-
公开(公告)号:CN112735865A
公开(公告)日:2021-04-30
申请号:CN202011511739.0
申请日:2020-12-18
申请人: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号: H01G17/00
摘要: 本发明公开了一种片式阻容器及其制备方法,制备时将陶瓷介质瓷粉与烧结助剂按照常规的流延料制备方法制备得到生瓷膜片,经过丝网印刷、叠层与等静压,经过切割、排胶与烧结得到内埋MLCC结构电容的基板;经过表电极、背电极、电阻体、包封玻璃及一次裂片后,制备成条状,将电容引出端电极裸露在外面;端面金属化、二次裂片及电镀:经过端面金属化、二次裂片及电镀之后,得到所述片式阻容器。通过MLCC工艺制备成50mm×60mm的内埋MLCC结构电容的基板,采用厚膜印刷工艺在该基板上制备片式电阻,最后经裂片、端涂、电镀工序后制备成阻容器,可显著缩小产品厚度尺寸近50%,且击穿电压可靠性指标同比提升67%以上,有利于电子元件微型化、高可靠的发展要求,为集成电路组装密度的进一步提高提供助益,且适用于微组装工艺。
-
公开(公告)号:CN105551703B
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201610125172.0
申请日:2016-03-07
申请人: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号: H01C17/065 , H01C17/22
摘要: 本发明公开了一种高电压、高功率厚膜电阻器的制造方法,属于厚膜片式电阻器的制造方法;旨在提供一种生产效率高,产品性能可靠、使用寿命长的厚膜电阻器的制造方法。其步骤如下:将印刷有电阻浆料的陶瓷基片送入真空炉中匀速加热至标称烧结温度T0,保温,匀速冷却;若阻值偏差率Δ0大于5%,则需将陶瓷基片送入真空炉中进行多次热处理,直至热处理后电阻体的阻值偏差率Δn小于或等于5%。本发明不仅可避免激光切割而造成的断口、消除产品薄弱点,而且还可以消除电阻体内部微缺陷,提高电阻膜层的致密度以及膜层表面平整度、提高产品可靠性和使用寿命;是一种制造厚膜电阻器的方法。
-
公开(公告)号:CN105674808A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201610107603.0
申请日:2016-02-26
申请人: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号: F42B3/13
CPC分类号: F42B3/13
摘要: 本发明提供了一种片式合金箔点火电阻器及其制备方法,所述基板的上表面中部设置有抗静电层,下表面的两端分别设置有焊盘;所述聚酰亚胺膜设置在基板和抗静电层的上表面上,所述聚酰亚胺膜的上表面设置有电阻层,且所述电阻层的两端分别通过表背搭接层与焊盘连接,所述电阻层上还设置有保护层;所述铜层于保护层的两侧设置在电阻层上,且铜层将表背搭接层和焊盘的外表面覆盖。本发明采用成熟的半导体工艺技术和材料,提高了能量利用效率,有效降低了金箔点火电阻器的工作能量和点火时间,实现了小激发下快速发火;简单可靠,大大提高了点火电阻器工作的可靠性及一致性。
-
公开(公告)号:CN102496436A
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN201110411756.1
申请日:2011-12-12
申请人: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号: H01C17/065 , H01C17/242 , H01C7/00
摘要: 本发明公开了一种大功率厚膜片式电阻器的制造方法,属于片式电阻制造方法;旨在提供一种体积小、功率大、散热效果好的片式厚膜电阻器的制造方法。它包括表电极和背电极以及电阻体制作、包封、调阻、裂片、烧成、端涂、电镀;具体方法是:清洗基片,印刷表电极和背电极,电极烧结,印刷电阻体,电阻体烧结,印刷一次玻璃体,一次玻璃体烧结,激光调阻,清洗电阻体,印刷二次玻璃体,一次裂片、端涂电极,端电极烧结,二次裂片、镀镍、镀锡。本发明制造的产品具有阻值精度高、功率大、散热性能好、可靠性高等优点,完全能满足现代电子产品的要求。
-
公开(公告)号:CN112712911A
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN202011508134.6
申请日:2020-12-18
申请人: 中国振华集团云科电子有限公司
摘要: 一种用于介质滤波器表面金属化喷涂银浆及其制造方法,组分为:银粉、玻璃粉、有机载体;银粉由微粉、球粉组成;玻璃粉由Bi2O3、CuO、SiO2、ZnO、B2O3、Al2O3组成;有机载体由有机溶剂和树脂组成;有机溶剂由二乙二醇丁醚、二价酸酯等中的任何一种或多种混合组成;树脂由乙基纤维素、醋酸丁酸纤维素、聚乙烯醇缩丁醛、马来酸树脂等中的一种或多种混合组成。解决了现有喷涂银浆稀释后粘度降低导致盲孔底部积攒浆料,造成开裂,表面银层被银不足,附着力差;银浆稀释后易沉降;反复烧结过后,玻璃上浮,导致银层表面颜色不均、可焊性差等问题。广泛应用于各种介质滤波器的表面金属化喷涂工艺中。
-
