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公开(公告)号：CN117969604B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410392125.7
申请日：2024-04-02
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本公开提供一种低物质量圆柱形微结构气体探测器及其制备方法，该制备方法包括：操作S10：制备面电阻率不高于0.25Ω/□的柔性低物质量电极基材；操作S20：制备柔性放大单元和读出电极单元；操作S30：基于内筒辅助结构和所述低物质量电极基材、柔性放大单元、读出电极单元制备内筒探测器电极组件；操作S40：基于外筒辅助结构和所述低物质量电极基材制备外筒漂移电极组件；以及操作S50：基于内筒辅助结构和外筒辅助结构将内筒探测器电极组件和外筒漂移电极组件进行组装，并进行电气连接及固定密封，完成气体探测器的制备。
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公开(公告)号：CN113838588B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111202078.8
申请日：2021-10-15
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G21C17/108
摘要： 本发明属于核反应堆热中子检测技术领域，尤其涉及锗材料在检测反应堆热中子平均通量密度中的应用、反应堆热中子平均通量密度的检测方法。本发明提供锗材料在检测反应堆热中子平均通量密度中的应用。锗材料受到热中子辐照后，锗材料中的#imgabs0#核素转变为其同位素#imgabs1#以所述#imgabs2#核素作为目标靶核，#imgabs3#发生放射性衰变时产生的X射线的能量为9.2keV和10.3keV，具有适宜的射线能量范围，对人体及周围环境危害小，危险系数低；且#imgabs4#核素的半衰期为11.42天，无需长时间保存处理，从而本发明提供的锗材料很好的解决了现有技术传统方法遗留的靶核放射性衰变周期长且靶核特征射线能量高的问题。
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公开(公告)号：CN117555007A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311519806.7
申请日：2023-11-13
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明公开了一种高流强射束检测装置，包括高流强射线检测暗箱、光读出MPGD、射线转换层、设置在高流强射线检测暗箱内部可调角度的反射镜以及光学相机，高流强射线在光读出MPGD探测器内会产生光信号，光学相机的镜头用于拍摄通过反射镜反射的光信号图像。本发明采用了基于光读出MPGD先进气体探测器技术，结合不同射线转换层，实现对质子、中子、重离子和伽马等高流强射线的高精度检测。与其他探测器方案相比，本方案采用了抗辐照、高能量、高位置分辨率、低成本、可大面积、高均匀性、高技术率的光读出MPGD探测器，结合了CCD或CMOS相机和反射镜来收集光信号，搭配不同射线探测射线转换层能够实现不同种类高流强射线的高精度检测。
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公开(公告)号：CN115950920A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310250319.9
申请日：2023-03-16
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明公开一种基于微流控技术的微结构气体探测器及其制备方法，涉及气体探测器技术领域。所述制备方法包括：将多个支撑垫片吸附于微流控系统的微流控芯片表面，使多个支撑垫片在微流控芯片表面以设定间距单层排布；利用图像识别方法控制机械臂将微流控芯片表面的多个支撑垫片固定于读出电路板上，固定于读出电路板上的多个支撑垫片形成支撑结构；在支撑结构上设置微网电极；在微网电极上设置固定胶层；将漂移电极设置于气盒的内顶壁上；将气盒的底部与读出电路板的边缘密封连接，使漂移电极、固定胶层、微网电极和支撑结构密封于气盒内部，得到微结构气体探测器。本发明能够提高微结构气体探测器的制作效率和探测器品质。
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公开(公告)号：CN113433580B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202110710500.4
申请日：2021-06-25
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明公开了一种气体探测器制作方法、气体探测器及射线探测装置，包括制作信号读出板，在下层绝缘层上端面制作金属读出电极，在金属读出电极的上端面覆盖上层绝缘层；压合信号读出板和表面处理，将信号读出板压合在基板上，并使上层绝缘层上远离基板的一侧呈平面；制作阻性阳极电极，在信号读出板的上端面制作阻性层，在阻性层的上端面的外周固定低阻电极环；制作探测器放大组件，将支撑框固定在低阻电极环的上端，并使支撑框完全覆盖低阻电极环，将微网电极固定在支撑框的上端。该气体探测器制作方法、气体探测器及射线探测装置能够实现低本底、高分辨的射线粒子探测。
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公开(公告)号：CN111650633B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010594355.3
申请日：2020-06-24
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本公开提供一种高计数率电阻板室探测器的制备方法，包括：步骤S1：对玻璃样品进行预处理；步骤S2：在预处理后的玻璃样品表面及孔内制备DLC阻性薄膜，完成DLC阻性玻璃的制备；步骤S3：基于DLC阻性玻璃制备电阻板室结构；以及步骤S4：对电阻板室结构进行封装，完成高计数率电阻板室探测器的制备。
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公开(公告)号：CN111596341B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010600566.3
申请日：2020-06-28
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本公开提供一种多气隙全阻性盲孔型探测器的制作方法，包括：步骤S1：制备基材材料，包括读出电极基材，通孔单元基材，气隙垫片，平板电极基材，漂移电极基材；步骤S2：利用步骤S1所制备的基材材料制备读出电极，平板电极，漂移电极，以及通孔单元；步骤S3：在读出电极上依次交替安装通孔单元区和平板电极，直至安装至第N层通孔单元区，N≥2，得到全阻性盲孔型放大区；以及步骤S4：在步骤S3所制备的全阻性盲孔型放大区上方安装漂移电极和窗，完成多气隙全阻性盲孔型探测器的制作。
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公开(公告)号：CN110600358B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910834830.7
申请日：2019-09-04
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 一种气体电子倍增器，包括：读出阳极板(1)；微网电极结构(2)，由n层微网电极(21)通过支撑结构(3)级联而成，该支撑结构(3)固定在读出阳极板(1)上；其中，上一层微网电极(21)的微孔与其下一层微网电极(21)的微孔错位，微网电极(21)之间形成气体雪崩放大区，n为大于等于3的整数。该气体电子倍增器可提高电子倍增的总增益，同时降低离子反馈率。基于该气体电子倍增器制作光电探测器避免了阻性电极带来的成本增加和计数率下降等问题，增益稳定性提高，且解决了对可见光灵敏的光阴极材料容易被离子反馈损伤的问题。
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公开(公告)号：CN110112050B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201910331417.9
申请日：2019-04-23
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 一种自淬灭打火放大单元、其制备方法、探测器及应用，包括：印刷电路板基材；第一类金刚石碳基薄膜，位于印刷电路板基材上下表面；通孔，贯穿印刷电路板基材上下表面；第二类金刚石碳基薄膜，位于所述第一类金刚石碳基薄膜表面和通孔壁上。本发明提升了探测器抑制打火的能力、极大地提高了THGEM探测器的增益稳定性，简化了阻性THGEM探测器的制作工艺，降低了制作成本，对THGEM探测器的实际应用具有积极的推动作用。
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公开(公告)号：CN111650633A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010594355.3
申请日：2020-06-24
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本公开提供一种高计数率电阻板室探测器的制备方法，包括：步骤S1：对玻璃样品进行预处理；步骤S2：在预处理后的玻璃样品表面及孔内制备DLC阻性薄膜，完成DLC阻性玻璃的制备；步骤S3：基于DLC阻性玻璃制备电阻板室结构；以及步骤S4：对电阻板室结构进行封装，完成高计数率电阻板室探测器的制备。
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