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公开(公告)号：CN111180843B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010012766.7
申请日：2020-01-07
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要： 本发明提供了一种MEMS微带环形器及其制备方法，包括：铁镍合金层；微带层，设置于所述铁镍合金层上；下硅层，设置于所述微带层远离所述铁镍合金层的一面上；铁氧体层，贯穿所述下硅层以及所述微带层，向下延伸至所述铁镍合金层上；传输线层，设置于所述下硅层以及所述铁氧体层远离所述微带层的一面上；上硅层，设置于所述传输线层远离所述铁氧层的一面上；以及磁钢层，设置于所述上硅层远离所述传输线的一面上；其中，所述上硅层为台阶结构。本发明提供的一种MEMS微带环形器，通过将上硅层设置为台阶结构，降低了MEMS微带环形器的介质损耗以及辐射损耗，进而降低了MEMS微带环形器在使用的过程中的损耗。
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公开(公告)号：CN105604736A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510982284.3
申请日：2015-12-24
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： F02K9/24
CPC分类号： F02K9/24
摘要： 本发明一种适用于MEMS微推进器阵列芯片的清洁微装药工艺，包括如下步骤：1）根据微药室阵列层的直径和分布，在带微孔阵列的隔板上加工出相应的隔板微通孔，将带微孔阵列的隔板固定在微药室阵列层表面；2）在微药室内装填推进剂含能材料；3）去除微药室阵列层上表面的带微孔阵列的隔板，露出微药室阵列层受带微孔阵列的隔板保护的洁净工艺面；4）进行后续的键合步骤，通过保证微药室阵列层表面的洁净。优点：1）具有材料适应性广泛；2）隔板上微孔阵列可以采用MEMS工艺加工，具有精度高、效率高；3）隔板上可以方便地加工出高精度的定位标记，通过对准工艺可以保证隔板的微通孔阵列同微药室阵列上下同心，保证顺利完成微装药过程。
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公开(公告)号：CN103864008A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410084759.2
申请日：2014-03-10
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要： 本发明是采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法，包括工艺步骤：1）将硅片按照所需要的图形刻蚀穿通，制作好硅片掩膜版；2）将待沉积薄膜的基片与硅片掩膜版固定，其中包括控制基片与硅片掩膜版之间的间距，以及基片与硅片掩膜版之间的图形对准；3）沉积薄膜层；4）基片与硅片掩膜版分离，并清洗硅片掩膜版用于重复使用。优点：即通过改变硅片与待沉积薄膜的基片之间的距离以及使用不同厚度和不同通孔形貌的硅片，可改变所沉积材料的粒子在沉积过程中的分布情况，从而改变最终得到的薄膜图形的横截面形貌。工艺简单成本低廉，可重复利用，当进一步生长的薄膜上层材料与薄膜下层材料需要较好的晶格匹配时，本方法显示出了突出的优势。
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公开(公告)号：CN107902109A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711042484.6
申请日：2017-10-31
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要： 本发明涉及一种具有推力增程模块的MEMS微推力器阵列芯片，包括由下至上依次设置的点火层、药室层和推力增程模块；所述推力增程模块的上表面设置有外喷孔，推力增程模块的下表面设置有内喷孔，内喷孔和外喷孔之间设置有单晶硅薄膜，作为内外喷孔之间的隔膜；内喷孔内壁生长或者沉积高能纳米含能膜作为推力增程模块的推进剂。本发明在不改变核心机结构和性能参数的情况下，通过增加推力增程模块实现对MEMS微推力器阵列芯片关键技术指标的调控，有利于实现MEMS微推力器阵列芯片的批量化、低成本化、系列化和型谱化。
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公开(公告)号：CN105604736B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510982284.3
申请日：2015-12-24
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： F02K9/24
摘要： 本发明一种适用于MEMS微推进器阵列芯片的清洁微装药工艺，包括如下步骤：1）根据微药室阵列层的直径和分布，在带微孔阵列的隔板上加工出相应的隔板微通孔，将带微孔阵列的隔板固定在微药室阵列层表面；2）在微药室内装填推进剂含能材料；3）去除微药室阵列层上表面的带微孔阵列的隔板，露出微药室阵列层受带微孔阵列的隔板保护的洁净工艺面；4）进行后续的键合步骤，通过保证微药室阵列层表面的洁净。优点：1）具有材料适应性广泛；2）隔板上微孔阵列可以采用MEMS工艺加工，具有精度高、效率高；3）隔板上可以方便地加工出高精度的定位标记，通过对准工艺可以保证隔板的微通孔阵列同微药室阵列上下同心，保证顺利完成微装药过程。
