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公开(公告)号：CN115295198B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210932513.0
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种振荡烧结制备全陶瓷微封装弥散燃料的方法，包括以下步骤：S1、将多层包覆燃料微球和SiC粉体装入喷涂有氮化硼的石墨模具内；S2、将石墨模具放入振荡烧结炉内进行振荡烧结：温度控制过程为：室温～1200℃的升温速率为5～15℃/min，1200℃～目标温度的升温速率为3～5℃/min，在目标温度下保温，保温结束后，随炉冷却；压力控制为：在升温到目标温度前，保持1～5MPa压力，在达到目标温度之后，施加目标振荡压力，保温结束后，进行卸压。本发明不仅能够实现SiC基体烧结致密化，且相比热压烧结，具有较低烧结温度、较高的致密化速率。
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公开(公告)号：CN115045108A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210801136.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 为解决现有技术中缺乏对电磁和电离辐射都能起到防护作用的防护材料的技术问题，本发明实施例提供一种复合材料、制备方法和用途，包括：将硅烷偶联剂改性填料和纺丝液混匀后，得到硅烷偶联剂改性填料/PAN纺丝液；将硅烷偶联剂改性填料/PAN纺丝液通过静电纺丝制成填料/PAN纳米纤维无纺布；将填料/PAN纳米纤维无纺布进行热拉伸后，进行磁控溅射，以在热拉伸后的填料/PAN纳米纤维无纺布表面制备导电金属层，得到具有电磁屏蔽和电离屏蔽功能的复合材料。本发明实施例避免了现有技术中缺乏对电磁和电离辐射都能起到防护作用的防护材料的缺陷，本发明实施例的复合材料具有电磁屏蔽性能和电离屏蔽功能，其具有很强的可设计性和穿着舒适性，适合用作防护面料和防护服。
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公开(公告)号：CN115240798A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210933974.X
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F30/25 , G06F30/27 , G06N3/08 , C04B35/575 , C04B35/622 , G06F111/04 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种全陶瓷微封装弥散燃料烧结工艺的模拟方法，包括以下步骤：S1、制备全陶瓷微封装弥散燃料芯块，测定燃料芯块的密度，并燃料芯块的微结构与晶粒尺寸；S2、基于粉末塑性屈服准则模型获得坯体开始烧结前初始压制成型后的密度分布，并计算获得塑性应变率；S3、基于弹性应变率、塑性应变率、热应变率和烧结应变率建立描述全陶瓷微封装弥散燃料烧结过程的热粘弹性本构唯象模型；S4、建立有限元模型；S5、将步骤S3构建的热粘弹性本构唯象模型带入有限元模型，进行密度和应力场预测。本发明不仅实现对热压烧结过程中的微结构和应力变化的模拟，且充分考虑了影响应变的所有因素，提供了模拟的准确性。
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公开(公告)号：CN110483055B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910727806.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了一种含共沉积复相界面的SiCf/SiC复合材料制备方法，包括以下步骤：采用CVI工艺对SiC纤维预制体进行界面沉积，以丙烯为碳源气体、以三氯甲基硅烷为碳化硅源气体进行共沉积；载气为氢气，稀释气体为氩气和氢气；利用CVI工艺对完成界面沉积的SiC纤维预制体进行SiC基体沉积，碳化硅源气体为三氯甲基硅烷，载气为氢气，稀释气体为氩气和氢气。制备获得的SiCf/SiC复合材料，在纤维与基体之间为PyC‑SiC复相界面，PyC‑SiC复相界面是共沉积形成的、由SiC纳米晶和热解炭相PyC组成的复相界面。本发明提供的制备方法，主要包括利用CVI共沉积制备PyC‑SiC复相界面以及SiC基体的致密化两个主要步骤，界面制备更容易控制且制备效率也更高；所制备的SiCf/SiC复合材料的强韧性得到进一步提高。
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公开(公告)号：CN110483055A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910727806.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了一种含共沉积复相界面的SiCf/SiC复合材料制备方法，包括以下步骤：采用CVI工艺对SiC纤维预制体进行界面沉积，以丙烯为碳源气体、以三氯甲基硅烷为碳化硅源气体进行共沉积；载气为氢气，稀释气体为氩气和氢气；利用CVI工艺对完成界面沉积的SiC纤维预制体进行SiC基体沉积，碳化硅源气体为三氯甲基硅烷，载气为氢气，稀释气体为氩气和氢气。制备获得的SiCf/SiC复合材料，在纤维与基体之间为PyC-SiC复相界面，PyC-SiC复相界面是共沉积形成的、由SiC纳米晶和热解炭相PyC组成的复相界面。本发明提供的制备方法，主要包括利用CVI共沉积制备PyC-SiC复相界面以及SiC基体的致密化两个主要步骤，界面制备更容易控制且制备效率也更高；所制备的SiCf/SiC复合材料的强韧性得到进一步提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115305598B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211017241.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种核壳结构屏蔽材料及其制备方法，核壳结构屏蔽材料，包括核层和壳层，所述壳层同轴设置在核层外侧；所述核层以聚乙烯醇作为基体，采用碳系填料作为电磁屏蔽功能填料；所述壳层以聚丙烯腈作为基体，采用重金属作为电离屏蔽功能填料；所述核壳结构屏蔽材料采用同轴纺丝进行静电纺丝制成。由于本发明的核壳结构屏蔽材料采用同轴纺丝技术制成，同轴纺丝能够使屏蔽材料的内部纤维分布均匀，避免因屏蔽材料的内部纤维分布不均匀导致的屏性能下降，即本发明所述核壳结构屏蔽材料具有较高的电磁屏蔽功能和电离屏蔽功能。
