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公开(公告)号：CN113979429B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111215650.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种六方氮化硼表面扭转双层石墨烯及其制备方法，通过先对六方氮化硼衬底退火处理进行清洁，然后在六方氮化硼衬底表面涂覆辅助材料同时对该辅助材料进行加热及减量处理，使保留在六方氮化硼衬底上的辅助材料含量保持在合适的厚度范围内，通过选择合适的辅助材料种类以及合适的保留厚度，以辅助后续石墨烯的形核成长，然后再结合特定的催化气体材料实现在六方氮化硼衬底表面直接制备形成具有多转角的双层石墨烯。解决了六方氮化硼衬底表面石墨烯形核困难以及难以直接制备多转角的双层石墨烯的问题，为基于石墨烯的转角电子学研究提供基础。
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公开(公告)号：CN113979429A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111215650.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种六方氮化硼表面扭转双层石墨烯及其制备方法，通过先对六方氮化硼衬底退火处理进行清洁，然后在六方氮化硼衬底表面涂覆辅助材料同时对该辅助材料进行加热及减量处理，使保留在六方氮化硼衬底上的辅助材料含量保持在合适的厚度范围内，通过选择合适的辅助材料种类以及合适的保留厚度，以辅助后续石墨烯的形核成长，然后再结合特定的催化气体材料实现在六方氮化硼衬底表面直接制备形成具有多转角的双层石墨烯。解决了六方氮化硼衬底表面石墨烯形核困难以及难以直接制备多转角的双层石墨烯的问题，为基于石墨烯的转角电子学研究提供基础。
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公开(公告)号：CN119390062A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411352743.5
申请日：2024-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的转移方法，包括以下步骤：提供一待转移结构，待转移结构包括金属基底以及形成于金属基底上的石墨烯层；提供一功能衬底，将待转移结构放置于功能衬底上，石墨烯层与功能衬底相接触；于预设真空度的环境中对金属基底进行电流热熔处理，以去除金属基底并使石墨烯层附着于功能衬底上；依次对附着有石墨烯层的功能衬底进行清洁处理及退火处理。本发明的石墨烯的转移方法最大程度减少了石墨烯层与目标衬底界面的气泡及缺陷的引入的同时，使得石墨烯层与功能衬底之间贴合更加紧密，提升了后续形成的器件良率。
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公开(公告)号：CN116110771A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310162842.6
申请日：2023-02-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种可提供低能注入离子的石墨烯处理装置，包括放样仓、处理仓，以及隔离阀；放样仓包括第一腔体、样品座和样品输送杆，样品座位于第一腔体内；处理仓包括第二腔体、样品台、等离子体线圈，以及上电极网和下电极网；样品台、上电极网和下电极网位于第二腔体内，上电极网和下电极上下间隔设置且高度可调；样品输送杆可将样品座传送至样品台上，和/或自样品台将样品座传出，通过等离子体线圈放电产生的等离子体可通过上电极网和下电极网，以在处理仓内对位于样品座上的样品进行处理。本发明可以提供较高质量的等离子体发生真空环境，减少大气环境污染，提升等离子体产生的效率，保证等离子体的纯度与可靠性，满足不同的处理需要。
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