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公开(公告)号：CN114582817B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210086525.6
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统，属于电子封装领域，包括塑封模块、布线层、金属导体层以及植球，塑封模块包括塑封为一体的高导热载体、芯片及泡沫铜，其中，芯片与高导热载体层叠；泡沫铜设置于芯片周围；布线层其正面与塑封模块的正面相接，以使芯片倒装于布线层；金属导体层设置于塑封模块的背面；植球设置于布线层的背面，且与布线层内的布线导体层连接。本发明提供的高导热扇出型封装结构，封装芯片背面金属导体层将热量从芯片传导至泡沫铜，并通过泡沫铜传导至焊球，最终将热量从封装导出，提高芯片热传导的能力；泡沫铜通过植球与下面地连接，起到屏蔽作用。
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公开(公告)号：CN114721098B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210164043.8
申请日：2022-02-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G02B6/42 , H01L31/0232 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种光电耦合器件，包括管壳基板、光芯片、光学元件和连接支架，连接支架位于管壳基板和光学元件之间。其明热塑性粘固材料受热熔化变形过程中，光学元件的偏移量较小，偏移量可控性更强，继而实现精准耦合。本发明还提供一种光电耦合器件制造方法，能实现精准耦合，同时，相比于传统的光电耦合中采用激光焊接等方式，该方法操作简单，相较于其他光电耦合过程，操作难度更低，操作过程中的参数少且易控制，重复性较好，有利于实现自动化生产，生产效率较高。
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公开(公告)号：CN114247954B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111520136.1
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种浸泡式搪锡除金装置，所述浸泡式搪锡除金装置包括控温锡槽池、电动升降结构、吹气结构以及控制单元，所述控温锡槽池具有向上开口的空腔，所述空腔内用于填充锡液；所述电动升降结构具有能上下移动的升降部，所述升降部用于固定带有搪锡器件的基板，并位于所述空腔的正上方；所述吹气结构设于所述空腔的开口处，并具有用于朝向基板吹气的吹气口；所述控制单元分别与所述电动升降结构和所述控温锡槽池通讯连接，用于控制所述空腔内锡液的温度，以及所述升降部的启停。本发明提供的浸泡式搪锡除金装置，过程简单，不需要指定有经验的人员操作；提高了处理效率，节省了时间和人力；能对基板上LCCC器件搪锡面的锡液进行吹平和吹干。
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公开(公告)号：CN113913876B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111050628.9
申请日：2021-09-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种金属内部高精度加工成型方法，所述金属内部高精度加工成型方法首先加工出与需要成型的零件的内孔结构相同的芯体，然后对芯体进行电镀，使得芯体外包裹一定厚度的电镀层，再然后通过加工电镀层，加工出需要成型的零件的外部结构，最后通过腐蚀液将芯体腐蚀，但是电镀层不与腐蚀液反应，加工出需要成型的零件的内孔。本发明提供的金属内部高精度加工成型方法只需要电镀设备及加工机床等常规加工设备便能实现不规则内孔类零件的加工成型，无需购买昂贵的3D打印设备。
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公开(公告)号：CN112687636B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202011551660.0
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法，金属陶瓷封装外壳包括：第一陶瓷基板，包括相对设置的第一表面和第二表面，第一陶瓷基板上设有贯穿第一表面和第二表面的第一金属互联柱，第一金属互联柱用于与芯片键合及与外部电路连接；金属侧墙，设置在第一陶瓷基板的第一表面、用于安装芯片；第二陶瓷基板，与第一陶瓷基板结构相同、并设有第二金属互联柱，第二陶瓷基板气密密封金属侧墙的顶面敞口处；盖板，用于密封腔体的侧面开口。金属陶瓷封装器件包括：将封装的芯片焊接在金属陶瓷封装外壳内的芯片密封腔内，然后焊接盖板。本发明通过将芯片侧面安装，满足了高频TR模块封装尺寸的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111029296B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201911155696.4
