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公开(公告)号：CN110635203B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910791174.7
申请日：2019-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种波导滤波器，包括：第一屏蔽层，上设有第一通孔；中间支撑层，为框架结构，设置于所述第一屏蔽层上；第二屏蔽层，上设有第二通孔，设置于所述中间支撑层上，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成波导腔，第二屏蔽层的左端设有信号输入端口，第二屏蔽层的右端设有信号输出端口；第一信号传输结构，第一信号传输结构的第一端设置在信号输入端口中，第一信号传输结构的第二端穿过中间支撑层延伸至第一屏蔽层，并与第一屏蔽层相连；第二信号传输结构，第二信号传输结构的第一端设置在信号输出端口中，第二信号传输结构的第二端穿过中间支撑层延伸至第一屏蔽层，并与第一屏蔽层相连。本发明能适用于太赫兹频段使用需求。
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公开(公告)号：CN110676545B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910790414.1
申请日：2019-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P1/203
摘要： 本发明公开了一种多枝节滤波器，包括：第一屏蔽层，上设有第一排胶结构，第一屏蔽层包括中间体和枝节体，枝节体的一端与所述中间体相连；中间支撑层，为与第一屏蔽层的结构相同的框架结构，设置于所述第一屏蔽层上；第二屏蔽层，上设有第二排胶结构，设置于中间支撑层上，与第一屏蔽层结构相同，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成电磁屏蔽腔；信号传输结构，与第一屏蔽层结构相同，设置于中间支撑层内。本发明通过第一屏蔽层、中间支撑层和第二屏蔽层共同构成电磁屏蔽腔，通过信号传输结构进行信号传输，且在中间传输体上设置传输枝节，能满足太赫兹频段的使用。
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公开(公告)号：CN110635202A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910791171.3
申请日：2019-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P1/205
摘要： 本发明公开了一种交指滤波器，包括第一屏蔽层，上设有第一通孔；中间支撑层，为框架结构，设置于所述第一屏蔽层上，中间支撑层的左端设有信号输入端口，右端设有信号输出端口；第二屏蔽层，上设有第二通孔，设置于中间支撑层上，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成电磁屏蔽腔；至少一个第一馈电结构，设置在中间支撑层内；至少一个第二馈电结构，设置在中间支撑层内；第一馈电结构与第二馈电结构交错排布形成交指结构，其中，交指结构的第一个馈电结构上设有信号输入凸台，信号输入凸台在所述信号输入端口中，交指结构的最后一个馈电结构上设有信号输出凸台，信号输出凸台在信号输出端口中。本发明结构的滤波器能适用于太赫兹频段的使用。
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公开(公告)号：CN110190467A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910573885.7
申请日：2019-06-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01R13/631 , H01R13/633 , H01R43/26
摘要： 本发明提供了一种SMP接头插拔工装及插拔方法，属于微波测试技术领域，包括底板、SMP接头和顶升机构，底板用于承托微波组件；SMP接头安装于所述底板上，用于与所述微波组件插接；顶升机构设置于所述底板与所述微波组件相对的一面，用于顶升所述微波组件，使所述微波组件与所述SMP接头分离。本发明提供的SMP接头插拔工装，微波组件拔出时，依靠顶升机构顶升微波组件，使微波组件垂直上升与SMP接头分离，而不是人工向外拔出SMP接头，避免SMP接头的损坏。
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公开(公告)号：CN110943053A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911155711.5
申请日：2019-11-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/15 , H01L23/367
摘要： 本发明公开了一种陶瓷气密封装器件及封装方法，陶瓷气密封装器件包括：陶瓷基板，设有贯穿所述陶瓷基板的上表面和下表面的通孔，陶瓷基板的通孔内部填充金属，通孔内的金属记为金属柱；芯片，设置在所述陶瓷基板上，芯片的焊盘通过键合线与所述陶瓷基板上的金属柱连接；管帽，设置在陶瓷基板上，管帽与陶瓷基板形成容纳芯片的气密结构；耦合结构，设置在管帽的背面，且位于需要耦合的芯片的上方；散热结构，设置在所述管帽的正面。本发明通过在管帽的正面设置散热结构，提高了散热性，提高了陶瓷封装器件性能；同时在管帽的背面，芯片的上方设置耦合结构，提高了芯片的耦合性，进一步的提高了陶瓷封装器件的性能。
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公开(公告)号：CN110635203A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910791174.7
