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公开(公告)号：CN102201339B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110141914.6
申请日：2011-05-30
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/306
摘要： 本发明是一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法；光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极；利用发射极金属为掩膜，腐蚀掉发射区；光刻基极图形，蒸发金属并剥离形成基极；光刻基极台面图形，利用光刻胶保护住基极金属以及发射极金属；利用H3PO4和H2O2的混合腐蚀液腐蚀掉InGaAs基区；利用Hcl腐蚀液腐蚀掉InP集电区；利用H3PO4和H2O2的混合腐蚀液腐蚀掉InGaAs内切辅助层，适当增大腐蚀时间以造成内切；利用Hcl腐蚀液腐对InP集电区进行二次腐蚀；利用丙酮和乙醇去除基极金属和发射极金属上覆盖的光刻胶；优点：有效增大磷化铟双异质结双极型晶体管集电区的内切，从而减小B-C结电容。
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公开(公告)号：CN1937246A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610096644.0
申请日：2006-10-16
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01L29/775 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及一种采用复合缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法，AlGaN/GaN单异质结高电子迁移率晶体管的电子被一个量子阱所限制，在缓冲层和沟道层之间插入AlGaN缓冲层形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构，有利于提高缓冲层一侧的势垒高度，增加沟道中基态和激发态电子的量子限制作用，提高器件的夹断性能和输出功率。
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公开(公告)号：CN102214584B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201110141913.1
申请日：2011-05-30
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 本发明是一种制造InxAl1-xN复合势垒GaN增强型场效应管的方法，其工艺步骤包括在衬底上依次生长成核层、AlxGa1-xN缓冲层、GaN沟道层、AlxGa1-xN插入层和高In组分InxAl1-xN下势垒层，然后再生长AlxGa1-xN插入层并覆盖低In组分InxAl1-xN上势垒层，构成复合势垒；在复合势垒上制作源电极和漏电极，在预留制作栅电极的区域用微电子工艺去除InxAl1-xN上势垒层和AlxGa1-xN插入层，制作栅电极。优点：提高GaN增强型场效应管的工艺可控性和场效应管稳定性，降低正栅压工作下的栅漏电流，增大场效应管输出电流密度。
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公开(公告)号：CN101692438A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910232937.0
申请日：2009-10-19
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01L21/77 , H01L21/329 , H01L21/335
摘要： 一种磷化铟基共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管单片集成制造方法，其基本步骤是在半导体材料磷化铟(InP)衬底上用分子束外延设备依次生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管材料；在外延片的表面用电子束光刻，光学光刻和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光学光刻和湿法腐蚀实现器件之间的隔离，形成隔离沟；用金属欧姆接触制作共振遂穿二极管的上电极、下电极和高电子迁移率晶体管的源极、漏极，然后进行退火；用电子束光刻、干法刻蚀、湿法腐蚀制作栅极；通过干法刻蚀、光学光刻和电子束蒸发制作金属接线柱；最后通过苯并环丁烯平坦化工艺和金属布线把共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管互联起来。本发明具有工艺简单，可操作性强，成品率高等特点，具有很好的实用性。
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公开(公告)号：CN101302648A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810018838.8
申请日：2008-01-28
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要： 本发明是氮化镓薄膜外延生长结构及方法，结构是SOI衬底上是AlN成核层，成核层上是低V/III比GaN缓冲层，低V低V/III比/III比缓冲层上是GaN单晶薄膜。方法是选择SOI衬底，装入MOCVD反应室；烘烤；降温并通入三甲基铝，生长AlN成核层；关闭三甲基铝，降温并通入氨气，生长GaN缓冲层；升温并通入氨气和三甲基镓，生长GaN单晶薄膜；降至室温。优点：低V/III比GaN缓冲层通过延长GaN薄膜由三维生长转变为准二维生长时间使晶粒充分长大，降低晶粒密度，释放失配应力，提高GaN薄膜晶体质量。利用低V/III比GaN缓冲层减小SOI基GaN单晶薄膜失配应力、降低位错密度、提高晶体高质量。