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/768 , H05K1/14
Abstract: 本发明提供了一种堆叠间距可控的多层基板堆叠结构的制备方法，属于微波电路领域，包括步骤：获取上基板和下基板之间的目标堆叠间距和初选工艺参数，目标堆叠间距为上基板下表面和下基板上表面之间的预设间距，初选工艺参数为堆叠过程中预先设定的至少一个工艺参数；根据目标堆叠间距以及初选工艺参数确定调节工艺参数，调节工艺参数用于影响焊球的高度；基于初选工艺参数和所述调节工艺参数，在上基板下表面的第一焊盘上植入焊球；将第一焊盘上的焊球通过再流焊焊接在下基板上表面的第二焊盘上。本发明提供的制备方法只需提前获取各个参数，在操作的时候对应进行调整，就能够方便的调节目标堆叠间距，实现调整虚拟金属腔体的谐振频率。
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公开(公告)号：CN112018066B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010734470.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/66
Abstract: 本发明提供了一种基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构，属于微波器件技术领域，包括陶瓷基板、射频信号背面引脚焊盘、射频信号正面引脚焊盘、接地正面引脚焊盘、接地背面引脚焊盘、背面接地区、芯片安装区、顶层封口环和垂直接地孔组，射频信号正面引脚焊盘通过射频信号侧面垂直过渡半孔与射频信号背面引脚焊盘垂直互联；接地正面引脚焊盘通过接地侧面垂直过渡半孔与接地背面引脚焊盘垂直互联；背面接地区设置于第三层陶瓷阶梯的背面；芯片安装区设置于第三层陶瓷阶梯的正面；垂直接地孔组垂直贯穿陶瓷基板。本发明提供的基于HTCC的高频垂直互联结构，寄生电感小，能够提高在高频时的传输性能，满足高频封装的需求。
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公开(公告)号：CN114247954A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111520136.1
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种浸泡式搪锡除金装置，所述浸泡式搪锡除金装置包括控温锡槽池、电动升降结构、吹气结构以及控制单元，所述控温锡槽池具有向上开口的空腔，所述空腔内用于填充锡液；所述电动升降结构具有能上下移动的升降部，所述升降部用于固定带有搪锡器件的基板，并位于所述空腔的正上方；所述吹气结构设于所述空腔的开口处，并具有用于朝向基板吹气的吹气口；所述控制单元分别与所述电动升降结构和所述控温锡槽池通讯连接，用于控制所述空腔内锡液的温度，以及所述升降部的启停。本发明提供的浸泡式搪锡除金装置，过程简单，不需要指定有经验的人员操作；提高了处理效率，节省了时间和人力；能对基板上LCCC器件搪锡面的锡液进行吹平和吹干。
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公开(公告)号：CN114101833A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111520164.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种无引线陶瓷器件的搪锡去金方法，属于无引线陶瓷技术领域，包括：在具有多个贯通槽的基板上粘贴胶带，且所述胶带覆盖多个所述贯通槽；将多个无引线陶瓷器件对应地放置于多个所述贯通槽内，以使所述无引线陶瓷器件的搪锡面被所述胶带粘接；在所述贯通槽内印刷阻焊胶，以使所述无引线陶瓷器件除所述搪锡面以外的表面被所述阻焊胶覆盖；去除所述胶带，以使所述搪锡面裸露；将所述基板浸入锡槽内并升起，并在升起时吹平所述搪锡面的焊锡；清洗所述基板；将所述无引线陶瓷器件从所述贯通槽内取出。相对于高温烙铁的方式，搪锡效率高，适合批量生产，对无引线陶瓷器件的热冲击较小，减少无引线陶瓷器件的损伤。
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公开(公告)号：CN112777283A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110134702.9
申请日：2021-01-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B65G47/248 , B65G43/00 , B08B3/04
Abstract: 本发明提供了一种工件翻转机构，属于微波组件清洗技术领域，包括夹具、固定架、第一驱动件和导向组件，夹具具有容置工件的固定腔，固定腔对工件进行限位；固定架具有能够容纳夹具的容纳腔，容纳腔的至少一侧具有开口部，以使夹具进出容纳腔；第一驱动件与固定架连接，能够驱动固定架翻转；导向组件设于固定架上，导向组件对夹具进出容纳腔进行导向。本发明提供的工件翻转机构，解决了现有技术中对微波组件进行清洗时无法自动翻转微波组件，造成工作效率低下的问题。
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