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公开(公告)号：CN108666416B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710215955.2
申请日：2017-04-01
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，所述相变存储器单元包括相变材料层，所述相变材料层包括单层相变材料SbxTe1‑x层和单层化合物ScyTe1‑y层交替垂直堆叠生长而形成的相变超晶格薄膜结构，其中，0.4≤x≤0.8，0.4≤y≤0.8。本发明制备出的超晶格(SbxTe1‑x)‑(ScyTe1‑y)相变材料具有和传统Ge‑Sb‑Te相变材料相比，获得的相变存储器件具有更低功耗、更高的相变速、更高的保持力、更长寿命等优点。
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公开(公告)号：CN106654005B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510737451.8
申请日：2015-10-30
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供一种相变材料层、相变存储器单元及其制备方法，所述相变材料层包括TixTe1‑x层及位于所述TixTe1‑x层表面的Sb层，其中，0.33≤x≤0.56。本发明的相变存储器单元中的相变材料层的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容，且具有以下优点：所选区间的Sb层，具有很快地相变速度使相变存储器具有皮秒级的擦写操作时间，提高相变存储器的操作速度；所选区间TixTe1‑x层，在高温下仍能保持结构的稳定性，提高超晶格结构整体的热稳定性；TixTe1‑x层与衬底层有更好的粘附性，可以提高器件单元的循环操作次数，延长器件单元的寿命。
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公开(公告)号：CN106611814A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510697470.2
申请日：2015-10-23
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种用于相变存储器的相变材料及其制备方法，用于相变存储器的相变材料的化学通式为Sc100-x-y-zGexSbyTez，其中，0≤x≤60，0≤y≤90，0＜z≤65，0＜100-x-y-z＜100。本发明的可用于相变存储的相变材料，具有反复相变的能力；Sc100-x-y-zGexSbyTez具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻值态与低阻值态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求，是一种新型的存储材料；材料的热稳定性、相变速度以及疲劳循环特性得到了提高；可采用脉冲电压或脉冲激光驱动相变材料在不同的结构状态之间发生可逆转变，同时使相变材料的性能发生可逆变化，从而实现相变存储器的信息存储。
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公开(公告)号：CN103794723A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410077462.3
申请日：2014-03-04
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，所述的相变存储器单元的存储介质层是由SbxTe1-x层和TiyTe1-y层交替堆叠组成的超晶格薄膜结构，形成稳定的层状(SbxTe1-x)-(TiyTe1-y)相变材料。其中0.4≤x≤0.8，0.33≤y≤0.56。SbxTe1-x层及TiyTe1-y层的厚度介于1nm～10nm之间。该种方法制备出的超晶格(SbxTe1-x)-(TiyTe1-y)相变材料具有和传统Ge-Sb-Te相变材料完全不同的相变机理，因此获得的相变存储器件具有更低功耗、更高的相变速、更高的保持力、更长寿命等优点。
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公开(公告)号：CN107768516A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610703307.7
申请日：2016-08-22
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/14 , H01L45/1625
摘要： 本发明提供一种Y-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Y-Sb-Te相变材料为包括钇、锑及碲三种元素的化合物，所述Y-Sb-Te相变材料的化学式为Y100-x-ySbxTey，其中0
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公开(公告)号：CN106611814B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201510697470.2
申请日：2015-10-23
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种用于相变存储器的相变材料及其制备方法，用于相变存储器的相变材料的化学通式为Sc100‑x‑y‑zGexSbyTez，其中，0≤x≤60，0≤y≤90，0＜z≤65，0＜100‑x‑y‑z＜100。本发明的可用于相变存储的相变材料，具有反复相变的能力；Sc100‑x‑y‑zGexSbyTez具有高阻和低阻两种不同阻值的状态，且高阻值态与低阻值态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换，满足相变存储器存储材料的基本要求，是一种新型的存储材料；材料的热稳定性、相变速度以及疲劳循环特性得到了提高；可采用脉冲电压或脉冲激光驱动相变材料在不同的结构状态之间发生可逆转变，同时使相变材料的性能发生可逆变化，从而实现相变存储器的信息存储。
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公开(公告)号：CN108666416A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710215955.2
申请日：2017-04-01
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要： 本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，所述相变存储器单元包括相变材料层，所述相变材料层包括单层相变材料SbxTe1-x层和单层化合物ScyTe1-y层交替垂直堆叠生长而形成的相变超晶格薄膜结构，其中，0.4≤x≤0.8，0.4≤y≤0.8。本发明制备出的超晶格(SbxTe1-x)-(ScyTe1-y)相变材料具有和传统Ge-Sb-Te相变材料相比，获得的相变存储器件具有更低功耗、更高的相变速、更高的保持力、更长寿命等优点。
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公开(公告)号：CN106654005A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510737451.8
申请日：2015-10-30
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/144 , H01L45/16
摘要： 本发明提供一种相变材料层、相变存储器单元及其制备方法，所述相变材料层包括TixTe1-x层及位于所述TixTe1-x层表面的Sb层，其中，0.33≤x≤0.56。本发明的相变存储器单元中的相变材料层的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容，且具有以下优点：所选区间的Sb层，具有很快地相变速度使相变存储器具有皮秒级的擦写操作时间，提高相变存储器的操作速度；所选区间TixTe1-x层，在高温下仍能保持结构的稳定性，提高超晶格结构整体的热稳定性；TixTe1-x层与衬底层有更好的粘附性，可以提高器件单元的循环操作次数，延长器件单元的寿命。
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