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公开(公告)号：CN101565162A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910052443.4
申请日：2009-06-03
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法。其特征在于纳米梁上部的金属电极为阶梯形，电极两端与纳米梁间的间隙小于100纳米，而中间部分的电极间隙在1－2微米。所述的阶梯形电极两端与纳米梁形成MIS电容结构。当阶梯形电极与纳米梁间的电压超过MIS电容的阈值电压时，MIS电容下的空间电荷区达到最大值，空间电荷区下的电阻仅为应力的函数，可以用于纳米梁的压阻检测。阶梯形电极的中心部分由于间隙大，对纳米梁的电阻值影响小，中心部分对纳米梁的驱动效率高，用于对纳米梁实现静电驱动。
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公开(公告)号：CN101565162B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200910052443.4
申请日：2009-06-03
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法。其特征在于纳米梁上部的金属电极为阶梯形，电极两端与纳米梁间的间隙小于100纳米，而中间部分的电极间隙在1-2微米。所述的阶梯形电极两端与纳米梁形成MIS电容结构。当阶梯形电极与纳米梁间的电压超过MIS电容的阈值电压时，MIS电容下的空间电荷区达到最大值，空间电荷区下的电阻仅为应力的函数，可以用于纳米梁的压阻检测。阶梯形电极的中心部分由于间隙大，对纳米梁的电阻值影响小，中心部分对纳米梁的驱动效率高，用于对纳米梁实现静电驱动。
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公开(公告)号：CN101567394B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910052205.3
申请日：2009-05-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L29/808 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/337 , G01B7/02
摘要： 本发明涉及一种垂直环绕删结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，沟道是垂直的；沟道与环绕栅形成一个Pn结；源、漏区通过压焊块或金属引线与外电路实现电学连接。所述的场效应晶体管与敏感结构制作在SOI硅片的顶层硅上，采用微机械加工方法同时制成。通过电容耦合实现对敏感结构的位移检测。
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公开(公告)号：CN100573071C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710173683.0
申请日：2007-12-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区。不导电的空间电荷区使其下方的衬底电阻相对于梁中性面不对称，可以作为力敏电阻用于纳米梁的弯曲的测量。由于形成强反型层后，空间电荷区达到最大深度，MOS电容衬底力敏电阻的阻值不随栅极电压变化而变化，避免了现有的MOS沟道压阻结构中因负反馈引起的灵敏度下降，并且抗干扰能力强。提供的MOS电容衬底压阻结构也避免了纳米梁上制作力敏电阻所必需解决的重掺杂浅结制作难题。
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公开(公告)号：CN101251426A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710173683.0
申请日：2007-12-28
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区。不导电的空间电荷区使其下方的衬底电阻相对于梁中性面不对称，可以作为力敏电阻用于纳米梁的弯曲的测量。由于形成强反型层后，空间电荷区达到最大深度，MOS电容衬底力敏电阻的阻值不随栅极电压变化而变化，避免了现有的MOS沟道压阻结构中因负反馈引起的灵敏度下降，并且抗干扰能力强。提供的MOS电容衬底压阻结构也避免了纳米梁上制作力敏电阻所必需解决的重掺杂浅结制作难题。
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公开(公告)号：CN102103058B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910201333.X
申请日：2009-12-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法，用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的 晶向占优的金膜、位于 晶向占优的金膜上的单分子层以及位于单分子层上的生化敏感膜。由于柱状电极阵列是不连续的，并且高度远大于直径，生化膜内的应力不会传递到梁结构上，不会对梁结构的共振频率产生影响，可提高痕量质量传感器的信噪比。
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公开(公告)号：CN102103058A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910201333.X
申请日：2009-12-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法，用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的 晶向占优的金膜、位于 晶向占优的金膜上的单分子层以及位于单分子层上的生化敏感膜。由于柱状电极阵列是不连续的，并且高度远大于直径，生化膜内的应力不会传递到梁结构上，不会对梁结构的共振频率产生影响，可提高痕量质量传感器的信噪比。
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公开(公告)号：CN101567394A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910052205.3
申请日：2009-05-27
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L29/808 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/337 , G01B7/02
摘要： 本发明涉及一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，沟道是垂直的；沟道与环绕栅形成一个Pn结；源、漏区通过压焊块或金属引线与外电路实现电学连接。所述的场效应晶体管与敏感结构制作在SOI硅片的顶层硅上，采用微机械加工方法同时制成。通过电容耦合实现对敏感结构的位移检测。
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