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公开(公告)号：CN116455348A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310407771.1
申请日：2023-04-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本发明公开了一种高温度稳定性的声表面波滤波器结构，该结构包括压电衬底和电极层，还包括绝缘层，且所述绝缘层位于所述压电衬底和所述电极层之间，本发明通过在电极层底部增加一定厚度的绝缘层，电极层没有直接接触到压电衬底的表面，和传统的电极层与压电衬底直接接触相比，电学边界条件发生很大变化，电场对各声波模式的激励效率也发生变化，保持主模声波激励效率和Q值(品质因数)的前提下添加一定厚度的绝缘层可抑制杂波模式寄生，同时由于绝缘层的存在，也使得器件的温度稳定性得到了大大的改善。
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公开(公告)号：CN112382718A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011262292.8
申请日：2020-11-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H01L41/18 , H01L41/04 , H01L41/047 , H01L41/22 , H01L41/29 , H01L41/39 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/35
摘要： 本发明涉及薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种C轴垂直择优取向AlN压电薄膜及其制备方法，包括：在蓝宝石或YAG晶体上依次制备自缓冲层AlN薄膜、金属电极层、AlN压电薄膜。自缓冲层AlN薄膜诱导金属电极层取向，实现在电极层上制备高度C轴择优取向AlN薄膜。蓝宝石或YAG晶体与高纯溅射靶成45°，有效调控溅射原子团到达基片后平行基片表面迁移运动的能量，有利于生长缓冲层和AlN压电薄膜C轴择优取向生长，提高薄膜的压电响应及机电耦合系数。本发明方法能够实现较低温度下利用磁控溅射技术生长C轴择优取向AlN薄膜，得到的AlN薄膜结晶度高，具有较高的压电响应系数及机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN116781031A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310455760.0
申请日：2023-04-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种高性能Lamb波声学器件结构，包括电极指条层、压电薄膜层、功能薄膜层和支撑衬底层；所述电极指条层位于所述压电薄膜层表面上；所述压电薄膜层位于所述功能薄膜层表面上，所述压电薄膜层沿轴向方向的尺寸与所述功能薄膜层沿轴向方向的尺寸相适应，且所述压电薄膜层和所述功能薄膜层形成压电复合薄膜结构；所述功能薄膜层位于所述支撑衬底层上。本方案的Lamb波声学器件能够实现高频带、大带宽，从而更好的满足高速移动通讯的需求，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广。
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公开(公告)号：CN116633302A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310455756.4
申请日：2023-04-25
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种声表面波器件横向杂波模式抑制结构及方法，该结构包括汇流排、假指、间隙和指条组件，所述指条组件整体呈类鱼刺形结构。本发明通过对汇流排、假指、间隙、鱼刺形指条组件结构的优化，实现了有效抑制各阶次杂波模式寄生的同时，还可激发高Q值声波模式。由此，有利于实现声表面波器件的低损耗、通带高平坦度等性能，满足了高速移动通讯等终端对高性能表面波器件的要求，且该结构使用的制备工艺容易实现，易于大规模推广。
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公开(公告)号：CN116455352A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310522640.8
申请日：2023-05-10
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种声表面波器件抑制横向模式的结构，包括压电层和位于压电层上的电极层，电极层包括汇流条、叉指电极和假指；汇流条包括平行设置的两汇流条，假指和叉指电极设置在两汇流条之间形成IDT图形。同一汇流条上的假指和叉指电极依次交叉设置，每一汇流条上的所有假指和另一汇流条上的叉指电极一一对应地正对设置且两者具有间隙。在两汇流条上分别设有汇流条加厚层以增加汇流条区域的质量负载，从而降低汇流条区域的声波传播速度，使得汇流条区域的声速介于主模速度和第一横向模式速度之间。本发明在抑制横向杂波模式的同时，解决了现有技术因此带来的器件Q值降低、尺寸增大和加工工艺复杂等问题。
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公开(公告)号：CN116436432B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310407762.2
申请日：2023-04-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本发明公开了一种小型化的声表面波滤波器结构，该结构包括压电衬底和电极层，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述压电衬底和所述电极层之间并使得所述压电衬底和所述电极层完全分离，且所述绝缘层覆盖所述压电衬底的部分表面。本方案可以激发低声速声波模式，其激发的声速可以降低到900m/s，以此满足P波段、L波段、S波段SAW器件的小型化设计要求，实现器件的小型化设计。
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公开(公告)号：CN118174680A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410327553.1
申请日：2024-03-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种具有温补特性的声表面波器件结构，包括电极层、压电薄膜和衬底，压电薄膜设于衬底上表面，电极层设置在压电薄膜表面。还包括温补层，所述温补层位于衬底与压电薄膜之间，或者温补层位于压电薄膜之上并将压电薄膜上表面和电极层覆盖，温补层采用具有温补特性的材料制成。衬底材料为AlN陶瓷、AlN多晶或氮化镓GaN。当衬底为AlN陶瓷时，还包括功能层，所述功能层位于温补层和衬底之间；或者所述功能层位于温补层和压电薄膜之间；功能层材料采用以下材料中的至少一种制成：AlN薄膜、二氧化硅SiO2、多晶硅PolySi。本发明声表面波器件具有优异的温补特性，并通过进一步改进后具有高功率耐受能力。
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公开(公告)号：CN116436432A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310407762.2
申请日：2023-04-17
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本发明公开了一种小型化的声表面波滤波器结构，该结构包括压电衬底和电极层，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层位于所述压电衬底和所述电极层之间并使得所述压电衬底和所述电极层完全分离，且所述绝缘层覆盖所述压电衬底的部分表面。本方案可以激发低声速声波模式，其激发的声速可以降低到900m/s，以此满足P波段、L波段、S波段SAW器件的小型化设计要求，实现器件的小型化设计。
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公开(公告)号：CN105277242A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510774252.4
申请日：2015-11-13
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
IPC分类号： G01F1/66
摘要： 本发明公开了一种超声波流量计的超声换能器结构，包括两端封闭的管道，在管道的两端分别开设有一凹槽，在凹槽内沿其轴向设有两层换能元件以及三层金属电极片，在换能元件和金属电极片外侧设有绕换能元件和金属电极片一周的去耦层；所述换能元件、金属电极片以及去耦层由灌封层密封在凹槽内；在管道的侧壁上设有进液管和出液管，所述进液管和出液管分布靠近管道的两端。本发明结构简单，使用方便，并且稳定性高。
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公开(公告)号：CN118138006A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410327549.5
申请日：2024-03-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要： 本发明公开了一种高功率耐受能力的声表面波器件结构，包括电极层、压电薄膜和衬底，压电薄膜设于衬底上表面，电极层设置在压电薄膜表面；所述衬底的材料为AlN陶瓷、AlN多晶或氮化镓GaN。当所述衬底的材料为AlN陶瓷时，还包括功能层，所述功能层位于压电薄膜和衬底之间；功能层材料采用以下材料中的至少一种制成：AlN薄膜、二氧化硅SiO2、多晶硅PolySi。本发明还包括温补层，温补层位于衬底与压电薄膜之间；或者温补层位于压电薄膜之上并将压电薄膜上表面和电极层覆盖。本发明声表面波器件具有高的功率耐受能力和高频特性，同时还具有温补特性。
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