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公开(公告)号：CN117895202A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410124964.0
申请日：2024-01-30
摘要： 本发明公开了一种小型化电路结构及由其组成的L波段环行器/隔离器，属于微波元器件技术领域，所述电路包括中心结电路及分布在所述中心结电路周围的匹配电路：所述电路整体呈圆形，所述中心结电路呈120°对称，所述中心结电路的最外围为类扇形区域，所述类扇形区域的角度α为110°～130°；所述匹配电路由分布电容和电感组成，其中，所述电感为连接所述中心结电路的长条形部分，所述分布电容呈“冂”形并与电感相连；本发明通过小型化电路结构设计，从原理上缩短电磁波传输波长，从而有效减小器件电路中心结尺寸，实现小型化，本发明环行器尺寸可≤11mm×11mm×6.5mm，重量5g以内，能够很好满足当前整机系统对于环行器小型化的需求。
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公开(公告)号：CN111814419B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202010729159.2
申请日：2020-07-27
申请人： 中国电子科技集团公司第九研究所
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/36 , H01P1/38 , H01P11/00
摘要： 本发明公开了一种通讯用集总参数环行器中集总电容选择设计方法，包括以下步骤，设计一塑封外壳，其安装集总电容的腔体位置、尺寸固定，并根据腔体尺寸确定集总电容的尺寸；选择一频段范围，用HFSS软件中仿真环行器，仿真时，不改变集总电容的尺寸固定，仅调整其容值，得到最佳匹配状态时对应的电容值；根据集总电容的尺寸和电容值，确定集总电容的介电常数；加工满足上述尺寸、电容值、和介电常数的集总电容。本发明提出了一种在集总参数环行器中，改变电容介电常数，来满足尺寸不变、调整电容的思路，从而使同一种塑封外壳适用不同频段产品的思路，能有效提升批产的效率，降低成本。还能提升焊接的效率和器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114447552B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210123712.7
申请日：2022-02-10
摘要： 本发明公开了一种基于MEMS工艺的新型微带环行器及其加工方法，其结构包括从上到下依次设置的永磁体、介质基板、铁底板，所述介质基板包括硅晶圆、硅晶圆上表面依次设有聚酰亚胺薄膜、上Cr/Au双层膜、上镀Au层，上Cr/Au双层膜上蚀刻有上表面电路，上镀Au层通过陶瓷基片与永磁体粘接；硅晶圆下表面设有下Cr/Au双层膜，其上蚀刻有下表面电路，硅晶圆中部还蚀刻有一铁氧体槽，下表面电路下方还设有一下镀Au层。本发明提出了一种新结构及加工方法，无需两片硅晶圆，无需进行晶圆级金属键合，能有效降此类环行器的工艺步骤、复杂度和成本，减小工艺冗余度，且能减小器件的尺寸，满足小型化的发展需求。
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公开(公告)号：CN111403888A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010433947.7
申请日：2020-05-21
申请人： 中国电子科技集团公司第九研究所
摘要： 本发明公开了一种表贴器件端口处理方法，属于微波铁氧体器件技术领域，所述表贴器件包括铁底板和铁氧体基片，先将所述铁底板加工后的外形为去除输入输出端口的形状，然后将加工成型的铁底板与所述铁氧体基片焊接，焊接完成后，采用植球工艺对表贴器件的输入输出端口进行处理，本发明还公开了采用上述方法制备的微带表贴环行器，包括依次连接的铁底板、铁氧体基片、匹配陶瓷和永磁体，还包括锡球和金属化过孔；本发明通过引入“植球”工艺，将传统的铁底板加工结构形式进行了大量的简化，提升加工效率的同时也增加了成品率;植球后的表贴环行器在无损测试、与整机装备装配等环节更加具有优势，具备大批量生产的能力。
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公开(公告)号：CN106410353A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610865569.3
申请日：2016-09-30
IPC分类号： H01P5/16
CPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明公开了一种多路不等分径向波导功率分配器，包括一空心的波导圆盘，所述波导圆盘一面中点设有输入端阶梯阻抗变换器，另一面包括数个与波导圆盘同心的环形区，每个环形区上均匀分布有数个输出端阶梯阻抗变换器，输入端阶梯阻抗变换器接产生电场和磁场的同轴线馈电输入，所述电场与波导圆盘的轴线平行，磁场方向绕圆周方向旋转。本发明利用径向波导主模场分布具有同轴对称性的特点，通过输出端口在以输入端口为圆心的不同半径r的圆上来实现不同比例的功率分配，且功分路数灵活，可实现多路、多种比例的分配，可广泛应用于对天线阵列有幅度调制需求的各种雷达系统、通信系统中。
