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公开(公告)号：CN113219122A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110515624.7
申请日：2021-05-12
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： G01N31/00
摘要： 本发明公开了一种快速区分氮化铝体单晶极性面的方法及装置，将氮化铝晶片A极性面向上平放在铜片上；用表笔探针对氮化铝晶片的A极性面施加外力；电荷信号通过电荷放大器中的输入端输入到电荷放大器内，并通过输出端输出电压信号并显示在数字型万用表上；根据数字型万用表上的负电压信号判断氮化铝单晶片极性为：A极性面为Al极性面，与实验结果吻合；将氮化铝单晶片翻转，即B极性面朝向上方进行二次测试，根据万用表上的正电压信号判断：B极性面为N极性面。本检测方法对氮化铝晶片无任何损伤、无腐蚀、不具有破坏性，可以快速准确地区分出氮化铝单晶的极性面，实践性和通用性强。另外，该检测装置无需制样，操作简单，价格低廉，直接检测。
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公开(公告)号：CN107604432A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711034651.2
申请日：2017-10-30
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种导模法大尺寸氧化镓单晶生长装置的热场结构，由上保温结构、铱反射屏、铱坩埚盖、铱发热体、铱坩埚、铱模具、感应加热线圈、下保温结构、热电偶、氧化锆垫片组成，铱坩埚内中心处嵌有铱模具，铱模具横截面限定了生长的晶体的形状，在铱坩埚外围增加铱发热体，可以减小坩埚的负荷，获得较小的径向温度梯度，从而避免晶体的开裂，在发热体上方放置中心开有长方形孔的铱反射屏，可以减小炉体轴向温度梯度，同时保证模具附近温度分布较为均匀，有利于获得高质量的β-Ga2O3单晶，整套热场系统的材料选择能够保证在高温、氧化气氛下进行大尺寸β-Ga2O3单晶生长，技术水平处于国内领先地位。
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公开(公告)号：CN103060904B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310045359.6
申请日：2013-02-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
发明人： 齐海涛
摘要： 本发明涉及单晶的生长方法，特别是涉及一种通过生长模式调控实现AlN单晶生长的方法。该方法依照下列步骤进行：（A）装炉、脱气、充氮气、升温；（B）三维模式生长；（C）二维模式生长；（D）顺序重复（B）步骤和（C）步骤；（E）降温、充氮气、出炉。通过采取变温变压生长模式调控技术实现了AlN晶体的三维岛状生长模式和二维平层状生长模式的结合，既利用三维岛状模式提高了生长速率，又利用二维平层状模式保持了生长表面的平整和连续，有利于生长高质量AlN单晶材料，也有助于解决AlN单晶产品化能力低下问题。
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公开(公告)号：CN108642561B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201810737779.3
申请日：2018-07-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法。在SiC籽晶表面镀一定厚度的AlN薄膜；设定压力为900‑1000mbar，当AlN晶体生长温度达到设定温度2000‑2400℃时，将感应线圈提升至籽晶区域，使得籽晶区域的温度略高于AlN粉源区域温度5‑20℃；恒温恒压一定时间后，快速下降感应线圈至AlN粉源区域，同时将炉体气压降低至200mbar，在此恒温恒压条件下进行AlN晶体生长。使用本方法，该AlN膜层在升温阶段能防止底层的籽晶挥发被破坏，当温度上升至生长温度阶段，通过移动感应线圈逆转籽晶温度和粉源区域温度梯度，使得AlN镀膜层逐渐挥发，并通过降压实现正常的AlN单晶生长。
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公开(公告)号：CN107460547B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710816539.8
申请日：2017-09-12
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种PVT法氮化铝晶体生长炉用复合保温屏及生成方法，该复合保温屏是由5~10个单层复合保温屏通过钨螺栓固定连接而成，单层复合保温屏包含钨屏和其上沉积的AlN纤维层。单层复合保温屏生成方法为在氮化铝晶体生长炉中，钨屏放置在冷端，温度范围为1750~1950℃，AlN源放置在热端，温度范围为2000~2300℃，氮气压力设置为500mbar，加热时间2‑10小时，热端的AlN源沉积到冷端的钨屏上，钨屏上形成AlN纤维层；有益效果是保温效果良好，PVT法氮化铝籽晶生长钨炉的功率稳定，热场有效区域的温度高达2400℃，满足AlN籽晶生长方式对温度范围界定性的要求。该复合保温屏在100h的热冲击实验中几乎无形变，满足AlN籽晶生长方式对热场稳定性的需求，平均使用寿命在1000h以上。
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公开(公告)号：CN107460547A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710816539.8