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公开(公告)号：CN103864008B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410084759.2
申请日：2014-03-10
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： C23C16/04
摘要： 本发明是采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法，包括工艺步骤：1）将硅片按照所需要的图形刻蚀穿通，制作好硅片掩膜版；2）将待沉积薄膜的基片与硅片掩膜版固定，其中包括控制基片与硅片掩膜版之间的间距，以及基片与硅片掩膜版之间的图形对准；3）沉积薄膜层；4）基片与硅片掩膜版分离，并清洗硅片掩膜版用于重复使用。优点：即通过改变硅片与待沉积薄膜的基片之间的距离以及使用不同厚度和不同通孔形貌的硅片，可改变所沉积材料的粒子在沉积过程中的分布情况，从而改变最终得到的薄膜图形的横截面形貌。工艺简单成本低廉，可重复利用，当进一步生长的薄膜上层材料与薄膜下层材料需要较好的晶格匹配时，本方法显示出了突出的优势。
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公开(公告)号：CN107933969B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201711051350.0
申请日：2017-10-31
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01L23/498 , B64G1/40 , B81B7/02
摘要： 本发明涉及一种MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路及制备方法，寻址点火电路包括衬底、绝缘介质层和金属引线；衬底上设置第一层金属引线，然后沉积第一层绝缘介质层作为与第二层金属引线的绝缘层，在第一层绝缘介质层上布置第二层金属引线，然后沉积第二层绝缘介质层作为与第三层金属引线的绝缘层，重复上述工艺，实现多层金属引线的立体化布置。本发明在垂直于衬底表面的方向上实现多层金属引线的立体布置，将目前基于二维平面的集成度升级成基于三维立体的体集成度，充分利用衬底面积，在不增加芯片面积和工艺难度的基础上，增加金属引线的线宽以提高大电流承受能力。
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公开(公告)号：CN107902109B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201711042484.6
申请日：2017-10-31
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要： 本发明涉及一种具有推力增程模块的MEMS微推力器阵列芯片，包括由下至上依次设置的点火层、药室层和推力增程模块；所述推力增程模块的上表面设置有外喷孔，推力增程模块的下表面设置有内喷孔，内喷孔和外喷孔之间设置有单晶硅薄膜，作为内外喷孔之间的隔膜；内喷孔内壁生长或者沉积高能纳米含能膜作为推力增程模块的推进剂。本发明在不改变核心机结构和性能参数的情况下，通过增加推力增程模块实现对MEMS微推力器阵列芯片关键技术指标的调控，有利于实现MEMS微推力器阵列芯片的批量化、低成本化、系列化和型谱化。
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公开(公告)号：CN111180843A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010012766.7
申请日：2020-01-07
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要： 本发明提供了一种MEMS微带环形器及其制备方法，包括：铁镍合金层；微带层，设置于所述铁镍合金层上；下硅层，设置于所述微带层远离所述铁镍合金层的一面上；铁氧体层，贯穿所述下硅层以及所述微带层，向下延伸至所述铁镍合金层上；传输线层，设置于所述下硅层以及所述铁氧体层远离所述微带层的一面上；上硅层，设置于所述传输线层远离所述铁氧层的一面上；以及磁钢层，设置于所述上硅层远离所述传输线的一面上；其中，所述上硅层为台阶结构。本发明提供的一种MEMS微带环形器，通过将上硅层设置为台阶结构，降低了MEMS微带环形器的介质损耗以及辐射损耗，进而降低了MEMS微带环形器在使用的过程中的损耗。
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公开(公告)号：CN107933969A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711051350.0
申请日：2017-10-31
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要： 本发明涉及一种MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路及制备方法，寻址点火电路包括衬底、绝缘介质层和金属引线；衬底上设置第一层金属引线，然后沉积第一层绝缘介质层作为与第二层金属引线的绝缘层，在第一层绝缘介质层上布置第二层金属引线，然后沉积第二层绝缘介质层作为与第三层金属引线的绝缘层，重复上述工艺，实现多层金属引线的立体化布置。本发明在垂直于衬底表面的方向上实现多层金属引线的立体布置，将目前基于二维平面的集成度升级成基于三维立体的体集成度，充分利用衬底面积，在不增加芯片面积和工艺难度的基础上，增加金属引线的线宽以提高大电流承受能力。
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