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公开(公告)号：CN1119639C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN99124238.6
申请日：1999-12-10
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 本发明涉及绝缘体上的硅高温超高压力传感器的制作方法，这种传感器又称为SOI硅高温超高压力传感器，属于电子信息领域，本发明提供的方法最关键的点采用SOI技术解决敏感元件和弹性元件的高温电隔离，以硅和耐热玻璃环的静电键合为边界的钳制条件实现高量程和高线性输出。用本方法制作的压力量程在40～100Mpa以上的高温超高压力传感器具有优于0.14%的非线性和大于100mv的满量程输出，以及小于0.1%的迟滞。
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公开(公告)号：CN1277142A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN00119498.4
申请日：2000-07-21
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 一种单晶玻璃衬底上可动硅微机械结构集成化的制作方法,该方法通过硅—玻璃静电键合技术将单晶硅敏感结构制作在玻璃衬底上,在硅片键合面一侧对应可动结构底部预腐蚀浅坑实现可动结构的悬空,引入单晶硅深反应离子刻蚀技术进行微结构刻蚀成型,可以单晶硅为结构材料制作出从表面微机械到体微机械尺度厚度的高深宽比的平面可动微结构,适合于加速度传感器,陀螺,谐振器等各种平面可动微结构的制作。
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公开(公告)号：CN1254833A
公开(公告)日：2000-05-31
申请号：CN99124238.6
申请日：1999-12-10
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： G01L1/18
摘要： 本发明涉及绝缘体上的硅高温超高压力传感器的制作方法,这种传感器又称为S01硅高温超高压力传感器,属于电子信息领域,本发明提供的方法最关键的点采用S01技术解决敏感元件和弹性元件的高温电隔离,以硅和耐热玻璃环的静电键合为边界的钳制条件实现高量程和高线性输出。用本方法制作的压力量程在40～100MPa以上的高温超高压力传感器具有优于0.15%的非线性和大于100mv的满量程输出,以及小于0.1%的迟滞。
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公开(公告)号：CN1255734A
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：CN99124237.8
申请日：1999-12-10
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 一种高温压力传感器芯片的制作方法,最为关键的工艺是将带有单晶碳化硅外延层的硅片与外层被氧化的硅片用浓硫酸清洗,去离子水冲洗,然后将其中硅片的碳化硅面与另一硅片的氧化硅面进行键合,再将其放入氢氧化钾溶液中腐蚀,去除碳化硅外延层的衬底硅层,这样,不仅简化了高温压力传感器芯片的制作工艺,而且保证了这样制造出来的芯片的单晶碳化硅高温半导体特性的充分发挥。
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公开(公告)号：CN1159208C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN00119498.4
申请日：2000-07-21
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 一种单晶玻璃衬底上可动硅微机械结构集成化的制作方法，该方法通过硅-玻璃静电键合技术将单晶硅敏感结构制作在玻璃衬底上，在硅片键合面一侧对应可动结构底部预腐蚀浅坑实现可动结构的悬空，引入单晶硅深反应离子刻蚀技术进行微结构刻蚀成型，可以单晶硅为结构材料制作出从表面微机械到体微机械尺度厚度的高深宽比的平面可动微结构，适合于加速度传感器，陀螺，谐振器等各种平面可动微结构的制作。
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公开(公告)号：CN1094653C
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN99124237.8
申请日：1999-12-10
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
摘要： 一种高温压力传感器芯片的制作方法，最为关键的工艺是将带有单晶碳化硅外延层的硅片与外层被氧化的硅片用浓硫酸清洗，去离子水冲洗，然后将其中硅片的碳化硅面与另一硅片的氧化硅面进行键合，再将其放入氢氧化钾溶液中腐蚀，去除碳化硅外延层的衬底硅层，这样，不仅简化了高温压力传感器芯片的制作工艺，而且保证了这样制造出来的芯片的单晶碳化硅高温半导体特性的充分发挥。
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公开(公告)号：CN2503487Y
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN01238754.1
申请日：2001-04-06
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： G01P15/09
摘要： 本实用新型涉及一种量程可达20万m/s2的微机械加速度传感器,属于微电子机械系统领域,其特征在于它是由芯片和厚度比它稍厚的矩形框构成,芯片封装在框架中,并用玻璃盖板上下与其键合而成。芯片采用薄板－岛结构,主要由锚区、支撑质量块的悬空薄板、质量块、敏感电阻构成的。起弹性梁作用的薄板为单晶硅薄层,其厚度与量程有关;敏感电阻设计成单一直线状,长度可接近薄板宽。
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公开(公告)号：CN2424450Y
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：CN00217895.8
申请日：2000-06-02
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： G01D5/241 , G01P15/125
摘要： 本实用新型提出了一种以玻璃为衬底的单晶硅体微机械加工梳状电容式加速度传感器。本实用新型采用硅-玻璃键合结构,利用单晶硅深反应离子刻蚀(DRIE)技术进行叉指成型刻蚀,可增加器件厚度至上百微米,大幅度增加器件静态电容,便于信号检测。传感器设计可在实现可动结构悬空的同时有效保证固定叉指的锚定,并避免差分电容极板静电力对中间质量块形成扭矩。传感器采用折叠梁结构,较之直梁结构可获得较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN2154460Y
公开(公告)日：1994-01-26
申请号：CN93225564.7
申请日：1993-04-17
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： G01B11/16
摘要： 本实用新型微机械系统材料的应变测量装置，特别是用于几微米到几百微米尺寸材料的应变测量，属于用于计量固体形变的以机械方法为特征的计量设备，包括探针及长焦距显微镜。其特征在于有可在空间四个方位微调的探针台及测量微力大小及位移的精密天平。可用天平砝码、柔性探头的液体压力或小型电磁铁对试样施力。是一种技术上易于实现、成本低、操作方便的测定微机械系统材料或元件力学性能的测量装置。
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公开(公告)号：CN2397473Y
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN99239775.8
申请日：1999-09-29
申请人： 中国科学院上海冶金研究所
IPC分类号： G01C19/00
摘要： 本实用新型是涉及一种尺寸在毫米量级的栅型结构电容式微机械谐振陀螺,主要由静电驱动电极、电容检测电、栅型结构驱动质量块与检测质量块、支撑质量块的悬空弹性折叠梁和限位锚点构成。其中质量块可以在平面上运动。因对惯性质量块振动的阻尼仅是滑移阻尼,在大气压条件下,器件品质因子可超过140。本陀螺用栅结构驱动,有利于信号处理,配上相应测量接口电路,灵敏度高,是一种结构简单,工艺易于实现的实用微型电容式微机械振动陀螺。
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