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公开(公告)号：CN100373550C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510029396.3
申请日：2005-09-02
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注入，再进行较低浓度的浅注入的分步注入方法，在晶体管的体区、靠近顶层硅/隐埋氧化层界面的顶层硅部分，即背沟道引入重掺杂，通过分别调节前沟和背沟的阈值电压；在不影响前沟阈值电压的情况下，提高背沟阈值电压，使背沟区域的硅层很难反型形成沟道，降低背沟漏电流。本发明提供的加固方法能大幅度减少辐射引起的背沟漏电流，因此具有抗总剂量辐射的优越性能，适用于商业化生产。
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公开(公告)号：CN1779989A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510029987.0
申请日：2005-09-23
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及抗辐射加固的特殊体接触的SOIMOSFET及源漏极的注入方法。其特征在于在绝缘体上硅场效应晶体管结构中，源和漏的结深不同，漏极深度与顶层硅膜厚度一致，源极的结深小于顶层硅膜的厚度，体从源极下面与器件末端的体接触相连；对于n型金属氧化物半导体场效应晶体管与源极相邻的是重掺杂p型区域，用作体接触；且源、漏极分步注入形成。在浅源极下面引入重掺杂的体接触，这种体接触结构能够大幅度地减少辐射引起的背沟漏电流，因此具有抗总剂量辐射的优越性能，而且不用特殊制备氧化埋层，适用于商业化生产。
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公开(公告)号：CN1687800A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510025136.9
申请日：2005-04-15
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种绝缘体上硅(SOI)的电学参数的表征方法，属于微电子与固体电子学、硅基集成光电子器件材料的一种表征方法。其特征在于所述的方法以四探针测试平台为基础，附加导电样品台，搭建起一套赝MOS(Metal－Oxide－Semiconductor：金属－氧化物－半导体)系统，采用类似于MOSFET的分析手段表征绝缘体上的硅材料的埋层氧化物电荷密度，界面态密度等电学参数。具有简便易行、成本低、测试过程迅速等优点，可以作为SOI材料规模化生产的在线表征方法。
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公开(公告)号：CN100356182C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510029225.0
申请日：2005-08-31
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种绝缘体上硅(SOI)的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法，更明确地说是涉及一种用汞探针测试系统表征SOI材料的埋层氧化物电荷密度的方法，属于微电子学与固体电子学领域。该方法采用汞探针测试系统，通过比对腐蚀顶层硅前后电容-电压曲线的方法，表征薄膜以及超薄SOI(Silicon-On-Insulator：绝缘体上的硅)材料的埋层氧化物电荷密度。该表征方法针对顶层硅厚度1μm以内的SOI圆片，具有简便易行、测试过程迅速等优点，可以作为SOI材料规模化生产的在线表征方法。
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公开(公告)号：CN1734277A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510029225.0
申请日：2005-08-31
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种绝缘体上硅(SOI)的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法，更明确地说是涉及一种用汞探针测试系统表征SOI材料的埋层氧化物电荷密度的方法，属于微电子学与固体电子学领域。该方法采用汞探针测试系统，通过比对腐蚀顶层硅前后电容－电压曲线的方法，表征薄膜以及超薄SOI(Silicon－On－Insulator：绝缘体上的硅)材料的埋层氧化物电荷密度。该表征方法针对顶层硅厚度1μm以内的SOI圆片，具有简便易行、测试过程迅速等优点，可以作为SOI材料规模化生产的在线表征方法。
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公开(公告)号：CN100373585C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610024846.4
申请日：2006-03-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/76
摘要： 本发明涉及提高MOS晶体管场区抗总剂量辐射的加固方法，属于微电子与固体电子学中、半导体集成电路加工技术领域。本发明的特征在于在金属氧化物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后，以及预栅氧之前，在场区氧化层中室温下注入氮、氟、硅或锗离子中的一种或者它们的组合，在惰性气氛的保护下，于800～1000℃的温度退火30～60min，然后正常进行后续工艺，注入的能量和剂量根据场氧化层的厚度决定；在氧化层中引入深电子陷阱，避免了边缘漏电流，减小了辐射产生正电荷对器件的影响，从而提高了器件的抗总剂量辐射的水平。而且这种方法不用特殊制备氧化埋层的方法，适用于商业化生产。
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公开(公告)号：CN1845308A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610024846.4
申请日：2006-03-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/76
摘要： 本发明涉及提高MOS晶体管场区抗总剂量辐射的加固方法，属于微电子与固体电子学中、半导体集成电路加工技术领域。本发明的特征在于在金属氧化物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后，以及预栅氧之前，在场区氧化层中室温下注入氮、氟、硅或锗离子中的一种或者它们的组合，在惰性气氛的保护下，于800～1000℃的温度退火30～60min，然后正常进行后续工艺，注入的能量和剂量根据场氧化层的厚度决定；在氧化层中引入深电子陷阱，避免了边缘漏电流，减小了辐射产生正电荷对器件的影响，从而提高了器件的抗总剂量辐射的水平。而且这种方法不用特殊制备氧化埋层的方法，适用于商业化生产。
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公开(公告)号：CN1763918A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510029396.3
申请日：2005-09-02
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属－氧化物－半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注入，再进行较低浓度的浅注入的分步注入方法，在晶体管的体区、靠近顶层硅/隐埋氧化层界面的顶层硅部分，即背沟道引入重掺杂，通过分别调节前沟和背沟的阈值电压；在不影响前沟阈值电压的情况下，提高背沟阈值电压，使背沟区域的硅层很难反型形成沟道，降低背沟漏电流。本发明提供的加固方法能大幅度减少辐射引起的背沟漏电流，因此具有抗总剂量辐射的优越性能，适用于商业化生产。
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