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公开(公告)号:CN119047247A
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202411086139.2
申请日:2024-08-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供一种面向机电热性能的相控阵天线快速优化设计方法和系统,涉及数字化设计技术领域。本发明建立了相控阵天线阵元位置误差与电性能之间的机电热耦合模型,基于该模型建立了面向机电热的天线优化模型,并给出了快速求解策略,避免出现设计缺陷,实现相控阵天线的机电热快速优化,从而确保和改善了相控阵天线的综合性能。
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公开(公告)号:CN118966340A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411093776.2
申请日:2024-08-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明提供一种基于知识库的不完备知识推理方法和系统,涉及知识工程技术领域。本发明实施例采用的知识工程技术有效地促进了各种器件设计知识的管理和重用。通过基于知识工程的设计方法,可以将设计过程中的细节知识和专家经验全部存储下来。这不仅减少了对专业人员的依赖,降低了生产成本,还能确保设计知识的持续积累和传承,避免因人员流动而导致的知识流失。
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公开(公告)号:CN113540806B
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202110826130.0
申请日:2021-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印的一体化太赫兹波纹喇叭天线阵列及其制作方法,天线阵列包括若干个波纹喇叭天线单元(101)、表面金属层(102)以及主体支撑结构(103),所述主体支撑结构(103)为光固化树脂,若干个波纹喇叭天线单元(101)一体成型设置在主体支撑结构(103)上,且主体支撑结构(103)上表面覆盖表面金属层(102),相邻波纹喇叭天线单元(101)的之间为与波纹喇叭天线单元(101)一体化的网状支撑结构(104)。本发明的优点在于:提供了波纹喇叭天线阵列基于光固化3D打印技术,一体化成形,不需要天线单元的进一步装配,结构强度好,服役期间变形小,主要材料为光固化树脂,重量轻,能够直接与前端馈源波导进行互联,安装和使用方便。
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公开(公告)号:CN113540729B
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202110824756.8
申请日:2021-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明提供一种基于3D打印的微型同轴传输线及其制作方法,其中输线中间主体(101)包括内导体(201)、外导体(202)、支撑结构(203)、外框架盖帽(204)和外框架底板(205),支撑结构(203)、外框架盖帽(204)和外框架底板(205)的材料均为光固化树脂;外框架底板(205)的内表面覆盖有外导体(202);支撑结构(203)位于外框架底板(205)的中央上方,其上表面覆盖有内导体(201);外框架盖帽(204)倒扣在外框架底板(205)上;所述传输线端部(102)位于传输线中间主体(101)的端部,相对于传输线中间主体(101)顶部镂空。本发明提出的微型同轴传输线以光固化3D打印为核心,较目前微同轴结构的制作,具有便于批量制作、制作周期短、加工精度高等优点。
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公开(公告)号:CN113555293A
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN202110826137.2
申请日:2021-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H01L21/66 , H01L23/544 , H01L21/50 , H01L23/34
Abstract: 本发明涉及半导体测试领域,具体涉及一种硅基片式收发组件温度应力场测试方法,包括如下步骤:制作下绝缘层、制作应力传感单元、制作上绝缘层以及引线、堆叠互连、应力测试、温度和应力值输出。本发明的优点在于:相对于现有技术,即使是封装或组装后的组件内部温度也可测试,能够实现组件内部或表面应力场的高精度测量,且应力分布结果精度较高。
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公开(公告)号:CN111996413A
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN202010849846.8
申请日:2020-08-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
Abstract: 本发明公开一种铅锡基焊料合金的制备方法,包括以下步骤:(1)制粉:将以下重量百分比的原料混合:45-60%Sn粉、25-35%Pb粉、10-25%In粉、1.5-5%Bi粉、0.02-0.08%Tb粉、0.1-0.7%Zr粉、0.7%Fe粉、余量为Se粉;(2)烧结:将混合的粉末置入石墨模具中,预压,将预压后的模具放入放电等离子烧结炉中,抽真空,烧结压强为50Mpa,升温速率为45℃/min,温度升至520℃后保温5min,随炉冷却后即制得铅锡基焊料合金。本发明还提供由上述制备方法制得的焊料合金。本发明的有益效果在于:铅锡基焊料合金显微组织均匀致密,提高了焊料合金的润湿性能,且具有较低的熔点。
