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公开(公告)号:CN112018066A
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN202010734470.6
申请日:2020-07-27
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H01L23/498 , H01L23/66
摘要: 本发明提供了一种基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构,属于微波器件技术领域,包括陶瓷基板、射频信号背面引脚焊盘、射频信号正面引脚焊盘、接地正面引脚焊盘、接地背面引脚焊盘、背面接地区、芯片安装区、顶层封口环和垂直接地孔组,射频信号正面引脚焊盘通过射频信号侧面垂直过渡半孔与射频信号背面引脚焊盘垂直互联;接地正面引脚焊盘通过接地侧面垂直过渡半孔与接地背面引脚焊盘垂直互联;背面接地区设置于第三层陶瓷阶梯的背面;芯片安装区设置于第三层陶瓷阶梯的正面;垂直接地孔组垂直贯穿陶瓷基板。本发明提供的基于HTCC的高频垂直互联结构,寄生电感小,能够提高在高频时的传输性能,满足高频封装的需求。
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公开(公告)号:CN112018066B
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202010734470.6
申请日:2020-07-27
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H01L23/498 , H01L23/66
摘要: 本发明提供了一种基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构,属于微波器件技术领域,包括陶瓷基板、射频信号背面引脚焊盘、射频信号正面引脚焊盘、接地正面引脚焊盘、接地背面引脚焊盘、背面接地区、芯片安装区、顶层封口环和垂直接地孔组,射频信号正面引脚焊盘通过射频信号侧面垂直过渡半孔与射频信号背面引脚焊盘垂直互联;接地正面引脚焊盘通过接地侧面垂直过渡半孔与接地背面引脚焊盘垂直互联;背面接地区设置于第三层陶瓷阶梯的背面;芯片安装区设置于第三层陶瓷阶梯的正面;垂直接地孔组垂直贯穿陶瓷基板。本发明提供的基于HTCC的高频垂直互联结构,寄生电感小,能够提高在高频时的传输性能,满足高频封装的需求。
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