2
申请日：2015-04-10
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/02 , H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种LTCC基板正反面布置电路的微波电路三维封装结构，包LTCC基板、支撑铝板和铝腔体，支撑铝板上表面粘接在LTCC基板下表面上，支撑铝板下表面粘接在铝腔体的腔体内，所述支撑铝板为中间镂空的铝框。本发明组装工艺简单，而且对位精度要求低，机械强度高，封装体积小。
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公开(公告)号：CN102684712B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201210123604.6
申请日：2012-04-25
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种高效率调频发射机，涉及无线测控通信技术的发射装置，包括调频源、功率放大器、隔离器、供电电路和天线，还包括有对输入的PCM信号进行滤波处理的预调滤波器，所述预调滤波器与调频源连接，所述功率放大器为开关类功率放大器，且开关类功率放大器选择GaAs或GaN器件，GaAs或GaN器件的栅极电压为负电偏置，所述供电电路是供电及时序控制电路，GaAs或GaN器件与所述供电时序配合。本发明降低了发射机的功耗，减小了发射机的散热需求，有利于调频发射机的集成化与小型化。
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公开(公告)号：CN104766834A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510170823.3
申请日：2015-04-10
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC分类号： H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种LTCC基板堆叠的微波电路三维封装结构，包括上层LTCC基板、下层LTCC基板和中层铝板，中层铝板为中间镂空的铝框，所述上层LTCC基板粘接在中层铝板的上表面上，所述下层LTCC基板粘接在中层铝板的下表面上，所述上层LTCC基板和下层LTCC基板通过金丝或金带连接。本发明组装工艺简单，而且对位精度要求低，机械强度高。
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公开(公告)号：CN102684712A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210123604.6
申请日：2012-04-25
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种高效率调频发射机，涉及无线测控通信技术的发射装置，包括调频源、功率放大器、隔离器、供电电路和天线，还包括有对输入的PCM信号进行滤波处理的预调滤波器，所述预调滤波器与调频源连接，所述功率放大器为开关类功率放大器，且开关类功率放大器选择GaAs或GaN器件，GaAs或GaN器件的栅极电压为负电偏置，所述供电电路是供电及时序控制电路，GaAs或GaN器件与所述供电时序配合。本发明降低了发射机的功耗，减小了发射机的散热需求，有利于调频发射机的集成化与小型化。
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