公开(公告)号：CN1188329A

公开(公告)日：1998-07-22

申请号：CN97106766.X

申请日：1997-12-08

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 王剑峰 ,  须国忠 ,  陈学良

IPC分类号： H01L21/8224 ,  H01L27/08

摘要： 一种带有稳定管的双极型集成电路的制造方法,其系与普通双极型集成电路的制造工艺相兼容,特点是采用二步注入法;一次形成双极型晶体管基区;另一次是用不同剂量形成稳压管的一极,并控制注入量和掺杂区深度以确定稳压管的稳定电压值,因此,本发明的电路包括一个半导体基片,该基片为第一导电型的衬底,表面上经外延生长第二导电型的外延层,该外延层经过隔离即构成双极型第二导电型晶体管的集电极或第一导型晶体管的基板,其特征在于,该外延层上某些区域经掺杂制造出一些第一导电型的区域,这些区域构成第二导电型晶体管的基极和第一导电型晶体管的集电极和发射极以及稳压二极管的一个电极。

公开(公告)号：CN1190257A

公开(公告)日：1998-08-12

申请号：CN97106765.1

申请日：1997-12-08

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 王剑峰 ,  葛蔚明 ,  陈学良

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/8238

摘要： 一种双层多晶CMOS数模混合集成电路及其制造方法,系在普通CMOS工艺基础上用双层多晶硅将数字电路与模拟电路同时集成到一块集成电路上,制成所需的电阻值的电阻以及电容的上电极。因此,本发明电路包括半导体基片,该基片基本上是第一导电型,仅在部分表面有一些第二导电型的表面层,第一导电型的表面上有一些沟道为第二导电型的MOS晶体管,半导体基片表面局部有一些厚的绝缘物覆盖,其特点是该绝物上有电阻和电容。

公开(公告)号：CN1051880C

公开(公告)日：2000-04-26

申请号：CN97106766.X

申请日：1997-12-08

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 王剑峰 ,  须国忠 ,  陈学良

IPC分类号： H01L21/8224 ,  H01L27/06

摘要： 一种带有稳定管的双极型集成电路的制造方法，其系与普通双极型集成电路的制造工艺相兼容，特点是采用二步注入法；一次形成双极型晶体管基区；另一次是用不同剂量形成稳压管的一极，并控制注入量和掺杂区深度以确定稳压管的稳定电压值，因此，本发明的电路包括一个半导体基片，该基片为第一导电型的衬底，表面上经外延生长第二导电型的外延层，该外延层经过隔离即构成双极型第二导电型晶体管的集电极或第一导型晶体管的基极，其特征在于，该外延层上某些区域经掺杂制造出一些第一导电型的区域，这些区域构成第二导电型晶体管的基极和第一导电型晶体管的集电极和发射极以及稳压二极管的一个电极。

公开(公告)号：CN1051879C

公开(公告)日：2000-04-26

申请号：CN97106765.1

申请日：1997-12-08

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 王剑峰 ,  葛蔚明 ,  陈学良

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06

摘要： 一种双层多晶硅CMOS数模混合集成电路及其制造方法，系在普通CMOS工艺基础上用双层多晶硅将数字电路与模拟电路同时集成到一块集成电路上，制成所需的电阻值的电阻以及电容的上电极。因此，本发明电路包括半导体基片，该基片基本上是第一导电型，仅在部分表面有一些第二导电型的表面层，第一导电型的表面上有一些沟道为第二导电型的MOS晶体管，半导体基片表面局部有一些厚的绝缘物覆盖，其特点是该绝缘物上有电阻和电容。

公开(公告)号：CN2388658Y

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN99239209.8

申请日：1999-08-06

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 王剑峰 ,  倪振元 ,  沈永明 ,  蒋月芳 ,  陈学良

IPC分类号： G08B7/06

摘要： 本实用新型公开了一种无人售票公共汽车乘客下车请求显示装置,该装置由核心部分的控制器和若干电阻、电容以及蜂鸣器等元器件构成。其特点在于该装置由前、后门下车请求回路、显示回路以及指示回路等组成。本装置可方便地在公共汽车上乘客下车请求时,用于指示、显示乘客下车。又能减轻司机的劳动强度,提高司机安全驾驶、减少事故隐患。