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公开(公告)号:CN115097252A
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202210851735.X
申请日:2022-07-20
摘要: 本申请涉及一种电子元件检测系统。所述电子元件检测系统包括:多个老化板;多个样品板,各样品板上均设有待测电子元件;样品板设置于老化板上,与老化板一一对应设置,并与老化板一一对应电连接;多个驱动板,与老化板一一对应电连接;检测控制装置,与各驱动板均电连接;检测控制装置用于设定测试条件、测试判定条件及测试控制信号,将测试控制信号传输至驱动板,并实时监测待测电子元件在测试过程中的运行状态,运行状态包括正常工作状态和失效状态;驱动板用于根据测试控制信号对待测电子元件进行测试。采用该电子元件检测系统能够提高检测效率。
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公开(公告)号:CN108398631A
公开(公告)日:2018-08-14
申请号:CN201810240769.9
申请日:2018-03-22
IPC分类号: G01R31/28
摘要: 本发明涉及一种静电放电失效验证方法,包括步骤:对待验证芯片进行失效分析,记录待验证芯片的损伤信息;获取与待验证芯片同批次的良品芯片的损伤信息,良品芯片的损伤信息根据良品芯片通过静电放电模拟损伤测试分析得到;将良品芯片的损伤信息与待验证芯片的损伤信息进进行对比分析,判断待验证芯片是否发生静电放电失效;当良品芯片的损伤信息与待验证芯片的损伤信息一致时,则待验证芯片发生静电放电失效。上述静电放电失效验证方法,在进行静电放电失效分析之前,对疑似静电放电失效的芯片进行静电放电失效验证,避免直接采用静电放电失效分析得到不准确的结果,提高了静电放电失效分析的可靠性。
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公开(公告)号:CN108398631B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201810240769.9
申请日:2018-03-22
IPC分类号: G01R31/28
摘要: 本发明涉及一种静电放电失效验证方法,包括步骤:对待验证芯片进行失效分析,记录待验证芯片的损伤信息;获取与待验证芯片同批次的良品芯片的损伤信息,良品芯片的损伤信息根据良品芯片通过静电放电模拟损伤测试分析得到;将良品芯片的损伤信息与待验证芯片的损伤信息进进行对比分析,判断待验证芯片是否发生静电放电失效;当良品芯片的损伤信息与待验证芯片的损伤信息一致时,则待验证芯片发生静电放电失效。上述静电放电失效验证方法,在进行静电放电失效分析之前,对疑似静电放电失效的芯片进行静电放电失效验证,避免直接采用静电放电失效分析得到不准确的结果,提高了静电放电失效分析的可靠性。
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