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公开(公告)号：CN109039331B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201811275772.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明公开了一种用于本振电路的全数字8/9预分频电路，属于模拟射频集成电路技术领域。其包括放大比较电路和8/9分频主体电路，放大比较电路包括偏置电路和放大比较主体电路，放大比较主体电路具有信号输入端口和信号输出端口，偏置电路用于对放大比较主体电路的信号输入端口输出偏置电压信号，偏置电路还具有使能信号端口；8/9分频主体电路具有时钟信号输入端口、RN控制信号端口、M控制信号端口和信号输出端口，放大比较主体电路的信号输出端口与8/9分频主体电路的时钟信号输入端口连接。该电路具有结构简单可靠，功耗低和占用面积小等特点，非常适合单片集成。
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公开(公告)号：CN112491373A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011296741.0
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种V频段160W固态功率合成放大器，属于卫星通信技术领域。它由输入隔离器、控制衰减器、预失真模块、驱动放大器、固态功放模块、波导耦合器、检波器、监控单元、温度传感器、电源模块、风机等组成。本发明采用空间功率合成方式将八个功率芯片进行合成，构成一个功放小模块，再采用四路波导E‑T型结构的二进制功率分配/合成网络将四个功放小模块进行合成，最后采用魔T结构的功率分配/合成网络将信号合成达到160W的功率输出。该功率放大器具有频段高、体积小、重量轻、集成化程度高、性能稳定可靠、易维护、工作温度范围宽的特点，特别适用于卫星通信微波信道的功率放大业务。
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公开(公告)号：CN110943728A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911333221.X
申请日：2019-12-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关，属于射频集成电路技术领域。该开关由三个NMOS晶体管、三个片上电阻器、三个片上电感器、一个片上电容器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成，其中，TX支路由两个NMOS晶体管和两个片上电阻组成Cascode并联结构，RX支路由一个NMOS晶体管和一个片上电阻组成单晶体管并联结构。本发明能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输，可用于毫米波超宽带相控阵系统前端实现高集成度、高性能的收发切换。
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公开(公告)号：CN109039331A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811275772.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H03L7/099
CPC classification number: H03L7/0992
Abstract: 本发明公开了一种用于本振电路的全数字8/9预分频电路，属于模拟射频集成电路技术领域。其包括放大比较电路和8/9分频主体电路，放大比较电路包括偏置电路和放大比较主体电路，放大比较主体电路具有信号输入端口和信号输出端口，偏置电路用于对放大比较主体电路的信号输入端口输出偏置电压信号，偏置电路还具有使能信号端口；8/9分频主体电路具有时钟信号输入端口、RN控制信号端口、M控制信号端口和信号输出端口，放大比较主体电路的信号输出端口与8/9分频主体电路的时钟信号输入端口连接。该电路具有结构简单可靠，功耗低和占用面积小等特点，非常适合单片集成。
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公开(公告)号：CN108155891B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201711407046.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明提供了一种时钟产生电路，涉及集成电路领域。其包括时钟产生本体电路和校准控制单元，时钟产生本体电路包括粗调模块和细调模块；校准控制单元为编程数字电路，时钟产生本体电路产生的时钟信号与校准控制单元相连，校准控制单元输出的粗调控制字和细调控制字分别与时钟产生本体电路的粗调控制接口和细调控制接口相连。本发明采用数字校准方式，具有功耗低、校准速度快、校准精度高的特点，系统简单可靠，具有较高的实际应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109450485A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811491532.4
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于模拟基带的幅相校准及本振泄漏抑制电路，属于模拟射频集成电路技术领域。其包括跨导放大器电路、可变增益放大器电路、可调节电阻网络、可调节电容网络，以及可调节偏置电路。该电路具有结构简单可靠，功耗低和占用面积小等特点，非常适合单片集成。
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公开(公告)号：CN109361361A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811491703.3
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种超宽带高线性度上变频电路，属于模拟射频集成电路技术领域。其包括多个顺次级联的I/Q两路有源双平衡混频电路，I/Q两路有源双平衡混频电路包括第一负载电阻对、第二负载电阻对、I路有源双平衡混频对以及Q路有源双平衡混频对，I路、Q路有源双平衡混频对均包括两个带有尾电流源的差分放大对，每个尾电流源均连接有一对互补的开关管。本发明能够同时完成I/Q两路信号的上变频调制，实现超宽带范围的高线性化的信号变频转换，并提高了电路的集成度，增大了输出信号的功率，降低了整体电路功耗，有效减小了芯片面积。
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公开(公告)号：CN110943729B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201911333232.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关，属于射频集成电路技术领域。该开关由四个NMOS晶体管、四个片上电阻器、三个片上电感器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成，其中，TX支路采用一个NMOS晶体管和两个片上电感组成的单串联结构，RX支路采用三个NMOS晶体管和一个片上电感组成的串联‑并联结构。本发明能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输，可用于毫米波超宽带相控阵系统前端，实现高集成度、高性能的收发切换。
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公开(公告)号：CN110266288B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910688716.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明提供了一种具有一阶滤波作用的电路时间常数自动校准电路，涉及集成电路技术领域。其包括时钟产生电路、电路时间常数采集电路、比较器和数字处理单元；时钟产生电路产生的三路时钟信号分别与电路时间常数采集电路相连，电路时间常数采集电路的输出与比较器相连，比较器的输出与数字处理单元相连，数字处理单元与电路时间常数采集电路相连。本发明可以实现一阶滤波和电路时间常数校准的作用，具有功耗低，占用面积小，结构简单可靠的特点。
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公开(公告)号：CN109450485B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201811491532.4
申请日：2018-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于模拟基带的幅相校准及本振泄漏抑制电路，属于模拟射频集成电路技术领域。其包括跨导放大器电路、可变增益放大器电路、可调节电阻网络、可调节电容网络，以及可调节偏置电路。该电路具有结构简单可靠，功耗低和占用面积小等特点，非常适合单片集成。
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