公开(公告)号：CN104810454A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510240317.7

申请日：2015-05-12

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 王庶民 ,  潘文武 ,  李耀耀 ,  王朋 ,  王凯 ,  吴晓燕 ,  崔健

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/0062

摘要： 本发明提供一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法，通过在生长磷化铟(InP)材料时加入少量镓(Ga)和铋(Bi)元素形成全新的InGaPBi材料，通过改变Ga元素的百分比含量实现晶格常数的调控，室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi和Ga的元素百分含量分别为1.6％和2.3％时，该材料室温光致发光谱的波长覆盖范围可以达到1.4～2.7μm，半峰宽达到600nm，同时在Ga元素的补偿作用下，其晶格常数与InP衬底接近匹配。本发明报道的InGaPBi单晶材料为世界上首次成功合成。此InGaPBi红外光源材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。