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公开(公告)号：CN116345099A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310040765.7
申请日：2023-01-13
摘要： 本发明公开了一种硅基腔体环行器/隔离器及其加工方法，其结构包括从上到下依次设置的永磁体、上硅片、第一电路膜层、下硅片、第二电路膜层和底板封装层，第二电路膜层底部设有一贯穿至下硅片顶部的通孔，通孔内设有铁氧体，所述第一电路膜层上表面和下表面，下硅片的上表面分别设有一粘附过渡层，所述粘附过渡层采用Ti与W的合金材料，第一电路膜层、第二电路膜层电镀金属层进行加厚，所述金属层材质与第一电路膜层和第二电路膜层的材质相同。本发明能极大地提高了导电金属层的薄膜附着力，增强了器件的可靠性，且能有效的阻挡上下层材料在各种环境下的互相扩散，使器件保持在一个稳定的状态，提高微波器件单元的性能。
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公开(公告)号：CN114024118B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111311917.X
申请日：2021-11-08
申请人： 中国电子科技集团公司第九研究所
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明公开了一种组合电桥方式形成的功分网络，属于通信器件技术领域，包括三个独立的电桥，分别为一个180°电桥和两个90°电桥；其中，所述三个电桥组合为三层立体结构，从上至下依次为90°电桥、180°电桥和90°电桥；本发明将180°电桥和90°电桥相结合，得到了一种可将功率一分为四，相邻相位相差90°的功分网络，本功分网络呈现立体的堆叠模式，节约了器件的空间。采用级联方式，增大了电桥的带宽；利用铜带软搭接的办法，有效调节了各端口的相位。
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公开(公告)号：CN111967799B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202010934074.8
申请日：2020-09-08
申请人： 中国电子科技集团公司第九研究所(CN)
摘要： 本发明公开了一种集总参数表贴环行器物料及工艺问题识别方法，包括确定影响集总参数表贴环行器参数的问题，具体为物料尺寸偏差、器件焊接位置偏差、器件焊接温度偏差、器件编带偏差；对每个问题，分别设定一阈值，并将0‑阈值间的偏差值，量化到0‑1之间；将样本的S参数数据，作为训练模型的输入，而该样本经量化后得到的四个量化值构成向量Q作为期望的输出，用三层BP神经网络对样本进行训练，得到训练模型。本发明具有仅输入样本的S参数数据，就能输出该样本对应的问题向量Q的能力。本发明能提高测试效率，及时定位器件可能出现的问题；对于批量化生产，可以及时检测批次差异问题，并能对各批次产品性能状态变化情况进行统计分析。
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公开(公告)号：CN113395826A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110942562.8
申请日：2021-08-17
申请人： 中国电子科技集团公司第九研究所
摘要： 本发明公开了一种PCB板集总参数非互易磁性器件用高导热电路基板结构，包括粘合在一起的双面覆铜板、单面覆铜板，双面覆铜板包括从上到下依次设置的上覆铜层、中间介质层、下覆铜层，上覆铜层设有上表面电路，上表面电路用于形成安装中心导体模组的主安装位和匹配电路的副安装位，主安装位设有第一导热通道，副安装位设有第二导热通道，且根据中间介质层厚度不同，选用不同的方法加工第一导热通道，下覆铜层加厚，本发明提高了器件的通过功率耐受情况，使得器件能够耐受125℃环境下5W‑15W的连续波通过功率；且实现低频大功率下PCB板集总参数非互易磁性器件的高温高功率下损耗的增长较小，在0.5dB‑1.5dB之间。
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公开(公告)号：CN113328218A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110818495.9
申请日：2021-07-20
申请人： 中国电子科技集团公司第九研究所
摘要： 本发明公开了一种铁氧体移相器驱动控制方法，应用于铁氧体移相器，铁氧体移相器包括铁氧体和铁氧体驱动电路，所述铁氧体驱动电路用于改变铁氧体中激励电流的方向，包括（1）铁氧体驱动电路输出的电流包括正向电流I1，反向电流I2，I1、I2均能作为置位电流和复位电流，且在每一次激励时，置位电流产生置位电流激励脉冲，复位电流产生复位电流激励脉冲；（2）找到P点将整段相移量分为两段，一段采用I1作为复位电流、I2作为置位电流，另一段相反。用一种最简单的驱动电路，有效解决铁氧体移相器其中一段相移量陡变的问题，使移相器在整个移相段具有更好的可调性，提高铁氧体移相器的相位利用率。且相移精度更好，重复激励的一致性。
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