低物质量圆柱形微结构气体探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117969604A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410392125.7

    申请日:2024-04-02

    摘要: 本公开提供一种低物质量圆柱形微结构气体探测器及其制备方法,该制备方法包括:操作S10:制备面电阻率不高于0.25Ω/□的柔性低物质量电极基材;操作S20:制备柔性放大单元和读出电极单元;操作S30:基于内筒辅助结构和所述低物质量电极基材、柔性放大单元、读出电极单元制备内筒探测器电极组件;操作S40:基于外筒辅助结构和所述低物质量电极基材制备外筒漂移电极组件;以及操作S50:基于内筒辅助结构和外筒辅助结构将内筒探测器电极组件和外筒漂移电极组件进行组装,并进行电气连接及固定密封,完成气体探测器的制备。

    气体探测器制作方法、气体探测器及射线探测装置

    公开(公告)号:CN113433580A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110710500.4

    申请日:2021-06-25

    IPC分类号: G01T1/28 G01T1/167 G01T1/24

    摘要: 本发明公开了一种气体探测器制作方法、气体探测器及射线探测装置,包括制作信号读出板,在下层绝缘层上端面制作金属读出电极,在金属读出电极的上端面覆盖上层绝缘层;压合信号读出板和表面处理,将信号读出板压合在基板上,并使上层绝缘层上远离基板的一侧呈平面;制作阻性阳极电极,在信号读出板的上端面制作阻性层,在阻性层的上端面的外周固定低阻电极环;制作探测器放大组件,将支撑框固定在低阻电极环的上端,并使支撑框完全覆盖低阻电极环,将微网电极固定在支撑框的上端。该气体探测器制作方法、气体探测器及射线探测装置能够实现低本底、高分辨的射线粒子探测。

    一种气体光电倍增管
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110571125A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910834793.X

    申请日:2019-09-04

    IPC分类号: H01J43/22 G01N27/00

    摘要: 一种气体光电倍增管,包括:读出阳极板(1);微网电极结构(2),由n层微网电极(21)通过支撑结构(3)级联而成,该支撑结构(3)固定在读出阳极板(1)上,其中,上一层微网电极(21)的微孔与其下一层微网电极(21)的微孔错位,微网电极(21)之间形成气体雪崩放大区;入射窗(4),其形成于微网电极结构(2)上方,通过外壳(6)与读出阳极板(1)相连,将微网电极结构(2)及支撑结构(3)密封;光电阴极(5),其形成在微网电极结构(2)上,或形成于入射窗(4)的内表面;其中,密封结构内部填充有用于电子漂移和雪崩倍增的工作气体。该光电倍增管离子反馈率低于0.01%,增益高于105,且易大面积制作、成本低、结构紧凑。

    全阻性微井型探测器放大单元及制备方法

    公开(公告)号:CN109709149A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201811529144.0

    申请日:2018-12-13

    IPC分类号: G01N27/00

    摘要: 本公开提供一种全阻性微井型探测器的放大单元及制备方法,该全阻性微井型探测器放大单元由下至上依次分为:读出电极PCB、Prepreg层、第一阻性DLC层、APICAL层以及第二阻性DLC层;本公开提供的全阻性微井型探测器放大单元及制备方法中上下电极为40nm左右的阻性DLC层,其物质量比APICAL小3个量级,因此放大单元的总物质量仅为μRWELL探测器放大单元总物质量的33%左右,更低的物质量能有效降低探测器在探测低能带电粒子时对粒子本身造成的影响,有效拓展该探测器在中低能核物理实验中的应用。

    阻性厚型气体电子倍增器、探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN109273343A

    公开(公告)日:2019-01-25

    申请号:CN201811016846.9

    申请日:2018-08-31

    IPC分类号: H01J43/06 H01J9/02

    摘要: 本公开提供一种阻性厚型气体电子倍增器、探测器及制备方法,该阻性厚型气体电子倍增器包括:PCB基材层以及阻性电极层,该阻性电极层分别形成于PCB基材层的正反表面上,其与PCB基材层的正反表面通过胶层粘接,该阻性电极层沿其厚度方向依次分为:Apical层和DLC层,Apical层与胶层粘接;DLC层形成于Apical层上;其中,该阻性厚型气体电子倍增器沿其厚度方向形成有N个通孔,N≥1。本公开提供的阻性厚型气体电子倍增器可通过改变磁控溅射工艺参数调整阻性电极层的面电阻率,并且阻性电极层远离PCB基材层的表面无任何绝缘物体残留,不容易对探测器的计数率能力造成影响。

    低物质量多层复合读出电极及制备方法

    公开(公告)号:CN117976321B

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202410392179.3

    申请日:2024-04-02

    IPC分类号: H01B13/00 H01B5/14

    摘要: 本公开提供一种低物质量多层复合读出电极的制备方法,包括:S1:在软质基材表面制备连接部;S2:在连接部一侧设置连接走线和电子学接头作为分支连接区;S3:将连接部的另一侧划分为灵敏区并在灵敏区的基材表面制备读出条图形;以及S4:基于所述读出条图形制备物质量范围为0.0005%X0‑0.002%X0的条形读出电极,电极的面电阻率可低至0.25Ω/□,完成低物质量多层复合读出电极的制备。

    一种低本底的α、β射线探测装置

    公开(公告)号:CN113433581B

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202110712022.0

    申请日:2021-06-25

    IPC分类号: G01T1/28 G01T1/167 G01T1/24

    摘要: 本发明公开了一种低本底的α、β射线探测装置,涉及探测装置技术领域,包括第一射线探测器和第二射线探测器,第一射线探测器的入射窗口上用于放置样品,且第一射线探测器能够探测到样品中的α射线和β射线的径迹,第一射线探测器与第二射线探测器在竖直方向上堆叠设置,且第一射线探测器与样品在竖直方向上堆叠设置。该低本底的α、β射线探测装置能够将样品的α、β射线与环境放射性以及宇宙线本底进行区分,同时实现设备轻量化。

    高计数率多气隙电阻板室探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN111596340B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202010594354.9

    申请日:2020-06-24

    IPC分类号: G01T1/26 C23C14/06 C23C14/35

    摘要: 本公开提供一种高计数率多气隙电阻板室探测器的制备方法,包括:步骤S1:对玻璃样品进行预处理;步骤S2:在预处理后的玻璃样品表面及孔内制备DLC阻性薄膜,完成DLC阻性玻璃的制备;以及步骤S3:基于DLC阻性玻璃制备多气隙电阻板室结构,进而完成高计数率多气隙电阻板室探测器的制备。所述制备方法制备的多气隙电阻板室探测器可以使电荷不再穿过玻璃进行中和,而是沿等效电阻相对较低的DLC表面以较快的速度进行中和,使得探测器计数率能力得到有效提高。