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公开(公告)号：CN117954816A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410219940.3
申请日：2024-02-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P1/39
摘要： 本申请适用于无线通信领域中的射频和微波技术领域，提供了E面双匹配的Y形结波导环行器，该波导环行器包括：腔体、匹配块、铁氧体和磁钢；腔体的中央设有空腔，空腔的上下两面均设有一个Y形匹配块；两个匹配块相对的一端中央分别具有凸起，各凸起上分别设有一块铁氧体；腔体的外部的上下两面的中央均设有一块磁钢；腔体的外部具有相对的上表面和下表面，上表面具有衔接设置的第一台面和第二台面，第一台面相对于第二台面邻近上表面的中心，第一台面高于第二台面设置；腔体的外部具有垂直连接于上表面和下表面的侧表面；在靠近上表面的中心方向上，第一台面的宽度具有增大趋势。本申请提供的波导环形器可拓宽带宽、提高功率容量以及散热性能。
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公开(公告)号：CN113612464B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202110752137.2
申请日：2021-06-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及滤波器技术领域，提供一种阶梯型结构压电滤波器。该阶梯型结构压电滤波器包括输入端子、输出端子、接地端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；第七薄膜体声波谐振器和第八薄膜体声波谐振器的一端依次连接在第一薄膜体声波谐振器至第三薄膜体声波谐振器之间的节点上；第九薄膜体声波谐振器和第十薄膜体声波谐振器的一端依次连接在第四薄膜体声波谐振器至第六薄膜体声波谐振器之间的节点上；且第八薄膜体声波谐振器的另一端与第九薄膜体声波谐振器的另一端连接后与接地端子连接。本发明提供的滤波器可允许特定频率的信号通过。
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公开(公告)号：CN115621688A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211248575.6
申请日：2022-10-12
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种硅基MEMS滤波器，包括：在第一硅基板上表面的第一区域内设有一N阶滤波器、第一U型耦合线、第二U型耦合线、输入馈线和输出馈线；N阶滤波器的一端与第一U型耦合线的一侧连接，第一U型耦合线的另一侧与输入馈线连接；N阶滤波器的另一端与第二U型耦合线的一侧连接，第二U型耦合线的另一侧与输出馈线连接；在第二硅基板的上表面的第二区域内设有第一抑制谐振杆和第二抑制谐振杆，且第一抑制谐振杆垂直位于第一U型耦合线的正上方，第二抑制谐振杆垂直位于第二U型耦合线的正上方，第一U型耦合线和第二U型耦合线的开口方向分别为第一抑制谐振杆和第二抑制谐振杆的长度方向。本发明提供的硅基MEMS滤波器具有较高的矩形系数。
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公开(公告)号：CN113644894A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110743224.1
申请日：2021-06-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明涉及滤波器技术领域，提供一种空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件，该滤波器包括输入端子、输出端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；多个串联的薄膜体声波谐振器包括第一至第六薄膜体声波谐振器，串联连接在输入端子和输出端子之间；多个并联的薄膜体声波谐振器包括第七至第十薄膜体声波谐振器，第七、第八和第十薄膜体声波谐振器的一端分别连接在第一薄膜体声波谐振器和第二薄膜体声波谐振器之间、第三薄膜体声波谐振器和第四薄膜体声波谐振器之间、第五薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器之间的节点上，第九薄膜体声波谐振器和第八薄膜体声波谐振器串联，可允许特定频率的信号通过。
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公开(公告)号：CN113472313A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110743247.2
申请日：2021-06-30
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03H9/54
摘要： 本发明涉及滤波器技术领域，提供了一种阶梯型结构窄带FBAR滤波器，上述滤波器包括：输入端、输出端、接地端、多个串臂谐振器和多个并臂谐振器；多个串臂谐振器包括：依次串联连接在输入端和输出端之间的第一谐振器至第六谐振器；多个并臂谐振器包括：第七谐振器至第十二谐振器；第七谐振器，第一端与第一谐振器和第二谐振器的连接点连接，第二端通过第十谐振器与接地端连接；第八谐振器，第一端与第三谐振器和第四谐振器的连接点连接，第二端通过第十一谐振器与接地端连接；第九谐振器，第一端与第五谐振器和第六谐振器的连接点连接，第二端通过第十二谐振器与接地端连接。本发明提供的滤波器可允许特定频率的信号通过。