申请日：2019-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种波导滤波器，包括：第一屏蔽层，上设有第一通孔；中间支撑层，为框架结构，设置于所述第一屏蔽层上；第二屏蔽层，上设有第二通孔，设置于所述中间支撑层上，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成波导腔，第二屏蔽层的左端设有信号输入端口，第二屏蔽层的右端设有信号输出端口；第一信号传输结构，第一信号传输结构的第一端设置在信号输入端口中，第一信号传输结构的第二端穿过中间支撑层延伸至第一屏蔽层，并与第一屏蔽层相连；第二信号传输结构，第二信号传输结构的第一端设置在信号输出端口中，第二信号传输结构的第二端穿过中间支撑层延伸至第一屏蔽层，并与第一屏蔽层相连。本发明能适用于太赫兹频段使用需求。
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公开(公告)号：CN112687637B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011551694.X
申请日：2020-12-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/768 , H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/48
摘要： 本发明提供了一种立式金属陶瓷封装外壳、封装器件及制备方法，立式金属陶瓷封装外壳包括：结构对称的下封装外壳和上封装外壳，以及盖板；其中，下封装外壳包括：下陶瓷基板和贯穿下陶瓷基板的上下表面的下金属互联柱；在下陶瓷基板的上表面的第一区域内围设成第一金属侧墙，第二金属侧墙在安装芯片的第一金属侧墙一侧向外延伸设置；第一金属侧墙和第二金属侧墙的端面作为对称面用于下封装外壳与上封装外壳的焊接，盖板用于密封芯片密封腔。立式金属陶瓷封装器件包括：将封装的芯片焊接在立式金属陶瓷封装外壳内的芯片容纳腔内，然后将盖板焊接形成气密的封装器件。本发明在封装外壳内电镀微流道作为散热通道，满足了高频TR模块的封装需要。
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公开(公告)号：CN110635202B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910791171.3
申请日：2019-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P1/205
摘要： 本发明公开了一种交指滤波器，包括第一屏蔽层，上设有第一通孔；中间支撑层，为框架结构，设置于所述第一屏蔽层上，中间支撑层的左端设有信号输入端口，右端设有信号输出端口；第二屏蔽层，上设有第二通孔，设置于中间支撑层上，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成电磁屏蔽腔；至少一个第一馈电结构，设置在中间支撑层内；至少一个第二馈电结构，设置在中间支撑层内；第一馈电结构与第二馈电结构交错排布形成交指结构，其中，交指结构的第一个馈电结构上设有信号输入凸台，信号输入凸台在所述信号输入端口中，交指结构的最后一个馈电结构上设有信号输出凸台，信号输出凸台在信号输出端口中。本发明结构的滤波器能适用于太赫兹频段的使用。
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公开(公告)号：CN110676545A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910790414.1
申请日：2019-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P1/203
摘要： 本发明公开了一种多枝节滤波器，包括：第一屏蔽层，上设有第一排胶结构，第一屏蔽层包括中间体和枝节体，枝节体的一端与所述中间体相连；中间支撑层，为与第一屏蔽层的结构相同的框架结构，设置于所述第一屏蔽层上；第二屏蔽层，上设有第二排胶结构，设置于中间支撑层上，与第一屏蔽层结构相同，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成电磁屏蔽腔；信号传输结构，与第一屏蔽层结构相同，设置于中间支撑层内。本发明通过第一屏蔽层、中间支撑层和第二屏蔽层共同构成电磁屏蔽腔，通过信号传输结构进行信号传输，且在中间传输体上设置传输枝节，能满足太赫兹频段的使用。
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公开(公告)号：CN110635201B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910791162.4
申请日：2019-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P1/205
摘要： 本发明公开了一种梳状滤波器，包括：第一屏蔽层，上设有第一通孔；中间支撑层，为框架结构，设置于所述第一屏蔽层上，中间支撑层的左端设有信号输入端口，中间支撑层的右端设有信号输出端口；第二屏蔽层，上设有第二通孔，设置于中间支撑层上，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成电磁屏蔽腔；至少两个馈电结构，设置在中间支撑层内，馈电结构从左向右依次排列形成梳状结构，馈电结构的第一端均与中间支撑层的前端相连，馈电结构的第二端均悬空；第一个馈电结构上设有信号输入凸台，信号输入凸台在信号输入端口中，最后一个馈电结构上设有信号输出凸台，信号输出凸台在信号输出端口中。本发明结构的滤波器能适用于太赫兹频段的使用。
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