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公开(公告)号:CN111123208B
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN201911372578.9
申请日:2019-12-27
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: G01S7/02
摘要: 本发明适用于集成电路技术领域,提供了一种多通道幅相控制芯片,包括上层芯片和下层芯片;所述上层芯片上设有第一控制端、译码电路以及至少一个通道的控制电路;所述下层芯片上设有第二控制端、功分器和至少一个通道的射频电路;所述上层芯片与所述下层芯片采用倒装焊工艺将上层芯片焊盘与下层芯片焊盘通过金凸点焊接。本申请通过芯片三维集成工艺技术,使上层芯片叠加在下层芯片之上。实现控制电路与射频电路的高度集成。同时,利用芯片倒装焊工艺和金凸点的阵列排布,实现多通道、高集成的幅相控制芯片电路设计,缩小芯片的体积,提高芯片的集成度。
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公开(公告)号:CN114039552A
公开(公告)日:2022-02-11
申请号:CN202111145685.5
申请日:2021-09-28
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H03D7/16
摘要: 本发明适用于混频器技术领域,提供了一种混频器及通信装置,上述混频器包括:混频模块及180度电桥;混频模块的第一输入端用于输入本振信号,混频模块的第二输入端用于输入射频信号,混频模块的第一输出端与180度电桥的第一输入端连接,混频模块的第二输出端与180度电桥的第二输入端连接,180度电桥的输出端用于输出目标信号;混频模块用于对本振信号和射频信号进行混频,并分别由混频模块的第一输出端及混频模块的第二输出端输出两路幅值相同、相位相差180度的混频信号。本发明通过混频模块及180度电桥构建差分网络,提高了端口的隔离度。
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公开(公告)号:CN118300542A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410489749.0
申请日:2024-04-23
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要: 本申请适用于信号链路温度补偿技术领域,提供了一种温度补偿衰减器、放大器及温度补偿衰减器的控制方法。该温度补偿衰减器设置第一晶体管的第一端连接输入端,第一晶体管的第二端连接输出端;第二晶体管的第一端连接输入端,第二晶体管的第二端接地;第三晶体管的第一端连接输出端,第三晶体管的第二端接地;第一稳压器为第一晶体管提供第一栅源电压,第二稳压器为第二晶体管和第三晶体管提供第二栅源电压,第一栅源电压与实时环境温度正相关,第二栅源电压与实时环境温度负相关。本申请实施例可以实现对放大器电路的补偿,减小放大器电路的波动,并且能够实现较宽的温度补偿范围,以及能够快速响应温度变化。
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公开(公告)号:CN111123208A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201911372578.9
申请日:2019-12-27
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: G01S7/02
摘要: 本发明适用于集成电路技术领域,提供了一种多通道幅相控制芯片,包括上层芯片和下层芯片;所述上层芯片上设有第一控制端、译码电路以及至少一个通道的控制电路;所述下层芯片上设有第二控制端、功分器和至少一个通道的射频电路;所述上层芯片与所述下层芯片采用倒装焊工艺将上层芯片焊盘与下层芯片焊盘通过金凸点焊接。本申请通过芯片三维集成工艺技术,使上层芯片叠加在下层芯片之上。实现控制电路与射频电路的高度集成。同时,利用芯片倒装焊工艺和金凸点的阵列排布,实现多通道、高集成的幅相控制芯片电路设计,缩小芯片的体积,提高芯片的集成度。
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