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公开(公告)号：CN111900521B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010519141.X
申请日：2020-06-09
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基微同轴结构，包括：上层硅片、中层硅片和下层硅片；所述上层硅片上设置有第一凹槽，在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止；所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔；所述中层硅片包括U型硅片、芯子硅片、多个左支撑梁硅片和多个右支撑梁硅片，并设置有贯穿上下表面的多个第二通孔；所述下层硅片设置有转接凹槽、第三凹槽、焊盘、转接支撑结构、第三通孔、第四通孔和多个第五通孔；上层硅片、中层硅片和下层硅片通过预设区域的金属层键合，使第一凹槽、U型硅片和第三凹槽形成包围芯子硅片且填充空气的空腔，与芯子硅片构成同轴结构，传输性能好且易于集成。
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公开(公告)号：CN111900521A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010519141.X
申请日：2020-06-09
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基微同轴结构，包括：上层硅片、中层硅片和下层硅片；所述上层硅片上设置有第一凹槽，在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止；所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多个第一通孔；所述中层硅片包括U型硅片、芯子硅片、多个左支撑梁硅片和多个右支撑梁硅片，并设置有贯穿上下表面的多个第二通孔；所述下层硅片设置有转接凹槽、第三凹槽、焊盘、转接支撑结构、第三通孔、第四通孔和多个第五通孔；上层硅片、中层硅片和下层硅片通过预设区域的金属层键合，使第一凹槽、U型硅片和第三凹槽形成包围芯子硅片且填充空气的空腔，与芯子硅片构成同轴结构，传输性能好且易于集成。
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公开(公告)号：CN111883898A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010519992.4
申请日：2020-06-09
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P11/00
摘要： 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种微同轴结构的微延时线芯片的制作方法，该方法包括：在第一基片、第二基片和第三基片制备多个第一通孔，第二基片和第三基片制备多个第二通孔；第一基片和第三基片制备位置对应的第一凹槽和第二凹槽；在第二凹槽的两端槽内各制备一个转接支撑结构，每个转接支撑结构内设置第三通孔，在槽底制备第四通孔，第三通孔与第四通孔连通，在第三基片的下表面制备焊盘；在第二基片上制备同轴芯体；将第一基片、第二基片以及第三基片依次键合，获得微同轴结构的微延时线芯片，通过将微延时线芯片中的同轴芯体(传输线)进行转折、绕线或者堆叠等结构形式变换，可以控制传输线的长度同时调节芯片的延时量。
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公开(公告)号：CN110635203A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910791174.7
申请日：2019-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种波导滤波器，包括：第一屏蔽层，上设有第一通孔；中间支撑层，为框架结构，设置于所述第一屏蔽层上；第二屏蔽层，上设有第二通孔，设置于所述中间支撑层上，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成波导腔，第二屏蔽层的左端设有信号输入端口，第二屏蔽层的右端设有信号输出端口；第一信号传输结构，第一信号传输结构的第一端设置在信号输入端口中，第一信号传输结构的第二端穿过中间支撑层延伸至第一屏蔽层，并与第一屏蔽层相连；第二信号传输结构，第二信号传输结构的第一端设置在信号输出端口中，第二信号传输结构的第二端穿过中间支撑层延伸至第一屏蔽层，并与第一屏蔽层相连。本发明能适用于太赫兹频段使用需求。
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公开(公告)号：CN108649915A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810639230.0
申请日：2018-06-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03H1/00
摘要： 本发明涉及滤波器技术领域，公开了一种3D集成LC滤波器和电子系统，该3D集成LC滤波器包括：基板；集成设置在所述基板中的多个电感，各个电感之间存在电磁互感且物理上相互隔离；设置在所述基板上侧面的具有预设图案的焊盘层，所述焊盘层一侧与各个电感分别连接，所述焊盘层的另一侧用于设置多个阻容元件；分别设置在所述基板上的输入端口和输出端口；其中，所述输入端口、所述输出端口和各个电感通过设置在所述焊盘层上的各个阻容元件形成通路。上述3D集成LC滤波器Q值适中、体积较小、一致性好且可靠性较高。
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