公开(公告)号:CN105632670A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201610092178.2
申请日:2016-02-19
申请人: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号: H01C17/12 , H01C17/065 , H01C17/06
摘要: 本发明公开了一种铂薄膜热敏电阻器的制造方法,属于片式薄膜电阻器制造方法。它包括陶瓷基片抛光、铂金膜层溅射、膜层热处理、等离子体刻蚀、激光数码调阻、电阻体包封、烧结、手工裂片、引线焊接、焊点包封、包封层固化。本发明具有生产成本低、生产效率高、产品体积小、阻值精度高等优点,是一种大规模生产铂薄膜热敏电阻器的理想方法。
-
公开(公告)号:CN112735865B
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN202011511739.0
申请日:2020-12-18
申请人: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号: H01G17/00
摘要: 本发明公开了一种片式阻容器及其制备方法,制备时将陶瓷介质瓷粉与烧结助剂按照常规的流延料制备方法制备得到生瓷膜片,经过丝网印刷、叠层与等静压,经过切割、排胶与烧结得到内埋MLCC结构电容的基板;经过表电极、背电极、电阻体、包封玻璃及一次裂片后,制备成条状,将电容引出端电极裸露在外面;端面金属化、二次裂片及电镀:经过端面金属化、二次裂片及电镀之后,得到所述片式阻容器。通过MLCC工艺制备成50mm×60mm的内埋MLCC结构电容的基板,采用厚膜印刷工艺在该基板上制备片式电阻,最后经裂片、端涂、电镀工序后制备成阻容器,可显著缩小产品厚度尺寸近50%,且击穿电压可靠性指标同比提升67%以上,有利于电子元件微型化、高可靠的发展要求,为集成电路组装密度的进一步提高提供助益,且适用于微组装工艺。
-
公开(公告)号:CN112552852A
公开(公告)日:2021-03-26
申请号:CN202011508179.3
申请日:2020-12-18
申请人: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号: C09J163/00 , C09J9/02 , C09J11/06 , C09J4/06
摘要: 一种用于大功率元器件粘接高导热银浆及其制备方法,包括:环氧树脂、改性剂、固化剂、银粉;环氧树脂为双酚A型环氧树脂、脂环族环氧树脂和双酚F型环氧树脂中的一种或多种混合而成;改性剂为热塑性酚醛树脂、γ‑丁内酯、双酚A双烯丙基醚和双酚A甲基丙烯酸缩水甘油酯中的一种或多种混合而成;固化剂为潜伏性固化剂2‑乙基‑4‑甲基咪唑、1‑氰乙基‑2‑乙基‑4甲基咪唑、甲基六氢苯酐和双氰胺中的一种或多种混合而成;银粉为片状银粉、类球型银粉和部分片状化银粉中的一种或多种混合而成。提供了所述银浆的制备方法及测试方法。解决了现有银浆热电及粘接性能不良、粘接强度与导热性能相互矛盾的问题。广泛应用于功率器件的粘接工艺中。
-
公开(公告)号:CN105304242A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201410389423.7
申请日:2014-07-31
申请人: 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号: H01C7/04 , C04B35/01 , C04B35/45 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种低B值高阻值厚膜NTC浆料的制备方法,包括以下步骤:(1)按质量比将二氧化锰30~45%、氧化镍25~35%和氧化铜30~43%混合均匀球磨烘干;(2)将烘干的球磨混合物在600~1000℃进行预烧,然后球磨得到NTC预烧粉;(3)将NTC预烧粉与一定量的玻璃粉混合再球磨,最后加入一定量的有机载体,最后轧制成NTC浆料与现有技术相比,本发明的有益效果是:具有卓越的响应速度、热时间常数、耗散系数、极低的热容量,优异的自恢复性能,非线性NTC热敏电阻器的市场前景非常可观,厚膜工艺平台有着许多传统陶瓷制备工艺平台所不具备的优势。
-
公开(公告)号:CN102820111A
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN201210304253.9
申请日:2012-08-23
申请人: 中国振华集团云科电子有限公司
摘要: 本发明公开了一种以氮化铝作为绝缘基板的片式膜固定电阻器,包括绝缘基板,分别设置在绝缘基板表面和背面的两块表电极、两块背电极,设置在绝缘基片两端与对应的表电极和背电极连接的端电极,表电极、背电极和端电极表面覆盖有中间电极,中间电极表面覆盖有外部电极,设置在两块表电极之间与表电极连接的电阻层,电阻体表面覆盖有绝缘包封层;所述绝缘基板是氮化铝基板;通过印刷、溅射、调阻、包封、端涂、电镀等步骤制得;本发明的产品在体积不增加或者适度减小的情况下仍可保持较低的温度系数,可靠性高,高频性能好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-