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公开(公告)号：CN104062575A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410307562.0
申请日：2014-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法，包括以下步骤：S1：在激光器光路上设置一外部光反馈装置；S2：将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面；通过改变外部光反馈装置的反射率来调节反馈强度，改变激光器自身的输出功率；S3：测量不同反馈强度下激光器的电流-功率关系，得到多条I-P曲线；S4：由所述I-P曲线计算出各反馈强度下的外微分量子效率；S5：通过外微分量子效率与外部光反馈装置的反射率的函数关系拟合出激光器的内量子效率和内损耗。本发明具有只需要测试一个激光器的特点，从而消除了多个激光器测量带来的离散误差，同时带来方便、快捷、成本低、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN102627274B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210120753.7
申请日：2012-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/188
Abstract: 本发明属于无机化合物技术领域，尤其涉及一种以CBr4为源材料利用分子束外延(MBE)或者化学气相沉淀(CVD)等方法直接制备石墨烯的方法。一种制备石墨烯的方法，包括如下步骤：选取适当的材料作为衬底；在衬底表面直接沉积催化剂和CBr4；对沉积所得的样品进行退火处理。相比于其他技术，本发明方法的创新点是可以定量可控地在任意基底上沉积催化剂和CBr4源，催化剂和CBr4源在基底表面发生反应而形成石墨烯。这样可以极大限度地减弱石墨烯生长对基底材料的依赖性，人们可以根据不同的应用背景选择不同的基底材料。
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公开(公告)号：CN104062575B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410307562.0
申请日：2014-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法，包括以下步骤：S1：在激光器光路上设置一外部光反馈装置；S2：将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面；通过改变外部光反馈装置的反射率来调节反馈强度，改变激光器自身的输出功率；S3：测量不同反馈强度下激光器的电流-功率关系，得到多条I-P曲线；S4：由所述I-P曲线计算出各反馈强度下的外微分量子效率；S5：通过外微分量子效率与外部光反馈装置的反射率的函数关系拟合出激光器的内量子效率和内损耗。本发明具有只需要测试一个激光器的特点，从而消除了多个激光器测量带来的离散误差，同时带来方便、快捷、成本低、可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN102627274A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210120753.7
申请日：2012-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/188
Abstract: 本发明属于无机化合物技术领域，尤其涉及一种以CBr4为源材料利用分子束外延(MBE)或者化学气相沉淀(CVD)等方法直接制备石墨烯的方法。一种制备石墨烯的方法，包括如下步骤：选取适当的材料作为衬底；在衬底表面直接沉积催化剂和CBr4；对沉积所得的样品进行退火处理。相比于其他技术，本发明方法的创新点是可以定量可控地在任意基底上沉积催化剂和CBr4源，催化剂和CBr4源在基底表面发生反应而形成石墨烯。这样可以极大限度地减弱石墨烯生长对基底材料的依赖性，人们可以根据不同的应用背景选择不同的基底材料。
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