一种多层介质类带线结构超宽带集总参数环行器/隔离器

    公开(公告)号:CN114865256A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210808003.2

    申请日:2022-07-11

    IPC分类号: H01P1/36 H01P1/387

    摘要: 本发明公开了一种多层介质类带线结构超宽带集总参数环行器/隔离器,包括上铁氧体、多层介质板、下铁氧体;多层介质板包括中间电路层,其为双面覆铜板,中间电路层上、下表面分别设有上、下表面电路;上表面电路包括上交叉电路和三个匹配电路,下表面电路包括下交叉电路,所述下交叉电路形状为上交叉电路沿X轴翻转而成;上、下交叉电路中心重叠,二者间设有电路接地过孔且构成非互易中心结电感,非互易中心结电感与上铁氧体、下铁氧体构成非互易结NRJ。本发明对集总参数隔离器的电路中心结电路进行改进,可在尺寸增加不大的情况下实现18%~40%的宽带及超宽带电性能设计,满足下一代宽带基站用的隔离器/环行器设计,且降低器件成本。

    一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器

    公开(公告)号:CN114709578A

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202210634202.6

    申请日:2022-06-07

    IPC分类号: H01P1/39

    摘要: 本发明公开了一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器,属于微波元器件领域,采用高场设计,设计归一化内场为1.4~1.7,仿真设计内场为52000~63143A/m,包括腔体,所述腔体上设置有磁轭(1),在所述腔体内设置有冷却管路(2),在所述上腔体(3)上设置磁体组合(6),在所述腔体内设置由焊接板(8)、铁氧体(9)和陶瓷(10)组成的旋磁组合体(7),所述铁氧体(9)的磁矩为400 gauss~800 gauss;本发明采用高场设计,实现1.3GHz波导环行器在5kW‑10kW的平均功率耐受,杜绝了器件在高功率下的非线性效应;并且降低器件在高场设计时的磁化难度,减小器件磁体磁化高度。

    PCB板集总参数非互易磁性器件用高导热电路基板结构

    公开(公告)号:CN113395826A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202110942562.8

    申请日:2021-08-17

    IPC分类号: H05K1/02 H05K3/00

    摘要: 本发明公开了一种PCB板集总参数非互易磁性器件用高导热电路基板结构,包括粘合在一起的双面覆铜板、单面覆铜板,双面覆铜板包括从上到下依次设置的上覆铜层、中间介质层、下覆铜层,上覆铜层设有上表面电路,上表面电路用于形成安装中心导体模组的主安装位和匹配电路的副安装位,主安装位设有第一导热通道,副安装位设有第二导热通道,且根据中间介质层厚度不同,选用不同的方法加工第一导热通道,下覆铜层加厚,本发明提高了器件的通过功率耐受情况,使得器件能够耐受125℃环境下5W‑15W的连续波通过功率;且实现低频大功率下PCB板集总参数非互易磁性器件的高温高功率下损耗的增长较小,在0.5dB‑1.5dB之间。

    基于电容并联的隔离器用塑封外壳及隔离器

    公开(公告)号:CN113381150A

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202110922239.4

    申请日:2021-08-12

    IPC分类号: H01P1/36 H01P1/383

    摘要: 本发明公开了一种基于电容并联的隔离器用塑封外壳及隔离器,属于微波元器件技术领域,包括引脚金属部分(61)、载体金属部分(62)和塑料部分(63),所述载体金属部分(62)上设置有形状大小相同的三个电容接地引脚,三个电容接地引脚均向内弯折形成用于容纳上层芯片电容(8)和下层芯片电容(9)的容纳腔(62e),所述上层芯片电容(8)与下层芯片电容(9)在所述容纳腔(62e)内上下并联;本发明相对于传统塑封外壳设计可提高端口电容容量,可实现内部元件全国产化制作600MHz~700MHz的集总参数环行器/隔离器,还可减小单个电容的尺寸,增大单个电容的厚度;利于电容制作,降低低频器件制作的物料成本。

    一种波导微波探针
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118624963A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410805562.7

    申请日:2024-06-21

    IPC分类号: G01R1/067 G01R31/28

    摘要: 本发明公开了一种波导微波探针,属于芯片测试设备技术领域,包括探针针尖(1)、探针支架腔体(2)、探针上部左腔体(3)和探针上部右腔体(4),其中,所述探针支架腔体(2)设置有波导通道以及用于所述探针针尖(1)放置的位置,所述探针针尖(1)设置于探针支架腔体(2)前端,所述探针上部左腔体(3)与探针上部右腔体(4)左右相接构成探针主体,在所述探针主体的末端设置用于与波导接口连接的法兰;本发明能够实现超过110GHz的芯片在片测量,并且结构简单,容易实现。

    一种浮位式宽带集总参数环行器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117613531A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311632210.8

    申请日:2023-12-01

    IPC分类号: H01P1/383

    摘要: 本发明公开了一种浮位式宽带集总参数环行器,属于微波元器件领域,包括从上至下依次设置的上金属外壳(11)、锶恒磁(12)、中心导体模组(13)、多层电路板(16)和下金属外壳(17),其中,所述中心导体模组(13)还匹配设置有匹配电容电感(14),所述多层电路板(16)上还嵌设有高导热陶瓷(15);本发明传统设计可大幅度降低器件的尺寸和重量,可实现小尺寸下满足星载环行器功率要求,同时相比传统集总参数环行器带宽得到了大幅度拓展。

    一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器

    公开(公告)号:CN114709578B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210634202.6

    申请日:2022-06-07

    IPC分类号: H01P1/39

    摘要: 本发明公开了一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器,属于微波元器件领域,采用高场设计,设计归一化内场为1.4~1.7,仿真设计内场为52000~63143A/m,包括腔体,所述腔体上设置有磁轭(1),在所述腔体内设置有冷却管路(2),在所述上腔体(3)上设置磁体组合(6),在所述腔体内设置由焊接板(8)、铁氧体(9)和陶瓷(10)组成的旋磁组合体(7),所述铁氧体(9)的磁矩为400 gauss~800 gauss;本发明采用高场设计,实现1.3GHz波导环行器在5kW‑10kW的平均功率耐受,杜绝了器件在高功率下的非线性效应;并且降低器件在高场设计时的磁化难度,减小器件磁体磁化高度。

    法拉第旋转开关
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112216937B

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN202011388257.0

    申请日:2020-12-02

    IPC分类号: H01P1/11

    摘要: 本发明公开了一种法拉第旋转开关,主要由两个正交模耦合器和一个由电路控制的法拉第旋转器构成,其中,法拉第旋转器由四脊方波导、位于四脊方波导中的匹配陶瓷、铁氧体、缠绕在铁氧体上的线圈构成,所述线圈通电时,能形成沿铁氧体长度方向的均匀磁场,而反向通电时,磁场反向;本发明中法拉第旋转器在通电时,能将信号沿四脊方波导的轴向旋转45°。本发明提出了新的铁氧体开关结构,利用法拉第旋转器以实现器件的非互易功能,在法拉第旋转器中器件的工作频率与铁氧体的磁矩无关,可以取较低磁矩的铁氧体,提高了铁氧体开关的工作频段,使产品能工作频段能达到Q波段。