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公开(公告)号：CN100433365C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610096645.5
申请日：2006-10-16
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 本发明针对现有的半导体器件存在的耐击穿电压高但跨导小或跨导大而耐击穿电压低的双重矛盾，公开了一种兼具二者优点的铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管，同时给出其制造方法，包括沟道层(3)、势垒层(4)，在势垒层(4)上设有源电极(5)和漏电极(6)，在源电极(5)和漏电极(6)之间的势垒层(4)上提供一凹槽(7)，在凹槽(7)中安装有方形或T形栅电极并覆盖有介质层，介质层的作用是减小栅电极上的泄漏电流，同时增加器件的最大电流；凹槽(7)的作用是提高器件的跨导。本发明同时公开了制作方法。本发明的优点在于保持了器件大的跨导的同时使器件具有小的栅极泄漏电流和大的驱动电流。
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公开(公告)号：CN101009326A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710019669.5
申请日：2007-02-01
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种采用复合隔离层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及其制造方法，它通过在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的AlGaN势垒层和隔离层之间插入GaN隔离层，能够有效降低热电子进入到AlGaN势垒的几率，减小合金散射，提高电子的输运特性，从而改善晶体管的频率特性，另外也有利于器件欧姆接触工艺的实现，降低高性能器件制作的工艺难度。
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公开(公告)号：CN102201339A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110141914.6
申请日：2011-05-30
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/306
摘要： 本发明是一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法；光刻发射极图形，蒸发金属并剥离形成发射极；利用发射极金属为掩膜，腐蚀掉发射区；光刻基极图形，蒸发金属并剥离形成基极；光刻基极台面图形，利用光刻胶保护住基极金属以及发射极金属；利用H3PO4和H2O2的混合腐蚀液腐蚀掉InGaAs基区；利用Hcl腐蚀液腐蚀掉InP集电区；利用H3PO4和H2O2的混合腐蚀液腐蚀掉InGaAs内切辅助层，适当增大腐蚀时间以造成内切；利用Hcl腐蚀液腐对InP集电区进行二次腐蚀；利用丙酮和乙醇去除基极金属和发射极金属上覆盖的光刻胶；优点：有效增大磷化铟双异质结双极型晶体管集电区的内切，从而减小B-C结电容。
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公开(公告)号：CN101814434B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010118619.4
申请日：2010-03-04
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC分类号： H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种制造氮面极性AlN/AlInN复合背势垒氮化镓场效应管的方法，该方法的步骤包括在衬底上依次生长氮面极性GaN缓冲层、AlInN调制掺杂层、δ掺杂层、AlInN背势垒隔离层、AlN背势垒隔离层、GaN沟道层和AlGaN前势垒层；由调制掺杂的AlN/AlInN复合背势垒层产生高密度电子气和强背势垒来强化沟道电子气的二维特性，制成高性能氮面极性场效应管。本发明可以增大电子气密度和增厚背势垒，强化背势垒的量子限制和降低势垒层应变及缺陷密度；利用复合背势垒提供的强调制掺杂来进行沟道阱和前势垒的优化设计，既可以改善前势垒的量子限制，提高器件跨导和线性特性，又能优化肖特基势垒和欧姆接触的性能；适用于研究大功率、高PAE和毫米波高频的高可靠场效应管。
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公开(公告)号：CN101302648B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810018838.8
申请日：2008-01-28
申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要： 本发明是氮化镓薄膜外延生长结构及方法，结构是SOI衬底上是AlN成核层，成核层上是低V/III比GaN缓冲层，低V低V/III比/III比缓冲层上是GaN单晶薄膜。方法是选择SOI衬底，装入MOCVD反应室；烘烤；降温并通入三甲基铝，生长AlN成核层；关闭三甲基铝，降温并通入氨气，生长GaN缓冲层；升温并通入氨气和三甲基镓，生长GaN单晶薄膜；降至室温。优点：低V/III比GaN缓冲层通过延长GaN薄膜由三维生长转变为准二维生长时间使晶粒充分长大，降低晶粒密度，释放失配应力，提高GaN薄膜晶体质量。利用低V/III比GaN缓冲层减小SOI基GaN单晶薄膜失配应力、降低位错密度、提高晶体高质量。
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