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公开(公告)号：CN111199859B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201811381277.8
申请日：2018-11-20
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/21 , H01J37/244 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种扫描宽带离子束注入机，包括旋转靶盘以及用于形成扫描宽带离子束的扫描宽带离子束形成组件，所述旋转靶盘上设有与旋转靶盘中心重合的环形注入区域，所述环形注入区域内均匀布置有多个晶圆装载区，扫描宽带离子束形成组件形成的扫描宽带离子束的宽度为a、所述环形注入区域的半径为b，则a≥b。本发明具有能够降低在大剂量注入、高产能的应用场景下的晶片表面的温升，满足一些对温度敏感的特殊材料的注入工艺要求的优点。
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公开(公告)号：CN112713070B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201911022785.1
申请日：2019-10-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要： 本发明公开了一种真空机械扫描装置，包括真空扫描轴、安装法兰、密封套、扫描轴升降驱动机构以及扫描轴旋转驱动机构，所述密封套与真空扫描轴之间设有密封组件，真空机械扫描装置还包括两组用于使密封套可随真空扫描轴的位置浮动并保持密封套与安装法兰轴向间距不变的导向副，两组所述导向副对称布置于所述密封套的两侧，所述安装法兰与所述密封套之间连接有柔性密封套管。本发明具有结构简单、成本低、有利于提高可靠性和使用寿命等优点。
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公开(公告)号：CN109872938A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711269543.3
申请日：2017-12-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/09
摘要： 本发明公开了一种适用于微纳器件制造的离子注入机，包括依次相连的离子源、质量分析器、束流聚焦电透镜系统、束流静电扫描系统及载片腔室，还包括用于调节束斑形状和和束流大小的光阑组件、以及用于点注入的点注入掩膜板，所述光阑组件包括设于离子源和质量分析器之间的可调光阑、设于质量分析器和束流聚焦电透镜系统之间的限束光阑以及设于束流静电扫描系统和载片腔室之间的终端注入光阑，所述点注入掩膜板位于载片腔室内，所述终端注入光阑和所述点注入掩膜板上开设点注入微孔。本发明具有可简化工艺过程，能够实现微米级的低剂量、高精度注入等优点。
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公开(公告)号：CN106409641B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201610857751.4
申请日：2016-09-28
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/30
摘要： 本发明公开了一种引出电极的电极轴驱动装置，包括电机、主动带轮、从动带轮及绕设于主动带轮和从动带轮上的传动带，所述电机的输出轴与所述主动带轮的轮轴连接，还包括连续调节组件，所述连续调节组件包括凸轮、摆杆及用于使摆杆的摆动端与凸轮紧贴的弹性件，所述凸轮安装于所述从动带轮的轮轴上，所述摆杆安装于引出电极的电极轴上。本发明具有结构简单、能实现连续调节和微小角度调节等优点。
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公开(公告)号：CN104867803B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510262780.1
申请日：2015-05-21
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/141
摘要： 本发明涉及为一种用于离子注入机的30°平行透镜，包括结构及尺寸一致且上下对称安装的上磁极和下磁极，上磁极的上方设有上磁轭，下磁极的下方设有下磁轭，上磁极的顶面与上磁轭的底面连接，而下磁极的底面与下磁轭的顶面连接；该平行透镜还设有两个中间磁轭，两个中间磁轭的顶端均与上磁轭的底面连接，而两个中间磁轭的底端均与下磁轭的顶面连接，且上磁极和下磁极置于两个中间磁轭之间；上磁极的下磁极面与下磁极的上磁极面边缘的均由多条弧线构成。本发明磁极面形状合理，可以使离子束注入角度保持一致、保证均匀性和重复性，并可以防止入射离子在半导体晶片的晶格结构上产生沟道效应，也可以使之产生均匀的需要的沟道。
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公开(公告)号：CN111199858B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811381226.5
