-
公开(公告)号：CN113193050A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110460679.2
申请日：2021-04-27
IPC分类号： H01L29/861 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/329 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明提供了一种表贴封装二极管及其制造方法，该表贴二极管包括管芯，所述管芯的上端面设有上电极片，管芯的下端面设有下电极片，管芯与上电极片、下电极片之间通过蒸铝层烧焊在一起，管芯、上电极片、下电极片的侧面包覆有钝化玻璃，下电极片的下端凸出钝化玻璃，上电极片的上端设有变形电极片。本发明安装使用时，管芯、上电极片、下电极片与安装PCB板面平行，加大管芯与电极片尺寸即可加大产品的功率，其高度不会增加；下电极片整个面直接与散热器或PCB板接触，散热效果得到了大大改善；根据需要，器件结构可设为圆柱形、方形等任意形状，且径向尺寸小；安装适应性好。
-
公开(公告)号：CN112186044A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011060738.9
申请日：2020-09-30
IPC分类号： H01L29/861 , H01L23/488 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/329 , H01L21/56
摘要： 本发明公开了一种玻璃钝化实体封装低压二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该二极管包括硅片A和两个电极引线，所述硅片A位于两个所述电极引线之间，其中一个电极引线通过焊接金属A与硅片A连接，另一个电极引线通过焊接金属B与硅片A连接，所述硅片A、焊接金属A、焊接金属B和两电极引线均设于钝化玻璃内，且电极引线的一端延伸到钝化玻璃外。二极管的核心PN结是在电极引线与管芯的烧焊过程中同步获得的，避免了PN结因高温工艺进行了重新分布，最终导致二极管电压大幅提高的问题，避免了传统二极管因管芯PN结结深太浅，烧焊时焊接金属穿越PN结，导致PN结短路的问题，可以制造6V以下的玻璃钝化实体封装二极管。
-
公开(公告)号：CN114784119A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210491657.7
申请日：2022-04-29
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/265 , H01L21/329
摘要： 本发明提供的一种4H‑SiC JBS二极管正面金属化的管芯及其制造方法，包括N+衬底；N+衬底的两个端面分别与欧姆接触层和外延区接触，欧姆接触层的另一端面与阴极金属层接触，外延区另一端面内加工有若干P+区，外延区的端面外端上覆盖有氧化硅层,氧化硅层上覆盖有氮化硅层，所述外延区的中部、氧化硅层和氮化硅层的内侧、氮化硅层的上端面内端均与肖特基接触区接触，肖特基接触区的上端被阳极覆盖。本发明的肖特基结构能够在完成金属接触孔刻蚀后，直接溅射肖特基金属钛和阳极金属铝，然后进行金属光刻和刻蚀，后直接进行肖特基退火，进而一次性形成肖特基接触和阳极区，进而简化了工艺流程，可以避免肖特基区引入较多的杂质和缺陷，进而降低了器件的寄生电阻和减少了器件反向漏电通道。
-
公开(公告)号：CN113192902A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110462103.X
申请日：2021-04-27
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/49 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明提供了一种高温冶金键合玻璃钝化实体封装表贴二极管及制造方法，该二极管包括芯片，所述芯片两端通过蒸铝层焊接有钼柱，钼柱与芯片均封装在钝化玻璃内，钼柱远离芯片的一端设有直径大于钼柱的电耦合面，电耦合面的端面为平面，电耦合面伸出钝化玻璃。采用本发明，芯片与钼电极引线通过芯片两面的蒸铝层直接烧焊在一起，包封玻璃粉，电连接可靠，不易发生开路失效；钼与玻璃的热膨胀系数都在4～5之间，比玻璃与铜包钢引线的热膨胀系数更接近，提高了结构材料的匹配度，减小了钼电极与钝化玻璃之间交界面的应力，提高了使用可靠性，减小了开路时效的几率。
-
公开(公告)号：CN110676182A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910912298.6
申请日：2019-09-25
摘要： 本发明公开的一种芯片组件的封装方法，属于瞬态电压抑制二极管技术领域，包括如下步骤，步骤1备芯：将一颗整流二极管芯A和一颗单向芯片组件的芯片背向串联放置，取一颗整流二极管芯B放置；步骤2纯化处理：第一次腐蚀清洗、第二次腐蚀清洗、涂粉、烧结；步骤3塑化封装：将均纯化后串联的整流二极管芯A和单向芯片组件的芯与整流二极管芯B并联，将产品放入模具注入环氧树脂，加热至160℃～162℃固化成型，取出冷却至常温；纯化处理得到的玻璃封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性，采用环氧树脂塑化封装得到的封装层，使得产品具备抵抗高温环境的特性下具备了抵抗环境冲击的特性。
-
公开(公告)号：CN106024625B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610584312.0
申请日：2016-07-23
IPC分类号： H01L21/329
摘要： 本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
-
公开(公告)号：CN106024625A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610584312.0
申请日：2016-07-23
IPC分类号： H01L21/329
CPC分类号： H01L29/6609
摘要： 本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
-
公开(公告)号：CN110970298B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201911403212.3
申请日：2019-12-30
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/50 , H01L21/60
摘要： 本发明提供的一种环氧封装微型二极管及制作工艺，其步骤为：本发明通过加工具有弹性的引线，将重量很轻的管芯夹在引线的开口两端完成管芯和引线的装配，加工完成后再将电极引线剪开，使微型二极管能够采用传统工艺进行加工。
-
公开(公告)号：CN115332194A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210969262.3
申请日：2022-08-12
摘要： 本发明提供了一种玻钝表贴二极管及其制造方法，通过单晶片→磨片→磷/硼扩散→喷砂→蒸铝→裂片→管芯点腐蚀→装模→烧焊→台面腐蚀→包封玻璃粉→高温成型的工艺步骤成型，使玻璃钝化实体封装表贴二极管更加小型化、轻量化、薄片化，由于玻璃钝化实体封装表贴二极管的结构材料温度最低的是铝，其熔点也达到近600℃，所以能很好的发挥三代半导体二极管高结温的优势。
-
公开(公告)号：CN108231909A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711406703.4
申请日：2017-12-22
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/43 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种高可靠超小型玻璃钝化复合二极管及其制备方法和应用，属于二极管制造技术领域；其包括管体、引线和保护层；其中所述的管体由两根电极和芯片A、芯片B组成，管体外围由保护层包裹保护；所述的电极和引线高温烧结后，焊成一个整体的电极引线，电极引线和管体高温下熔焊键和，即得。本发明二极管尺寸极小，管体直径小于Φ1.5mm，管体长度小于1.8mm，器件同时具备了瞬态电压抑制功能和高压保护功能，可以提升线圈反向电动势的吸收速率，大大简化了在线圈保护电路中的安装方式，该复合二极管能应用于超小型继电器的续流电路中，具有较好的市场推广价值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
18 条记录 (耗时 0.075 秒)
