超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构

    公开(公告)号:CN112614813A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011496809.X

    申请日:2020-12-17

    摘要: 本发明提供了一种超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构,属于芯片封装微波信号互联技术领域,超高频表贴陶瓷垂直互联结构包括陶瓷介质、正面引脚焊盘、背面引脚焊盘和类同轴结构,正面引脚焊盘设置在陶瓷介质正面上且周围设有GND区域,背面引脚焊盘设置在陶瓷介质背面上且周围设有GND区域,类同轴结构包括平行设置的射频信号垂直过渡孔和接地垂直过渡孔,射频信号垂直过渡孔与陶瓷正面引脚焊盘垂直布置;封装结构包括超高频表贴陶瓷垂直互联结构。本发明的优点是可提高射频垂直传输性能,其能在陶瓷之间实现DC‑40GHz宽带高频信号的传输,且其结构为垂直互联结构,在40GHz以内,可以实现射频信号良好的垂直传输,回波损耗S11和S22优于‑10dB。

    基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构

    公开(公告)号:CN112018066A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010734470.6

    申请日:2020-07-27

    IPC分类号: H01L23/498 H01L23/66

    摘要: 本发明提供了一种基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构,属于微波器件技术领域,包括陶瓷基板、射频信号背面引脚焊盘、射频信号正面引脚焊盘、接地正面引脚焊盘、接地背面引脚焊盘、背面接地区、芯片安装区、顶层封口环和垂直接地孔组,射频信号正面引脚焊盘通过射频信号侧面垂直过渡半孔与射频信号背面引脚焊盘垂直互联;接地正面引脚焊盘通过接地侧面垂直过渡半孔与接地背面引脚焊盘垂直互联;背面接地区设置于第三层陶瓷阶梯的背面;芯片安装区设置于第三层陶瓷阶梯的正面;垂直接地孔组垂直贯穿陶瓷基板。本发明提供的基于HTCC的高频垂直互联结构,寄生电感小,能够提高在高频时的传输性能,满足高频封装的需求。

    基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构

    公开(公告)号:CN112018066B

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202010734470.6

    申请日:2020-07-27

    IPC分类号: H01L23/498 H01L23/66

    摘要: 本发明提供了一种基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构,属于微波器件技术领域,包括陶瓷基板、射频信号背面引脚焊盘、射频信号正面引脚焊盘、接地正面引脚焊盘、接地背面引脚焊盘、背面接地区、芯片安装区、顶层封口环和垂直接地孔组,射频信号正面引脚焊盘通过射频信号侧面垂直过渡半孔与射频信号背面引脚焊盘垂直互联;接地正面引脚焊盘通过接地侧面垂直过渡半孔与接地背面引脚焊盘垂直互联;背面接地区设置于第三层陶瓷阶梯的背面;芯片安装区设置于第三层陶瓷阶梯的正面;垂直接地孔组垂直贯穿陶瓷基板。本发明提供的基于HTCC的高频垂直互联结构,寄生电感小,能够提高在高频时的传输性能,满足高频封装的需求。