申请日：2018-11-20
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/21 , H01J37/244 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种成形宽带离子束注入机，包括用于产生成形宽带离子束的离子源、引出电极、分析器、带分析缝的分析光栏、平行透镜以及旋转靶盘，所述离子源、引出电极、分析器、分析光栏、平行透镜以及旋转靶盘依次布置，所述旋转靶盘上设有与旋转靶盘中心重合的环形注入区域，所述环形注入区域内均匀布置有多个晶圆装载区，经过所述平行透镜后的成形宽带离子束的宽度为a、所述环形注入区域的半径为b，则a≥b。本发明具有能够降低在大剂量注入、高产能的应用场景下的晶片表面的温升，满足一些对温度敏感的特殊材料的注入工艺要求的优点。
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公开(公告)号：CN111063599B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201811201334.X
申请日：2018-10-16
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/10 , H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/147 , H01L21/67
摘要： 一种离子注入装置，包括屏蔽房、依次设置的离子源、引出电极、分析器、分析光栏、聚焦透镜、加速管、对称静电扫描电极以及均匀磁场平行透镜，屏蔽房内设有相互隔离的第一腔室和第二腔室，第一腔室内设有高压仓，第二腔室内设有靶室，离子源、引出电极、分析器、及分析光栏设于高压仓内，加速管设于第一腔室内，高压仓上设有供离子束进入加速管的第一出口，第一腔室上设有供离子束进入对称静电扫描电极的第二出口，对称静电扫描电极和均匀磁场平行透镜设于第二腔室内，靶室内设有靶台、定向台、片库以及至少一个用于传递晶圆的机械手，靶室上设有供离子束注入靶台上晶圆的注入口。本发明具有结构简单、成本低、便于实现高能高精度注入等优点。
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公开(公告)号：CN106571321B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201611015616.1
申请日：2016-11-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687
摘要： 本发明公开了一种用于快速热处理设备的载片台，包括晶片支撑组件及用来驱动晶片支撑组件旋转的驱动组件，所述晶片支撑组件包括支撑筒和晶片托环，所述支撑筒设于所述驱动组件上且上端筒壁为尖角状，所述晶片托环下表面设有倒置的V型限位环槽，所述支撑筒上端嵌入所述V型限位环槽内。本发明具有结构简单、晶片定位准确、工艺均匀性和一致性好等优点。
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公开(公告)号：CN109935510A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201711349060.4
申请日：2017-12-15
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32
摘要： 本发明涉及一种多维静电扫描系统，包括对称的扫描电极一和非对称的扫描电极二，且所述对称的扫描电极一与非对称的扫描电极二的扫描方向相互垂直，所述对称的扫描电极一包括对称布置的扫描板一和二，所述扫描板一、二之间的电场至少部分分布不均匀；所述非对称的扫描电极二包括相对布置的扫描板三和扫描板四，所述扫描板三呈平板状，所述扫描板四包括扫描前段和扫描后段，所述扫描板四的所述扫描前段与所述扫描板三平行，所述扫描板四的所述扫描后段相对于所述扫描前段呈远离所述离子束的方向往外折弯。本发明还涉及一种基于上述多维静电扫描系统的离子注入系统。本发明具有能够在除去离子束中的中性粒子的同时提高离子注入角度一致性的优点。
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公开(公告)号：CN107134399B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201710220775.3
申请日：2017-04-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种用于高能离子注入机的射频加速调谐装置，包括射频电源、调谐控制器、调谐筒和调谐电机，调谐控制器包括调谐控制单元、调谐电机控制单元和谐振状态检测单元，调谐控制单元分别与调谐电机控制单元和谐振状态检测单元相连，调谐电机与调谐电机控制单元相连。本发明的调谐控制方法包括S01、谐振状态检测单元用于检测射频电源的输出信号并发送至调谐控制单元；S02、调谐控制单元用于根据射频电源的输出信号输出控制信号至调谐电机控制单元；S03、调谐电机控制单元根据控制信号控制调谐电机的谐振以使调谐筒处于谐振状态。本发明的用于高能离子注入机的射频加速调谐装置及控制方法均具有操作简便、控制精准等优点。
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