公开(公告)号：CN111029296B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN201911155696.4

申请日：2019-11-22

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 徐达 ,  要志宏 ,  常青松 ,  罗建 ,  张延青 ,  李丰 ,  刘荣军 ,  许悦 ,  关统新 ,  郭英 ,  乔召杰 ,  默卫朋

IPC分类号： H01L21/768 ,  H05K1/14

摘要： 本发明提供了一种堆叠间距可控的多层基板堆叠结构的制备方法，属于微波电路领域，包括步骤：获取上基板和下基板之间的目标堆叠间距和初选工艺参数，目标堆叠间距为上基板下表面和下基板上表面之间的预设间距，初选工艺参数为堆叠过程中预先设定的至少一个工艺参数；根据目标堆叠间距以及初选工艺参数确定调节工艺参数，调节工艺参数用于影响焊球的高度；基于初选工艺参数和所述调节工艺参数，在上基板下表面的第一焊盘上植入焊球；将第一焊盘上的焊球通过再流焊焊接在下基板上表面的第二焊盘上。本发明提供的制备方法只需提前获取各个参数，在操作的时候对应进行调整，就能够方便的调节目标堆叠间距，实现调整虚拟金属腔体的谐振频率。

公开(公告)号：CN111029296A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911155696.4

申请日：2019-11-22

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 徐达 ,  要志宏 ,  常青松 ,  罗建 ,  张延青 ,  李丰 ,  刘荣军 ,  许悦 ,  关统新 ,  郭英 ,  乔召杰 ,  默卫朋

IPC分类号： H01L21/768 ,  H05K1/14

摘要： 本发明提供了一种堆叠间距可控的多层基板堆叠结构的制备方法，属于微波电路领域，包括步骤：获取上基板和下基板之间的目标堆叠间距和初选工艺参数，目标堆叠间距为上基板下表面和下基板上表面之间的预设间距，初选工艺参数为堆叠过程中预先设定的至少一个工艺参数；根据目标堆叠间距以及初选工艺参数确定调节工艺参数，调节工艺参数用于影响焊球的高度；基于初选工艺参数和所述调节工艺参数，在上基板下表面的第一焊盘上植入焊球；将第一焊盘上的焊球通过再流焊焊接在下基板上表面的第二焊盘上。本发明提供的制备方法只需提前获取各个参数，在操作的时候对应进行调整，就能够方便的调节目标堆叠间距，实现调整虚拟金属腔体的谐振频率。