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公开(公告)号:CN1109260C
公开(公告)日:2003-05-21
申请号:CN00115582.2
申请日:2000-04-29
申请人: 中国科学院上海冶金研究所
发明人: 王跃林 , 王文辉 , 李铁 , 解健芳
IPC分类号: G02B6/28 , G03F7/09
摘要: 一种大角度Y分支硅光功率分配器的制作方法,主要特点是采用掺杂的方法改变分支处的折射率,并采用先掺杂后键合和双面光刻工艺,在玻璃衬底上制作大角度Y分支硅光功率分配器,本方法的优点体现为背面掺杂正面刻蚀,因而掺杂深度适当减小,就可满足大截面脊形波导的要求;玻璃衬底对光的限制效果好。
公开(公告)号:CN1274857A
公开(公告)日:2000-11-29
摘要: 一种大角度Y分支硅光功率分配器的制作方法,主要特点是采用掺杂的方法改变分支处的折射率,并采用先掺杂后键合和双面光刻工艺,在玻璃衬底上制作大角度Y分支硅光功率分配器,本方法的优点体现为背面掺杂正面刻蚀,因而掺杂深度适当减小,就可满足大截面脊形波导的要求;玻璃衬底对光的限制效果好。