-
公开(公告)号：CN109427538B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201710735726.3
申请日：2017-08-24
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种异质结构的制备方法，包括提供供体衬底，并于供体衬底表面形成牺牲层；于牺牲层表面形成薄膜盖层，其远离所述牺牲层的表面为注入面；从注入面进行离子注入，以在牺牲层中形成缺陷层；提供受体衬底，并将受体衬底与薄膜盖层的注入面键合；沿缺陷层剥离所述牺牲层，以将键合有薄膜盖层的受体衬底与供体衬底分离，获得受体衬底‑薄膜盖层异质结构。通过上述方案，本发明中引入含铝化合物等易被化学腐蚀的材料作为牺牲层，层裂之后借用含铝化合物易氧化的特点，将处理牺牲层的工序简化，并且使得到的异质结构和供体衬底表面洁净，可以成功的将薄膜盖层转移到受体衬底上，在提供柔性衬底的同时，供体衬底材料还可以重复利用。
-
公开(公告)号：CN107123714A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710356260.6
申请日：2017-05-16
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0062 , H01L33/305
摘要： 本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材料为S，Si，Se或Te，X为N，P，As，Sb。本发明引入δ掺杂层，有效扩展发光波长，与传统的通过增加Bi的含量扩展发光波长的GaAsBi量子阱相比，δ掺杂层的引入并没有增加材料的缺陷密度，而是使得量子阱对电子的束缚作用增强，不会降低发光强度，这对于扩展稀铋光电器件应用范围和提高器件性能都有重要的作用。
-
公开(公告)号：CN107123714B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710356260.6
申请日：2017-05-16
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材料为S，Si，Se或Te，X为N，P，As，Sb。本发明引入δ掺杂层，有效扩展发光波长，与传统的通过增加Bi的含量扩展发光波长的GaAsBi量子阱相比，δ掺杂层的引入并没有增加材料的缺陷密度，而是使得量子阱对电子的束缚作用增强，不会降低发光强度，这对于扩展稀铋光电器件应用范围和提高器件性能都有重要的作用。
-
公开(公告)号：CN109427538A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710735726.3
申请日：2017-08-24
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种异质结构的制备方法，包括提供供体衬底，并于供体衬底表面形成牺牲层；于牺牲层表面形成薄膜盖层，其远离所述牺牲层的表面为注入面；从注入面进行离子注入，以在牺牲层中形成缺陷层；提供受体衬底，并将受体衬底与薄膜盖层的注入面键合；沿缺陷层剥离所述牺牲层，以将键合有薄膜盖层的受体衬底与供体衬底分离，获得受体衬底-薄膜盖层异质结构。通过上述方案，本发明中引入含铝化合物等易被化学腐蚀的材料作为牺牲层，层裂之后借用含铝化合物易氧化的特点，将处理牺牲层的工序简化，并且使得到的异质结构和供体衬底表面洁净，可以成功的将薄膜盖层转移到受体衬底上，在提供柔性衬底的同时，供体衬底材料还可以重复利用。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.05 秒)