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公开(公告)号：CN104178814B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410431441.7
申请日：2014-08-28
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长大尺寸磷酸钛氧铷体单晶的方法，具体是在高压釜中，以铷离子浓度为0.5～5.5mol/L的RbxH(3‑x)PO4(1≤x≤3)溶液作为矿化剂，采用温差水热法使磷酸钛氧铷溶解并重结晶生长单晶体的方法。与现有的水热法相比，本发明所述方法可以在较低的温度和压力下快速、安全地生长出大尺寸、结晶完整且高光学质量的磷酸钛氧铷体单晶，所得晶体可用于电光器件；工艺更为简单易控，成本更低；与现有的熔盐法相比，生长温度低，系统粘度低，环境密闭，不易引入杂质，并可以获得晶体电光系数最大的Y向器件，且成品率高。
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公开(公告)号：CN103305899A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310242101.5
申请日：2013-06-19
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长大尺寸砷酸钛氧钾体单晶的方法，它是在高压釜中，以氟离子浓度为0.5～4mol/L的氟化钾溶液作为矿化剂，使砷酸钛氧钾溶解并重结晶生长单晶体的方法。与现有技术相比，本发明所述方法仅以0.5～4mol/L的氟化钾溶液作为矿化剂，矿化剂体系的组成更简单，毒性更低，在减少环境污染的同时也降低对操作人员的危害性；生长条件也更温和；整个方法简单易操作，获得的体单晶完整无裂痕，且光学质量好，透过率可达70%以上。
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公开(公告)号：CN103014830A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210543487.9
申请日：2012-12-14
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法，具体是以Bi4Si3O12作为培养料，置于黄金衬套管中，加入矿化剂，再加入占培养料3～8%重量的SiO2粉末，控制生长条件进行温差水热法生长，得到纯相的Bi4Si3O12体单晶。本发明所述方法通过在黄金衬套管中添加特定比例的SiO2粉末来补充Si-O生长基元，达到既能克服熔体法生长晶体时所遇到的晶体易开裂、均匀性及析晶行为难以控制的问题，又可克服水热法生长闪烁晶体硅酸铋时伴有Bi12SiO20杂相的问题，从而获得纯相的大尺寸的Bi4Si3O12体单晶，且所得体单晶表面无开棉无裂，完整性好。
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公开(公告)号：CN103132130B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310083667.8
申请日：2013-03-15
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种使用悬浮衬套管氨热法生长氮化镓体单晶的装置和方法。所述的装置，包括高压釜、衬套管、电阻炉以及一用于冷却并转移衬套管的冷却容器，该冷却容器为液氮罐或杜瓦瓶。所述的方法包括：1)向衬套管内加入培养料，焊接衬套管的顶盖和管口，置于真空手套箱中，经充液管加入卤化氨盐和液氨，密封充液管，将其放入预先填充有致冷剂的冷却容器中，密封冷却容器；2)向经冷却处理后的高压釜中填充液氨；3)取出被冷却的衬套管并置于高压釜中，密封高压釜，将其置于电阻炉中，设置生长区和溶解区的温度，经过生长得到氮化镓体单晶。采用上述装置和方法生长氮化镓体单晶，可以保证衬套管在近似恒温的条件下转移至高压釜中，且不泄露。
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公开(公告)号：CN104178814A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410431441.7
申请日：2014-08-28
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长大尺寸磷酸钛氧铷体单晶的方法，具体是在高压釜中，以铷离子浓度为0.5～5.5mol/L的RbxH(3-x)PO4(1≤x≤3)溶液作为矿化剂，采用温差水热法使磷酸钛氧铷溶解并重结晶生长单晶体的方法。与现有的水热法相比，本发明所述方法可以在较低的温度和压力下快速、安全地生长出大尺寸、结晶完整且高光学质量的磷酸钛氧铷体单晶，所得晶体可用于电光器件；工艺更为简单易控，成本更低；与现有的熔盐法相比，生长温度低，系统粘度低，环境密闭，不易引入杂质，并可以获得晶体电光系数最大的Y向器件，且成品率高。
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公开(公告)号：CN104695006A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510144413.1
申请日：2015-03-30
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： C30B7/10
摘要： 本发明公开了一种用于热液法晶体生长的变口径高压釜，包括釜体，釜体内腔存在溶解区和结晶区，所述釜体内结晶区的口径大于所述釜体内溶解区的口径。本发明将釜体内腔中结晶区的口径设计成大于釜体内腔中溶解区的口径的结构，一方面，与同样高度及外径的传统高压釜相比，增加了高压釜釜体内腔的容积，可以使晶体在同一个釜体内多周期连续生长，克服了频繁更换高压釜存在的诸多问题，还可以节省成本；另一方面，釜体内结晶区位于溶解区的上方，且结晶区的口径大于溶解区的口径，有效减缓釜体内腔中气液对流的剧烈程度，更有利于晶体的生长，还可以增加结晶区营养盐的载入量。
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公开(公告)号：CN103132130A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310083667.8
申请日：2013-03-15
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种使用悬浮衬套管氨热法生长氮化镓体单晶的装置和方法。所述的装置，包括高压釜、衬套管、电阻炉以及一用于冷却并转移衬套管的冷却容器，该冷却容器为液氮罐或杜瓦瓶。所述的方法包括：1)向衬套管内加入培养料，焊接衬套管的顶盖和管口，置于真空手套箱中，经充液管加入卤化氨盐和液氨，密封充液管，将其放入预先填充有致冷剂的冷却容器中，密封冷却容器；2)向经冷却处理后的高压釜中填充液氨；3)取出被冷却的衬套管并置于高压釜中，密封高压釜，将其置于电阻炉中，设置生长区和溶解区的温度，经过生长得到氮化镓体单晶。采用上述装置和方法生长氮化镓体单晶，可以保证衬套管在近似恒温的条件下转移至高压釜中，且不泄漏。
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公开(公告)号：CN204530014U
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201520185147.2
申请日：2015-03-30
申请人： 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： C30B7/10
摘要： 本实用新型公开了一种用于热液法晶体生长的变口径高压釜，包括釜体，釜体内腔存在溶解区和结晶区，所述釜体内结晶区的口径大于所述釜体内溶解区的口径。本实用新型将釜体内腔中结晶区的口径设计成大于釜体内腔中溶解区的口径的结构，一方面，与同样高度及外径的传统高压釜相比，增加了高压釜釜体内腔的容积，可以使晶体在同一个釜体内多周期连续生长，克服了频繁更换高压釜存在的诸多问题，还可以节省成本；另一方面，釜体内结晶区位于溶解区的上方，且结晶区的口径大于溶解区的口径，有效减缓釜体内腔中气液对流的剧烈程度，更有利于晶体的生长，还可以增加结晶区营养盐的载入量。
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公开(公告)号：CN213397248U
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202022787626.5
申请日：2020-11-26
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
IPC分类号： G01F17/00
摘要： 本实用新型涉及一种用于辅助测量高压釜反应腔填充体积的装置，包括基座、导电机构和提示装置；所述基座放置在高压釜的上端面；所述导电机构安装在所述基座上且电连接所述提示装置的两极，并在高压釜反应腔加入与高压釜反应腔填充体积等量的水后使所述提示装置的两极导通发声或发光。该装置不仅结构比较简单，制作比较容易，而且使用也比较方便，测量高压釜反应腔填充体积也比较准确。实测结果表明，当采用该装置测量ф42×750型高压釜反应腔的填充体积时，同一个人重复测量以及不同人测量的结果都非常近似，其最大的绝对误差也只有0.2ml。
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