申请日：2017-09-12
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种PVT法氮化铝晶体生长炉用复合保温屏及生成方法，该复合保温屏是由5~10个单层复合保温屏通过钨螺栓固定连接而成，单层复合保温屏包含钨屏和其上沉积的AlN纤维层。单层复合保温屏生成方法为在氮化铝晶体生长炉中，钨屏放置在冷端，温度范围为1750~1950℃，AlN源放置在热端，温度范围为2000~2300℃，氮气压力设置为500mbar，加热时间2-10小时，热端的AlN源沉积到冷端的钨屏上，钨屏上形成AlN纤维层；有益效果是保温效果良好，PVT法氮化铝籽晶生长钨炉的功率稳定，热场有效区域的温度高达2400℃，满足AlN籽晶生长方式对温度范围界定性的要求。该复合保温屏在100h的热冲击实验中几乎无形变，满足AlN籽晶生长方式对热场稳定性的需求，平均使用寿命在1000h以上。
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公开(公告)号：CN105347848A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510675208.8
申请日：2015-10-19
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
CPC分类号： C04B41/85 , C04B41/009 , H05B3/145 , H05B6/02 , H05B2203/013 , H05B2206/02 , C04B35/522 , C04B41/4519 , C04B41/4556
摘要： 本发明公开了一种高温用复合材质石墨加热器的制备方法。该方法依照以下步骤进行：（A）石墨加热器预处理；（B）金属箔预处理；（C）金属箔贴附；（D）高温热处理。采取本方法可以将石墨加热器完美转化成金属碳化物－石墨复合材质石墨加热器。该复合材质石墨加热器既保留了石墨加热器的加热功能，又具有了金属碳化物的高温抗腐蚀性能，既可实现石墨与内部被加热元件的物理隔离，又可杜绝高温下石墨内表面的碳挥发。该方法还可消除金属箔直接在惰性气氛，如氩气、氦气或真空中碳化造成的碎裂、鼓泡和无法完整贴合等问题。
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公开(公告)号：CN103060744B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310045352.4
申请日：2013-02-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
发明人： 齐海涛
IPC分类号： C23C8/64
摘要： 本发明涉及在单晶生长工艺中使用的坩埚的制备方法，特别涉及一种超高温度下使用的复合型坩埚的制备方法。该方法依照以下步骤进行：（A）钽坩埚预处理；（B）坩埚组件组装；（C）装炉碳化；（D）去除碳基材料；（E）退火热处理；（F）清洗干燥，即制备出碳化钽－钽－碳化坦三层复合型结构的坩埚。采取本方法可以将钽坩埚直接转化成碳化钽－钽－碳化坦三层复合型坩埚。通过退火热处理工艺消除了钽坩埚转化成碳化钽－钽－碳化坦三层复合型坩埚过程中因温度不均匀而产生的碳化程度差异，并消除了埚体内应力。复合型坩埚既保留了钽的高强度不宜破碎的特点，又具有了碳化坦的高温抗腐蚀性能力，适用于高温高腐蚀性晶体生长或高纯陶瓷烧结环境。
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公开(公告)号：CN104371560A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410569829.3
申请日：2014-10-23
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明涉及一种用于AlN籽晶粘贴的铝基高温粘结剂及其制备方法。该粘结剂按重量百分比组成：氮化铝为30～50%、铝为10～30%、异丙醇为10～20%和去离子水为0～50%。制备方法是：按重量百分比称取氮化铝、铝粉、异丙醇和去离子水放入容器中，将盛有原料的容器放入温度为30～80℃的磁力搅拌水浴锅中搅拌，混合均匀的悬浮液即为铝基高温粘结剂。该铝基粘结剂无毒，在AlN单晶生长过程中能耐受2000℃以上高温，可使AlN陶瓷托与AlN籽晶在AlN单晶生长温度下紧密粘贴，防止AlN籽晶背面反向升华而出现的籽晶烧蚀现象，而且粘结剂本身无杂质引入，可用于物理气相传输自籽晶生长大尺寸高质量的AlN单晶。
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公开(公告)号：CN108642561A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810737779.3
申请日：2018-07-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明公开了一种在氮化铝单晶的生长中保护籽晶表面的方法。在SiC籽晶表面镀一定厚度的AlN薄膜；设定压力为900-1000mbar，当AlN晶体生长温度达到设定温度2000-2400℃时，将感应线圈提升至籽晶区域，使得籽晶区域的温度略高于AlN粉源区域温度5-20℃；恒温恒压一定时间后，快速下降感应线圈至AlN粉源区域，同时将炉体气压降低至200mbar，在此恒温恒压条件下进行AlN晶体生长。使用本方法，该AlN膜层在升温阶段能防止底层的籽晶挥发被破坏，当温度上升至生长温度阶段，通过移动感应线圈逆转籽晶温度和粉源区域温度梯度，使得AlN镀膜层逐渐挥发，并通过降压实现正常的AlN单晶生长。
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