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公开(公告)号:CN114080146B
公开(公告)日:2023-12-05
申请号:CN202111287935.9
申请日:2021-11-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H05K13/00
Abstract: 于大规模工业生产。本发明涉及金属外壳密封技术领域,具体涉及一种低温无压的传感器金属外壳密封方法,首先通过化学处理和Ar等离子体轰击对金属外接口进行表面活化,然后将表面活化后的金属外接口在室温至150℃低温度范围内,在真空环境下以及适当压力下两两之间进行键合。本发明为直接键合,不需要其他金属的参与。本发明密封得到的传感器密封性能好,可在室温至150℃低温度范围键合,元器件性能受影响程度低,产品使(56)对比文件JP 2010107366 A,2010.05.13JP 2012223792 A,2012.11.15JP H06218533 A,1994.08.09US 2012320555 A1,2012.12.20US 2013255875 A1,2013.10.03US 2016172327 A1,2016.06.16Michitaka Yamamoto.Room-temperaturepressureless wafer sealing usingultrathin Au films activated by Arplasma.2019 6th International Workshop onLow Temperature Bonding for 3DIntegration (LTB-3D).2019,全文.王晨曦;王特;许继开;王源;田艳红.晶圆直接键合及室温键合技术研究进展.精密成形工程.2018,(第01期),全文.张胜寒;陈玉强;姜亚青;孙晨皓.层状双金属氢氧化物形成机理的研究现状.化工进展.2018,(第01期),全文.李科成;刘孝刚;陈明祥.用于三维封装的铜-铜低温键合技术进展.电子元件与材料.2015,(第01期),全文.
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公开(公告)号:CN117010084A
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202310869853.8
申请日:2023-07-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: G06F30/15 , G06F30/27 , G06N3/084 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种撑腿结构载车抗倾覆稳定性评估方法,包括以下步骤:设计制作雷达车的样机,在雷达车的样机上布置传感器;通过实验系统给雷达车施加载荷,测量雷达车姿态、撑腿支反力;建立雷达车的动态仿真模型,仿真计算雷达车在不同姿态、不同转速、不同风速作用下的平台倾角和撑腿支反力,提取雷达车到达不同危险程度的倾覆判据;将实验系统获得的数据以及模型仿真数据作为数据集,构建平台倾角、撑腿支反力与倾覆判据之间的关联关系;基于平台倾角、撑腿支反力,根据上述关联关系,预测平台是否倾覆;本发明的优点在于:实现对结构稳定性的快速评估和实时预警。
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公开(公告)号:CN113108753B
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202110394168.5
申请日:2021-04-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: G01B21/32
Abstract: 本发明涉及展收机构变形测量方法、系统及展收机构,包括数据处理端获取展收机构不同位置的应变数据,并通过以下步骤测量展收机构的位置变形情况:获取展收机构动力响应的位移可用振型的线性组合,以及基于应变数据,获取截取前r阶模态的各阶应变模态的线性组合,基于机构动力响应的位移可用振型的线性组合、截取前r阶模态的各阶应变模态的线性组合,获取展收机构表面简化后总位移方程;响应于修正参数指令,基于实际测量参数修正总位移的系数,修正总位移得到修正后的展收机构表面简化后总位移方程。本发明在恶劣环境下,也能够实时测得展收机构的变形情况。
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公开(公告)号:CN114080146A
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN202111287935.9
申请日:2021-11-02
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC: H05K13/00
Abstract: 本发明涉及金属外壳密封技术领域,具体涉及一种低温无压的传感器金属外壳密封方法,首先通过化学处理和Ar等离子体轰击对金属外接口进行表面活化,然后将表面活化后的金属外接口在室温至150℃低温度范围内,在真空环境下以及适当压力下两两之间进行键合。本发明为直接键合,不需要其他金属的参与。本发明密封得到的传感器密封性能好,可在室温至150℃低温度范围键合,元器件性能受影响程度低,产品使用寿命长,探测精准;将金属材料进行键和,接触紧密,密封性能好,且键合技术较为成熟,可应用于大规模工业生产。
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