公开(公告)号：CN112876257B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202110110002.6

申请日：2021-01-27

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 张瑞谦 ,  李鸣 ,  何宗倍 ,  付道贵 ,  陈招科 ,  邱绍宇 ,  李志平

IPC: C04B35/577 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明公开了一种SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管及其制备方法，解决了现有的化学气相渗透制备的SiCf/SiC复合材料致密化程度低，出现大孔洞，孔隙率较大且热导率偏低的技术问题。本发明的SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管，包括SiCf/SiC复合层和SiC陶瓷层，所述SiCf/SiC复合层包括SiC纤维层、界面层和SiC基体，所述界面层采用化学气相渗透制备。本发明的SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管具有密度高、孔隙率低，气密性和导热性好等优点。

公开(公告)号：CN119039027A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411174818.5

申请日：2024-08-26

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 张瑞谦 ,  李鸣 ,  李刚 ,  石浩江 ,  陈招科 ,  陈勇 ,  孙超 ,  龙绍军 ,  喻冲

IPC: C04B35/80 ,  C23C16/32 ,  C04B35/573 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种复合材料包壳管晶粒定向生长控制方法、复合材料包壳管及制备方法，包壳管包括纤维、界面层与SiC基体，SiC基体采用化学气相渗透CVI工艺制备得到；在采用化学气相渗透CVI工艺制备SiC基体的过程中，控制靠近界面层的SiC基体内定向生长形成取向单一的柱状晶SiC晶粒；定向生长控制方法为：以三氯甲基硅烷为先驱气体，在带界面层的包壳管预制件中沉积SiC基体时沉积多个炉段，从第一个炉段至最后一个炉段按照次序依次提高每个炉段的沉积气氛中三氯甲基硅烷的含量。本发明实现了靠近界面处的SiC基体晶粒的定向生长，得到了具有单一取向的柱状晶SiC晶粒，提高了整个复合材料包壳的力学性能。

公开(公告)号：CN112876257A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110110002.6

申请日：2021-01-27

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 张瑞谦 ,  李鸣 ,  何宗倍 ,  付道贵 ,  陈招科 ,  邱绍宇 ,  李志平

IPC: C04B35/577 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明公开了一种SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管及其制备方法，解决了现有的化学气相渗透制备的SiCf/SiC复合材料致密化程度低，出现大孔洞，孔隙率较大且热导率偏低的技术问题。本发明的SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管，包括SiCf/SiC复合层和SiC陶瓷层，所述SiCf/SiC复合层包括SiC纤维层、界面层和SiC基体，所述界面层采用化学气相渗透制备。本发明的SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管具有密度高、孔隙率低，气密性和导热性好等优点。