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发明公开
一种离子注入装置审中-实审

公开(公告)号：CN111161989A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201811325251.1

申请日：2018-11-08

申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所

发明人： 彭立波 , 邓坎 , 王迪平 , 胡振东 , 袁卫华 , 许波涛

IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种离子注入装置，包括旋转靶盘及宽带离子束，所述旋转靶盘上设有与旋转靶盘中心重合的环形注入区域，所述环形注入区域内均匀布置有多个晶圆装载区，所述宽带离子束的宽度为a、所述环形注入区域的半径为b，则a≥b。本发明具有能够降低在大剂量注入、高产能的应用场景下的晶片表面的温升，满足一些对温度敏感的特殊材料的注入工艺要求的优点。