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公开(公告)号：CN119492980A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411660321.4
申请日：2024-11-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种键合引线的可靠性评估方法，包括：针对基于预设贮存条件进行贮存的多种不同的键合引线，从多种不同的键合引线中选取预设数量的键合引线，作为样品键合引线，并获取每个样品键合引线的贮存结果数据；对每种键合引线的焊点处进行剖面切割后再进行剖面分析，获得每种键合引线的剖面分析数据；基于每个样品键合引线的贮存结果数据和每种键合引线的剖面分析数据，确定键合引线的可靠性评估结果。本申请可以对键合引线的可靠性进行评估，以保障集成电路芯片具有正常的信号传输性能和电气性能，提升集成电路芯片的生产效果。
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公开(公告)号：CN112782558A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011591485.8
申请日：2020-12-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种集成电路失效率获取方法，包括：确定集成电路的至少一种本征失效机制；根据至少一种本征失效机制，在待测样品上形成与各本征失效机制相应的测试结构；根据至少一种本征失效机制，确定与各本征失效机制相应的试验方案，试验方案包括多组不同的应力条件；根据试验方案，对多个待测样品上的相应测试结构进行寿命测试试验；根据寿命测试试验，获取与各本征失效机制相应的失效物理模型；根据与各本征失效机制相应的失效物理模型，获取集成电路的失效率。本申请能够有效降低获取集成电路失效率的成本有效提高获取的集成电路失效率的准确性。
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公开(公告)号：CN115902574A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211045747.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种缺陷检测方法、装置、设备、存储介质和程序产品。所述方法包括：获取目标芯片在预设工作条件下的寿命变化信息；根据预先建立的映射关系和所述寿命变化信息，确定所述目标芯片对应的目标空洞面积比，并将所述目标空洞面积比作为缺陷检测结果；其中，所述映射关系包括多个工作条件下，不同空洞面积比对应的寿命时间变化情况，所述空洞面积比用于表征空洞面积与通孔面积的比值。采用本方法能够确定整批芯片的通孔填充效果，从而对整批芯片作出接收或拒收判断。
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公开(公告)号：CN111060794B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201911134386.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种热载流子注入效应的寿命评估方法、装置和计算机设备，其中一种热载流子注入效应的寿命评估方法，可针对SOI器件的自热效应，降低环境温度来进行热载流子注入试验，使得SOI器件在进行热载流子注入试验时的工作温度可以保持在目标温度，进而在进行寿命评估时能够消除自热效应对待测SOI器件热载流子注入效应的影响，提高了输出的寿命时间的可靠性和准确性，对SOI器件的可靠性寿命时间评估方法进行修正与应用，有助于提高工艺加工过程中的SOI器件的热载流子可靠性。
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公开(公告)号：CN119830816A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510308756.0
申请日：2025-03-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/30 , G06F17/16 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/14 , G06F119/16
Abstract: 本申请涉及汽车芯片技术领域，公开了一种基于多失效机理竞争失效的汽车芯片可靠性评估方法，该方法包括开展单失效机理评估试验得到加速因子及失效率、构建加速因子矩阵和失效率矩阵计算占比系数矩阵、构建多机理竞争失效矩阵计算综合失效率及平均寿命时间以评估其可靠性。本申请，实现了全面考虑多种失效机理的竞争关系，通过科学合理的试验和计算方法，能够准确评估汽车芯片在复杂应力环境下的综合失效率和平均寿命时间，有效克服了传统单独评估各失效机理的局限性，为汽车芯片可靠性评估提供了更精准、更符合实际工况的评估手段，满足汽车行业对芯片可靠性评估的严苛要求，提升了汽车芯片在设计、生产及应用环节的可靠性保障水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115579352A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211023143.5
申请日：2022-08-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/544 , G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种电迁移寿命时间测试方法、测试组件、计算机设备、介质。方法包括：在多组不同测试温度下，获取多根预设金属互连线的第一中位失效时间；针对每组不同测试温度，根据不同测试温度下多根预设金属互连线的第一中位失效时间，计算各组第一目标测试温度对应的激活能；第一目标测试温度为基于不同测试温度所计算出的；根据各组第一目标测试温度对应的激活能，预测工作温度下电迁移效应的目标激活能，根据目标激活能计算待测金属互连线的寿命；测试温度高于工作温度。采用本方法能够对激活能参数进行修正，准确地计算待测金属互连线在工作温度下的寿命。
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公开(公告)号：CN111060794A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911134386.4
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种热载流子注入效应的寿命评估方法、装置和计算机设备，其中一种热载流子注入效应的寿命评估方法，可针对SOI器件的自热效应，降低环境温度来进行热载流子注入试验，使得SOI器件在进行热载流子注入试验时的工作温度可以保持在目标温度，进而在进行寿命评估时能够消除自热效应对待测SOI器件热载流子注入效应的影响，提高了输出的寿命时间的可靠性和准确性，对SOI器件的可靠性寿命时间评估方法进行修正与应用，有助于提高工艺加工过程中的SOI器件的热载流子可靠性。
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公开(公告)号：CN109613016A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811477411.4
申请日：2018-12-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片缺陷检测设备及方法，所述设备包括：检测平台，待检测的半导体芯片固定安装于所述检测平台；激光发生器，所述激光发生器设置于所述检测平台上方，用于产生照射于所述半导体芯片表面的激光，所述激光发生器与所述检测平台之间能够发生相对位移，以使所述激光能够以扫描的方式照射于所述半导体芯片表面；电源，所述电源与所述半导体芯片连接，为所述半导体芯片供电；示波器，所述示波器与所述半导体芯片连接，用于检测并显示所述半导体芯片中所产生的输出电压和/或输出电流。本发明能够方便快捷地确定出待检测的半导体芯片内是否存在有潜在缺陷。
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公开(公告)号：CN119757828A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411855437.3
申请日：2024-12-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种阈值电压初始值确定方法、装置、计算机设备及介质。该方法包括：获取目标晶体管被施加初始双向电压波形时的多个初步转移特性，在各初步转移特性的回滞处于不稳定状态的情况下，对目标晶体管的终止输入电压进行调整得到调整后终止输入电压，并根据调整后终止输入电压和起始输入电压确定目标晶体管的调整双向电压波形，获取目标晶体管被施加调整双向电压波形时的多个调整后转移特性，并在各调整后转移特性的回滞处于稳定状态的情况下，根据各调整后转移特性确定目标晶体管的阈值电压初始值。采用上述可以通过稳定状态的转移特性来确定精度较高的目标晶体管的阈值电压初始值，以支撑对目标晶体管的负偏置温度不稳定性进行研究。
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公开(公告)号：CN119644083A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411740966.9
申请日：2024-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明公开提供了一种纳米FinFET器件大气中子辐射与经时击穿的试验方法，包括综合效应试验装置，将样品放入综合效应试验装置内，对样品施加大气中子辐射束线，通过所述综合效应试验装置对样品施加电压和温度；通过实验计算出样品的寿命时间，本发明在大气中子辐射环境中，对纳米FinFET器件进行经时击穿试验测试，以评估纳米FinFET器件在地面和飞行高度上的综合应力影响，无需单独进行两次试验进行评估，更加方便、快捷。
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