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公开(公告)号：CN109510061B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201811573795.X
申请日：2018-12-21
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01S5/02
摘要： 本发明公开了一种氮化镓激光器巴条解理的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域，该方法通过深刻蚀出宽解理导向槽以及V型窄导向槽，使得刻蚀深度能够穿透整个外延层，再进行背面减薄、刻蚀、电极生长工艺，再通过激光切割与Loomis解理机滚轮的方法在样品正面进行解理，从而获得巴条腔面，目的是在于对巴条解离提供了更强的指向性，大大提高了巴条解离的成功率，并且能够产生更平滑的腔面，可以应用于氮化镓激光器的生产和制造领域。
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公开(公告)号：CN109510061A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811573795.X
申请日：2018-12-21
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01S5/02
摘要： 本发明公开了一种氮化镓激光器巴条解理的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域，该方法通过深刻蚀出宽解理导向槽以及V型窄导向槽，使得刻蚀深度能够穿透整个外延层，再进行背面减薄、刻蚀、电极生长工艺，再通过激光切割与Loomis解理机滚轮的方法在样品正面进行解理，从而获得巴条腔面，目的是在于对巴条解离提供了更强的指向性，大大提高了巴条解离的成功率，并且能够产生更平滑的腔面，可以应用于氮化镓激光器的生产和制造领域。
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公开(公告)号：CN106698333A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710028756.0
申请日：2017-01-16
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种选区外延纳米柱阵列的有序转移方法，针对以SiO2为掩膜开孔型图形化蓝宝石衬底进行的MOCVD或者MBE选区外延获得的纳米柱阵列外延片，该纳米柱阵列延竖直方向一致生长，均匀且整齐分布。本发明采用聚二甲基硅氧烷固化纳米柱阵列配合缓冲氧化物浸蚀剂腐蚀SiO2掩膜层后，将纳米柱阵列大面积有序转移。该方法具有对设备工艺要求低、保持阵列有序整齐等优势，并且底部顶部保留纳米柱材料便于纳米柱材料制备电极或者键合到其它柔性衬底，有利于纳米柱阵列材料更广范围的应用。
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公开(公告)号：CN107706274B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201711007181.0
申请日：2017-10-25
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明涉及一种基于六方氮化硼‑石墨烯复合层作为缓冲层的氮化镓外延结构的制备方法，属于光电子技术领域。该方法包括将铜衬底抛光、清洗；在铜衬底上生长h‑BN‑石墨烯复合层；利用原子层沉积法在h‑BN‑石墨烯复合层上生长一层氮化铝层；在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长氮化镓层等步骤。本发明通过采用h‑BN‑石墨烯复合层作为铜衬底与GaN外延层之间的缓冲层，可以解决衬底和外延层之间大的晶格失配和热失配引起的缺陷位错，龟裂等问题，有效降低衬底与外延材料之间的应力、提高GaN外延层质量。
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公开(公告)号：CN106868472B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201710039031.1
申请日：2017-01-19
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/34 , C23C16/01 , C23C16/455 , H01S5/323
摘要： 本发明涉及一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器，该方法包括如下步骤：S1将铜衬底抛光、清洗；S2在铜衬底上生长石墨烯层；S3将铜衬底上生长的石墨烯层转移到目标衬底上；S4利用原子层沉积法在石墨烯层上生长氮化铝薄层；S5在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长GaN层。本发明可在不同目标衬底上生长氮化物外延片，外延片是通过铜衬底转移实现石墨烯转移到不同目标衬底上；石墨烯层作为衬底与GaN外延层之间的缓冲层，通过原子层沉积法制备氮化铝层，可实现材料原子层的逐层生长、良好的厚度可控性和高精度的薄膜生长质量，解决衬底和外延层之间大的晶格失配问题，提高外延层质量，可得到高质量的氮化镓基激光器。
