-
公开(公告)号：CN103050432A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210559663.8
申请日：2012-12-20
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，先通过外延技术和离子注入技术形成半导体衬底、GaAs层结构，所述半导体衬底中具有H离子或/及He离子注入层，且所述半导体衬底为Ge、Ge/Si、Ge/GeSi/Si或GOI衬底；于所述GaAs层表面形成第一SiO2层；键合一表面具有第二SiO2层的Si衬底，进行第一退火加强键合，进行第二退火使所述注入层剥离；采用XeF2气体腐蚀以去除GaAs层表面残留的半导体衬底，获得GaAsOI结构；采用类似的方案可以获得高质量的Ⅲ-ⅤOI结构。本发明通过分子束外延或超高真空化学气相沉积的手段，获得高质量的GaAs层及Ⅲ-Ⅴ半导体层；采用高选择性气体腐蚀的方法，可以有效地将通过智能剥离后的残留半导体衬底去除的同时保持GaAs层的完整性，从而有效地制备出高质量的GaAsOI或Ⅲ-ⅤOI。
-
公开(公告)号：CN103021812A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210559716.6
申请日：2012-12-20
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成GaAs层，于所述GaAs层表面形成Ⅲ-Ⅴ半导体层，于所述Ⅲ-Ⅴ半导体层表面形成第一SiO2层，所述半导体衬底为Ge、Ge/Si及Ge/GeSi/Si衬底的一种；2）提供一表面具有第二SiO2层的Si衬底，键合所述第一SiO2层及第二SiO2层；3）采用XeF2气体腐蚀以去除所述半导体衬底，获得GaAs层/Ⅲ-Ⅴ半导体层/SiO2层/Si衬底结构。本发明具有以下有益效果：通过分子束外延或超高真空化学气相沉积的手段可以获得高质量的Ⅲ-Ⅴ半导体层；通过高选择性气体腐蚀的方法制备Ⅲ-ⅤOI，可以有效地将半导体衬底去除的同时保持了Ⅲ-Ⅴ半导体层完整性，从而有效地制备出高质量的Ⅲ-ⅤOI。
-
公开(公告)号：CN103021812B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210559716.6
申请日：2012-12-20
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762
摘要： 本发明提供一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成GaAs层，于所述GaAs层表面形成Ⅲ-Ⅴ半导体层，于所述Ⅲ-Ⅴ半导体层表面形成第一SiO2层，所述半导体衬底为Ge、Ge/Si及Ge/GeSi/Si衬底的一种；2）提供一表面具有第二SiO2层的Si衬底，键合所述第一SiO2层及第二SiO2层；3）采用XeF2气体腐蚀以去除所述半导体衬底，获得GaAs层/Ⅲ-Ⅴ半导体层/SiO2层/Si衬底结构。本发明具有以下有益效果：通过分子束外延或超高真空化学气相沉积的手段可以获得高质量的Ⅲ-Ⅴ半导体层；通过高选择性气体腐蚀的方法制备Ⅲ-ⅤOI，可以有效地将半导体衬底去除的同时保持了Ⅲ-Ⅴ半导体层完整性，从而有效地制备出高质量的Ⅲ-ⅤOI。
-
公开(公告)号：CN103050432B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210559663.8
申请日：2012-12-20
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明提供一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，先通过外延技术和离子注入技术形成半导体衬底、GaAs层结构，所述半导体衬底中具有H离子或/及He离子注入层，且所述半导体衬底为Ge、Ge/Si、Ge/GeSi/Si或GOI衬底；于所述GaAs层表面形成第一SiO2层；键合一表面具有第二SiO2层的Si衬底，进行第一退火加强键合，进行第二退火使所述注入层剥离；采用XeF2气体腐蚀以去除GaAs层表面残留的半导体衬底，获得GaAsOI结构；采用类似的方案可以获得高质量的Ⅲ-ⅤOI结构。本发明通过分子束外延或超高真空化学气相沉积的手段，获得高质量的GaAs层及Ⅲ-Ⅴ半导体层；采用高选择性气体腐蚀的方法，可以有效地将通过智能剥离后的残留半导体衬底去除的同时保持GaAs层的完整性，从而有效地制备出高质量的GaAsOI或Ⅲ-ⅤOI。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.034 秒)