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公开(公告)号：CN115305598A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211017241.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种核壳结构屏蔽材料及其制备方法，核壳结构屏蔽材料，包括核层和壳层，所述壳层同轴设置在核层外侧；所述核层以聚乙烯醇作为基体，采用碳系填料作为电磁屏蔽功能填料；所述壳层以聚丙烯腈作为基体，采用重金属作为电离屏蔽功能填料；所述核壳结构屏蔽材料采用同轴纺丝进行静电纺丝制成。由于本发明的核壳结构屏蔽材料采用同轴纺丝技术制成，同轴纺丝能够使屏蔽材料的内部纤维分布均匀，避免因屏蔽材料的内部纤维分布不均匀导致的屏性能下降，即本发明所述核壳结构屏蔽材料具有较高的电磁屏蔽功能和电离屏蔽功能。
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公开(公告)号：CN110428918B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910727873.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21C21/00 , G21C3/07 , C23C16/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种高致密度复合材料包壳管的快速致密化方法，依次包括以下工序：工序A，沉积温度为1000～1050℃，沉积压力为200～1000Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在6.5～10范围；工序B，沉积温度为1050～1100℃，沉积压力为200～1000Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在6.5～10范围；工序C，沉积温度为1050～1100℃，沉积压力为400～1500Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在6.5～10范围；工序D，沉积温度为1050～1200℃，沉积压力为400～1500Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在4～10范围。实施上述快速致密化方法的装置，包括依次连接的导气管、气体混合滞留罐、基座、限域反应器和盖板。采用本发明提供的工艺及装置获得的SiCf/SiC复合材料包壳管制备周期大幅缩短，且其具有致密度高、基体分布均匀的有益效果。
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公开(公告)号：CN112876257A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110110002.6
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: C04B35/577 , C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/628
Abstract: 本发明公开了一种SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管及其制备方法，解决了现有的化学气相渗透制备的SiCf/SiC复合材料致密化程度低，出现大孔洞，孔隙率较大且热导率偏低的技术问题。本发明的SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管，包括SiCf/SiC复合层和SiC陶瓷层，所述SiCf/SiC复合层包括SiC纤维层、界面层和SiC基体，所述界面层采用化学气相渗透制备。本发明的SiCf/SiC复合材料两层复合包壳管具有密度高、孔隙率低，气密性和导热性好等优点。
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公开(公告)号：CN110428918A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910727873.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21C21/00 , G21C3/07 , C23C16/32 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种高致密度复合材料包壳管的快速致密化方法，依次包括以下工序：工序A，沉积温度为1000～1050℃，沉积压力为200～1000Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在6.5～10范围；工序B，沉积温度为1050～1100℃，沉积压力为200～1000Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在6.5～10范围；工序C，沉积温度为1050～1100℃，沉积压力为400～1500Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在6.5～10范围；工序D，沉积温度为1050～1200℃，沉积压力为400～1500Pa，H2/MTS的摩尔体积配比在4～10范围。实施上述快速致密化方法的装置，包括依次连接的导气管、气体混合滞留罐、基座、限域反应器和盖板。采用本发明提供的工艺及装置获得的SiCf/SiC复合材料包壳管制备周期大幅缩短，且其具有致密度高、基体分布均匀的有益效果。
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