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公开(公告)号：CN106992431A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710039599.3
申请日：2017-06-19
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01S5/32
CPC分类号： H01S5/32
摘要： 本发明公开了一种具有腔面非注入区结构的半导体激光器制作方法，其主要步骤包括：（1）在半导体激光器外延片正面制作带状p型欧姆接触；（2）依次刻蚀获得条形p型欧姆接触和脊型波导结构；（3）沉积绝缘介质并制作电注入窗口；（4）制作p型欧姆接触的加厚电极；（5）将衬底减薄抛光后在背面制作n型欧姆接触；（6）解理形成半导体激光器的腔面，在前后腔面分别蒸镀增透膜、高反膜。本发明可以在腔面附近实现非注入区结构以及高质量的欧姆接触，提高半导体激光器的最大输出光功率，而且制作工艺简单、易于实现，在半导体激光器领域特别是大功率半导体激光器具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106784213A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710028757.5
申请日：2017-01-16
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：包括p型电极、pin纳米线、嵌埋于纳米线中的量子点、多层同心环腔、n型电极、n型材料和衬底。这种器件的优点在于：在实现电注入工作的同时，利用多层同心圆环构成的圆环形布拉格微腔，在圆心量子点位置产生电磁场局域增强，既能利用珀塞尔效应增强量子点单光子源的辐射效率，又能在垂直于纳米线的两个空间维度限制光子的发散，使单光子只沿纳米线方向出射,易于和光纤耦合，极大地提高光收集利用效率。本发明的环腔纳米线电注入单光子源器件可广泛应用于量子信息、量子计算、量子认证、量子精密测量相关领域。
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公开(公告)号：CN106847933B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201710029191.8
申请日：2017-01-16
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本发明属于半导体光电探测器领域，提供了一种单片集成紫外‑红外双色雪崩光电二极管及其制备方法，该二极管结构包括下电极接触层、本征倍增层、电荷层、周期性异质结构吸收层和上电极接触层；周期性异质结构吸收层由两种材料交替生长而成，沿材料生长方向上形成量子限制效应，导带内子带能级间跃迁对应于红外光子的吸收，价带到导带的带间跃迁对应于紫外光子的吸收。吸收层内产生的光生电子均可以迁移到本征倍增层中发生碰撞离化，同时实现双波段的雪崩探测。
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公开(公告)号：CN109462144A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811330731.7
申请日：2018-11-09
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要： 本发明公开了一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法，包括步骤：GaN基激光器外延片上沉积SiO2掩膜；使用纳米压印技术在基片表面制备均匀的布拉格光栅，光刻技术制作条形图样，形成脊型与光栅的复合结构；刻蚀GaN，经条形光刻胶与光栅状SiO2复合结构掩膜刻蚀外延片，形成具有脊型的表面复合光栅结构；制备激光器芯片上下电极结构，得到GaN基DFB半导体激光器。本发明将光栅制备与工艺后期所需的脊型图样同时刻蚀，分别通过纳米压印模板与光刻版图设计组合，能针对不同波长、不同阶光栅、不同尺寸GaN基DFB激光器进行设计与制备，能大幅降低GaN基DFB半导体激光器成本，有效提高产品的均匀性。
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公开(公告)号：CN108110614A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711386192.4
申请日：2017-12-20
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC分类号： H01S5/1231 , G03F7/0002 , H01S5/32341
摘要： 本发明公开了内嵌布拉格光栅的GaN基DFB半导体激光器及其制备方法，该方法步骤为：在GaN自支撑衬底上外延限制层；使用纳米压印技术在基片限制层表面利用SiO2制备均匀的布拉格光栅；制备完整外延片；对光栅进行掩埋生长并外延完整激光器结构；制备激光器芯片。本发明解决了利用电子束曝光制备百纳米级光栅不能大面积应用以及过高的制备成本问题，制备的外延片能利用光栅进行纳米异质外延弯曲位错，阻止位错进入上层结构，提升了外延片晶体质量、工艺简便、与常规工艺兼容，能大幅降低GaN基DFB半导体激光器成本，有效地提高的均匀性。利用本方法制备的DFB激光器因为其单模选择性较好，能运用于高功率固体激光器泵浦源。
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